Prijavi se z GoogleID

» »

Tudi Elpida na 40 nm, micron na ~20 nm

Tudi Elpida na 40 nm, micron na ~20 nm

X-Bit Labs - Po Hynixovi predstavitvi izredno hitrega in varčnega GDDR5 pomnilniškega čipa, izdelanega v 40 nm-proizvodnem procesu, je zdaj tudi Elpida povedala, da so začeli z izdelavo čipov s 40 nm razdalje med tranzistorji. Za razliko od Hynixa Elpida svoje čipe že izdeluje, še več, od prvih testnih primerkov v oktobru pa do začetka proizvodnje je trajalo le dva meseca. Čeprav tudi Elpida izdeluje 2-gigabitne čipe, tokrat govorimo o običajnem, delovnem pomnilniku računalnika standarda DDR3. S prehodom s 50 na 40 nm na eno silicijevo rezino spravijo kar 44% več čipov, za katere obljubljajo, do so prav vsi delujoči, tudi pri 1600 MHz. Podobno kot pri Hynixu je tudi tu velika prednost čipov energetska varčnost. Nekoliko jih sicer omejuje standard, ki je v primeru DDR3 nastavljen na 1,5 V, a novi čipi brezskrbno podpirajo nizko-napetostni DDR3 standard z 1,35 V ter očitno delujejo tudi z le 1,2 V. S tem čipi prihranijo do 50% električne energije v primerjavi s požrešnejšimi, 50 nm primerki. Poleg svoje tovarne na Japonskem, ki že izdeluje 40 nm rezine, v drugem četrtletju leta 2010 načrtujejo razširitev proizvodnje še na Tajvan, k svoji partnerski družbi Rexchip, govori pa se še o deljenju tehnološkega znanja s ProMOSom in Winbondom, če bodo razmere v industriji prave.

Če že govorimo o Elpidinem sledenju Hynixu, povejmo še, da podobno dela tudi Micron. Sicer med navijalci zelo popularen proizvajalec DDR2 in DDR3 pomnilniških čipov za leto 2010 načrtuje zmanjšanje trajnega, NAND Flash pomnilnika. Poteza sploh ni presenetljiva, saj imata Intel in Micron skupno podjetje, IM Flash, kar pomeni, da je velika verjetnost, da bo končna velikost čipov, sicer med 20 in 30 nm, enaka za oba proizvajalca. Pri Micronu bodo prve testne primerke verjetno začeli izdelovati že kmalu v začetku prihodnjega leta, točnejša številka pa naj bi bila znana šele globoko v drugi polovici leta. Nad pričakovanim pomanjšanjem so izredno navdušeni ter menijo, da bo to za družbo pomemben mejnik. Obenem bo to omogočilo tudi cenejše oz. večje pogone, a o slednjem tako ali tako že imamo grobe številke.

1 komentar

Silverball ::

Opozorilo avtorju! Ker vidim, da se napaka ponavlja skozi vrsto člankov, ga moram popravit. Pri izdelavi integreranih vezji pomeni oznaka proizvodnega procesa, X nm, kolikšna je najmanjša možna dolžina kanala MOS tranzistorja in NE razdalje med tranzistorji.


Vredno ogleda ...

TemaSporočilaOglediZadnje sporočilo
TemaSporočilaOglediZadnje sporočilo
»

Najhitrejši Hynixov GDDR5 pomnilnik

Oddelek: Novice / Grafične kartice
62371 (2073) Dr_M
»

Samsung začel proizvajati XDR čipe

Oddelek: Novice / Pomnilnik
52196 (2022) ender
»

nVidia karikira Intel

Oddelek: Novice / Grafične kartice
423925 (2328) nekikr
»

Winbond z lastnimi GDDR čipi

Oddelek: Novice / Nakupi / združitve / propadi
61922 (1802) PrimozR
»

AMD izdal 40 nm-grafične procesorje

Oddelek: Novice / Grafične kartice
203041 (2164) PaX_MaN

Več podobnih tem