Prijavi se z GoogleID

» »

Samsung začel proizvajati 20 nm-čipe DDR3

Samsung začel proizvajati 20 nm-čipe DDR3

Slo-Tech - Spominski čipi NAND (flash) se že nekaj časa izdelujejo v 19 nm-tehnologiji izdelave, medtem pa je zmanjševanje litografije pri elektronskih pomnilniških čipih DDR težje. V Samsungu so zato toliko ponosneje najavili, da so uspeli zagnati množično proizvodnjo štirigigabitnih čipov DDR3 v 20 nm-tehnologiji.

Doslej so jih proizvajali v 25 nm-tehnologiji. Manjši čipi naj bi poskrbeli za 30 odstotkov višjo kapaciteto proizvodnje (število čipov na rezino) in 25 odstotkov nižjo porabo energije. Kljub temu da je zmanjševanje velikost čipov DRAM težje, saj celica vsebuje tako tranzistor kot kondenzator, medtem ko imajo celice v NAND-u le kondenzator, Samsung načrtuje nadaljnje zmanjševanje litografije.

Trenutno uporabljajo laser argonovega fluorida, ki ima elementarna argon in fluor. Če sistemu dovedemo energije, se elementa začasno spojita v metastabilen kompleks ArF (argonov fluorid), ki hitro razpade in ob tem izseva karakteristično svetlobo valovne dolžine 193 nm. Ta svetloba se potem uporablja za izjemno fino jedkanje silicijevih rezin, ki so bile na določenih mestih prekrite s fotoodpornim premazom. Postopku pravimo fotolitografija in je za čipe velikosti 20 nm še ravno dovolj dobra, a bodo morali v prihodnosti začeti uporabljati laserje krajše valovne dolžine (ekstremni UV, 13,5 nm), kar pa prinaša svoje težave, ker je energija teh fotonov bistveno večja, hkrati pa to svetlobo absorbirajo že zrak in steklo (leče!).

13 komentarjev

technolog ::

Hočemo ECC rame v laptope!

Hočem rečt, takole manjšanje litrografije ima svoje posledice, nima? Seveda Samsunga to sploh ne zanima.

Zgodovina sprememb…

hojnikb ::

medtem ko imajo celice v NAND-u le kondenzator, Samsung načrtuje nadaljnje zmanjševanje litografije.

Wait what ?

Sicer pa.. lepo videt, da se tudi nekaj na dram področju premika. Čeprav bi lahko naredil (glede na samo velikost čipa) že po defaultu lowprofile rame..
#teamred
BigBox: Asus P8Z77-V, i5 3570K, 16GB DDR3, 1TB HDD & 480GB SSD, GTX 970, W10
MediaBox: AMD 2200G, 8GB DDR4 3000MT, 128GB SSD, Vega 8, B450M-DS3H, W10

Zgodovina sprememb…

  • spremenil: hojnikb ()

filip007 ::

Boste lahko stlačili 64GB RAM v prenosnike, ali pa tudi ne.
#Plejstejšon.

hojnikb ::

dokler jih memory controlerji ne podprejo, težko..
#teamred
BigBox: Asus P8Z77-V, i5 3570K, 16GB DDR3, 1TB HDD & 480GB SSD, GTX 970, W10
MediaBox: AMD 2200G, 8GB DDR4 3000MT, 128GB SSD, Vega 8, B450M-DS3H, W10

tony1 ::

Verjetno se gre za *štirigigabajtne* čipe?

Mitch ::

Štiri gigabitne čipe. Se pravi vsak čip ima 512 MB. Za palčko 4GB RAMA jih potrebuješ 8 (čipov)...

filip007 ::

2011 podnožje in AMD FX podpirata največ 64GB Ram, ostalo pa ne.
#Plejstejšon.

bobby ::

Kljub temu da je zmanjševanje velikost čipov DRAM težje, saj celica vsebuje tako tranzistor kot kondenzator, medtem ko imajo celice v NAND-u le kondenzator,..


Original:
With DRAM memory, where each cell consists of a capacitor and a transistor linked to one another, scaling is more difficult than with NAND Flash memory in which a cell only needs a transistor.
~ ~ ~ ~
~ ~ ~ ~
~ ~ ~ ~ ~

Ale3š ::

filip007 je izjavil:

2011 podnožje in AMD FX podpirata največ 64GB Ram, ostalo pa ne.


Podnožje fx je bilo izdano leta 2013 in ima dodane vhode
||Amd athlon x 4 640,LC power5550 V2.2
Nvidia gts 450,Crucial balistix tactical
Gigabyte ga 970 ds3p||

hojnikb ::

bobby je izjavil:

Kljub temu da je zmanjševanje velikost čipov DRAM težje, saj celica vsebuje tako tranzistor kot kondenzator, medtem ko imajo celice v NAND-u le kondenzator,..


Original:
With DRAM memory, where each cell consists of a capacitor and a transistor linked to one another, scaling is more difficult than with NAND Flash memory in which a cell only needs a transistor.

My point exactly. V nandu ni kondenzatorjev..
#teamred
BigBox: Asus P8Z77-V, i5 3570K, 16GB DDR3, 1TB HDD & 480GB SSD, GTX 970, W10
MediaBox: AMD 2200G, 8GB DDR4 3000MT, 128GB SSD, Vega 8, B450M-DS3H, W10

trnvpeti ::

20nm pokuri obcutno manj(40%?) elektrike

LightBit ::

V novici piše 25%.

trnvpeti ::

.

Zgodovina sprememb…

  • spremenil: trnvpeti ()


Vredno ogleda ...

TemaSporočilaOglediZadnje sporočilo
TemaSporočilaOglediZadnje sporočilo
»

Samsung začel proizvajati 20 nm-čipe DDR3

Oddelek: Novice / Pomnilnik
134184 (2396) trnvpeti
»

Intelovi SSD-ji leta 2014 v celoti na 20 nm

Oddelek: Novice / Diski
316769 (3907) Jst
»

Toshiba končala razvoj 19 nm-bliskovnega pomnilnika

Oddelek: Novice / Pomnilnik
264941 (3902) MrStein
»

Intel in Micron napovedujeta 20 nm-bliskovni pomnilnik za SSD-je do poletja

Oddelek: Novice / Diski
71794 (1405) Bor H
»

TSMC in Globalfoundries predstavila razvojne načrte

Oddelek: Novice / Ostale najave
52684 (2163) Machiavelli

Več podobnih tem