Slo-Tech - Odkar je Intelov soustanovitelj Gordon Moore pred pol stoletja bistroumno ugotovil, da na enaki površini vsaki dve leti dobimo dvakrat več tranzistorjev, kar z drugimi besedami predstavlja eksponentno povečevanje računsko moči glede na ceno in potratnost, smo se kar razvadili. Inženirji so vsako leto predstavljali nove, boljše, hitrejše čipe, vsakih nekaj let pa so proizvodni postopek prestavili na manjšo litografijo. Fiziki v zadnjem času opozarjajo, da trkamo na skrajne fizikalne meje mogočega, ko gre za zmanjševanje litografije, kjer je fundamentalna omejitev velikost atomov. Če želimo slediti Moorovemu zakonu, pričakujemo preboj z novimi tehnologijami, kot so spintronika, tranzistorji na tunelski efekt ipd. Kaj pa če bo prihodnost drugačna?

Intelov podpredsednik in vodja oddelka za tehnologijo in proizvodnjo William...

ComputerWorld - Glede na intenzivni razvoj 3D NAND flasha, ki ga uporabljajo že vsi pomembnejši proizvajalci, prvi pa ga je uvedel Samsung, je bilo le vprašanje časa, kdaj se bo klasični planarni (2D) flash poslovil. Proizvodnja se sicer še ne bo ustavila, razvoja pa je konec, sporočajo vodilni v branži.

Končna litografija, do katere se je NAND flash splačalo zmanjševati, je 15 nm, pojasnjuje Toshibin podpredsednik za pomnilnik Scott Nelson. Teoretično je seveda mogoče iti še k manjšim elementom, kar je s 7-nm čipom dokazal IBM, a so pri flashu prednosti premajhne v primerjavi s podražitvijo. Še en veliki proizvajalec, Imec, je še lani napovedoval 13-nm tehnologijo, a so si sedaj premislili. Podobno je povedal tudi Scott DeBoer,...

Slo-Tech - IBM je v sodelovanju z GlobalFoundries, Samsungom in newyorško univerzo SUNY izdelal prvi delujoč čip v 7-nm tehnologiji. Izdelali so ga v raziskovalni tovarni v newyorškem Albanyju, kjer delajo s 300-mm rezinami. Trenutno so komercialno dostopni čipi, ki so zgrajeni v 14-nm tehnologiji, zelo blizu pa je tudi 10-nm, ki je po mnenju proizvajalcev skrajni domet trenutne tehnologije. Za 7 nm je bilo treba uporabiti nekaj trikov, ki nove čipe razlikujejo od trenutnih FinFET-ov. Pri tem velja že takoj na začetku zapisati, da je do komercialne rabe 7-nm čipov še vsaj dve leti.

Pomembna razlika je material, iz katerega so kanali tranzistorjev. Namesto silicija so uporabili zlitino silicija in germanija, ki ima boljše...

Slo-Tech - Na simpoziju SIPE za napredno litografijo, ki poteka v San Joséju v Kaliforniji, smo videli obrise prihodnosti, ki bo prinesla izdelavo čipov z EUV (extreme ultraviolet lithography). Pri nadaljnjem krčenju električnih elementov namreč trenutni načini izdelave tiskanih vezij ne bodo več uporabni, zato proizvajalci že več let intenzivno razvijajo EUV. TSMC in Globalfoundries sta že pred štirimi leti napovedala, da bodo okrog leta 2015 EUV pripeljali do komercialne uporabe, in čeprav jim to še ni povsem uspelo, so blizu.

Podjetje ASML, ki je največji proizvajalec naprav za EUV, je sporočilo, da je njihova velika stranka TSMC uspela presvetliti 1000 rezin v 24 urah, kar je pomemben mejnik pri razvoju EUV. Ta sicer že deluje, a je metoda prepočasna. Lani so...

engadget - Samsung je začel množično proizvodnjo TLC 3D V-NAND flasha, ki ga bodo uporabljali v SSD-jih nove generacije. Ti bodo hitrejši, učinkovitejši in predvsem cenejši od običajnih SSD-jev.

TLC označuje, da lahko v eni celici shranimo tri bite. To pomeni, da mora biti celici sposobna shraniti in razločiti osem različnih stanj (000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111), medtem ko MLC shranjuje dva bita (00, 01, 10, 11), SLC pa en sam bit (0, 1). Na ta način se brez povečanja gostote celic dvigne gostota zapisa, a to prinaša višje tveganje izgube podatkov, ker so razlike med posameznimi stanji celice manjše. Samsung je prvi proizvajalec SSD-jev, ki je uporabil TLC.

Drugi trik za dvig...

Slo-Tech - Spominski čipi NAND (flash) se že nekaj časa izdelujejo v 19 nm-tehnologiji izdelave, medtem pa je zmanjševanje litografije pri elektronskih pomnilniških čipih DDR težje. V Samsungu so zato toliko ponosneje najavili, da so uspeli zagnati množično proizvodnjo štirigigabitnih čipov DDR3 v 20 nm-tehnologiji.

Doslej so jih proizvajali v 25 nm-tehnologiji. Manjši čipi naj bi poskrbeli za 30 odstotkov višjo kapaciteto proizvodnje (število čipov na rezino) in 25 odstotkov nižjo porabo energije. Kljub temu da je zmanjševanje velikost čipov DRAM težje, saj celica vsebuje tako tranzistor kot kondenzator, medtem ko imajo celice v NAND-u le kondenzator, Samsung načrtuje nadaljnje zmanjševanje litografije.

Trenutno uporabljajo laser argonovega...

Slo-Tech - Intelu je na internet ušel - namenoma ali ne niti ni pomembno - načrt za izdajo SSD-jev v prihodnjem letu. V njem lahko preberemo, da Intel v letu 2014 načrtuje izdajo treh novih družin SSD-jev in dokončen prehod na 20 nm-tehnologijo izdelave.

Prve SSD-je v 20 nm iz Intela smo dobili že lanskega oktobra (SSD 335), a je šlo za modele, namenjene domači uporabi. Pri zmanjševanju litografije je namreč čedalje teže poskrbeti, da elektroni ne uhajajo iz celic tja, kamor ne bi smeli. Pri večnivojskih celicah (MLC) je to še težje storiti, zato so bili doslej nekateri strežniški modeli enonivojski (SLC), medtem ko doma to zaradi visoke cene ni prišlo v poštev. Intel pa je očitno prepričan, da so...

X-Bit Labs - Tretji največji proizvajalec pomnilniških čipov na svetu, japonska Elpida je razvila najmanjši čip 4 Gb DDR3 SDRAM, ki je zgrajen v 25 nm-proizvodnem procesu. V primerjavi s klasičnimi čipi v 30 nm je novinec manjši, cenejši za proizvodnjo, varčnejši in hitrejši. Dvogigabitne čipe je Elpida že julija začela izdelovati v 25 nm, medtem ko so štirigigabitni doslej ostajali na 30 nm.

Elpida pravi, da porabi nov čip 25 do 30 odstotkov manj energije za delovanje, medtem ko je v stanju pripravljenosti prihranek dvakrat tolikšen. To mu je omogočilo delovanje v varčnem načinu pri 1,35 V, medtem ko podpira tudi običajnejših 1,5 V. Hitrost dosega 1866 Mbps. Zaradi manjše litografije pa je cenejša tudi proizvodnja na kos, saj jih stlačijo na enako rezino...

ComputerWorld - Potem ko je Intel ravnokar predstavil novo generacijo SSD-jev v 25 nm, sta Intel in Micron napovedala, da bosta še do konca letošnjega poletja predstavila nove čipe za pogone SSD, ki bodo izdelani v 20 nm-tehnologiji. Bliskovni pomnilnik v 25 nm je bil premierno predstavljen pred približno letom dni, sedaj pa se napoveduje že manjša litografija. Intel in Micron skupaj razvijata nove, manjše vrste bliskovnega pomnilnika za SSD v podjetju IM Flash Technologies (IMFT).

Intel pojasnjuje, da se počasi že bližajo omejitvam zaradi fizikalnih zakonov. Ko so SSD-je proizvajali v 50 nm, je lahko skoraj vsak izdelovalec polprevodniških čipov zvaril svojega, sedaj pa je položaj ravno obraten, ugotavljajo. Primanjkuje namreč podjetij, ki imajo...

ComputerWorld - Samsung je predstavil novo serijo osemgigabajtnih pomnilniških ploščic (DIMM) Green DDR3 DRAM, koder so čipi naloženi eden nad drugim. V običajnih vezjih so čipi razporejeni le v dveh dimenzijah. Novi moduli imajo tako 50 odstotkov večjo gostoto čipov na prostorsko enoto od starih.

Proces proizvodnje se generično imenuje TSV in omogoča gradnjo...

X-Bit Labs - Hynix je objavil, da so razvili prvi dvogigabitni pomnilniški čip DDR2 DRAM za mobilne naprave v 40 nm-tehnologiji. Hynixov čip DDR2 deluje pri efektivni frekvenci 1066 MHz, za delovanje pa porabi sila malo energije. Potrebno napajanje je 1,2 V, medtem ko ima prepustnost 4,26 GB/s. Nov pomnilnik je v skladu z JEDEC-ovimi standardi za uporabo v novi generaciji pametnih telefonov, smartbookov in tabletov. Masovna proizvodnja naj bi se začela še v tej polovici leta. Prvi, ki je predstavil dvogigabitne čipe za prenosne naprave, je bil sicer Samsung, ki je leta 2008 izdelal te čipe v 50 nm-tehnologiji.