»

ZDA omejile prodajo ameriške tehnologije še 36 podjetijem, SSD-ji bodo dražji

vir: CNet
Trendforce - ZDA so razširile seznam podjetij, ki jim je prepovedano prodajati ameriško tehnologijo in izdelke brez posebnih licenc. Na seznam so dodali 36 podjetij, med katerimi je najvidnejši predstavnik YMTC (Yangtze Memory Technologies Co), ki proizvaja čipe, ki se uporabljajo v SSD-jih. TrendForce ocenjuje, da bi lahko YMTC do leta 2024 izstopil s tega trga, kar bo povzročilo prehodno pomanjkanje čipov 3D NAND flash na svetovnem trgu.

YMTC ima namreč zaradi uvrstitve na seznam (tako imenovani Entity List) velike težave. Brez posebnih licenc, ki jih je težko dobiti, mu namreč ameriška in druga podjetja ne smejo več opreme, tehnologije in proizvodov ameriških podjetij. To pa bo povzročilo težave pri razvoju najnovejše tehnologije Xtacking 3.0 za 3D NAND flash. Pred uvedbo sankcij so analitiki pričakovali, da bo v prihodnjem letu YMTC povečal proizvodnjo za 60 odstotkov. Sedaj kaže, da se bo proizvodnja dejansko znižala za sedem odstotkov, kar je dramatično poslabšanje obetov. YMTC je...

45 komentarjev

Western Digital zaradi kontaminacije izgubil 6,5 milijarde gigabajtov flasha

Slo-Tech - Western Digital, ki je eden največjih proizvajalcev polprevodnikov za flash, je v sredo potrdil, da so imeli januarja incident v dveh tovarnah na Japonskem, ki proizvajata čipe za flash. Zaradi kontaminacije surovin se je zgodil izpad proizvodnje v obsegu 6,5 milijard gigabajtov pomnilniških medijev, kar bo po ocenah TrendForcea vplivalo na ceno SSD-jev v tem četrtletju. Prizadeta je bila le proizvodnja 3D BiCS flasha, medtem ko na 2D NAND ni vplivala.

Western Digital in Kioxia Holdings Corp, ki upravljata omenjeni tovarni, imata 30-odstotni tržni delež na področju SSD-jev. Izpad, ki predstavlja približno tri odstotke letne proizvodnje, bi lahko v naslednjem kvartalu povzročil dvig cen za 5 do 10 odstotkov. Dvigi cen so lahko še višji, če je imela večjo škodo tudi Kioxia. Po ocenah TrendForcea so v letu 2021 prodali 207 milijard gigabajtov flasha oziroma 333 milijonov SSD-jev.

20 komentarjev

Micron predstavil 176-slojni 3D NAND čip

krmilno vezje se nahaja pod skladom pomnilniških celic

vir: Micron
Micron - V Micronu skušajo v srditi tekmi proizvajalcev pomnilniških vezij NAND flash nase opozoriti s kosom silicija z rekordnim številom plasti, saj ga ima najnovejša, peta generacija njihovega 3D NANDa, kar 176. Predvsem pa gre za tehnologijo, s katero se podjetje namerava rešiti zapuščine sodelovanja z Intelom.

V preteklem desetletju sta se v zasnovi pomnilniških vezij vrste NAND flash, ki so jedro pogonov SSD in pomnilniških kartic, pripetila dva ključna premika. Najprej vertikalno nizanje plasti (3D NAND ali tudi V-NAND), nato pa prehod iz celic na osnovi plavajočih vratc (floating gate) na tiste s pastjo za naboj (charge trap). Obe spremembi sta bili v mnogočem povezani, saj je rast v višino s pristopom charged trap lažje izvedljiv, toda en igralec na trgu je 3D NAND vztrajno počel še s staro tehnologijo - partnerstvo Intela in Microna. Epilog slednjega poznamo: konec leta 2018 sta se firmi razšli in prejšnji mesec je Intel svoj oddelek prodal Hynixu. Micron se je tako podal na novo...

14 komentarjev

Intel predstavil grafične čipe Ponte Vecchio za umetno inteligenco in superračunalnike

ZDNet - Intel je včeraj v Denverju predstavil novo družino grafičnih čipov Ponte Vecchio, ki bodo zgrajeni v 7-nm tehnologiji in bodo nared prihodnje leto. Čipi iz te družine bodo namenjeni v glavnem superračunalnikom (HPC) in umetni inteligenci (AI). Zategadelj bo šlo za diskretne čipe, ki bodo zmogli računanje s števili s plavajočo vejico tudi v dvojni natančnosti. S tem bo Intel neposredno tekmoval z Nvidiino serijo Tesla in AMD-jevim Radeon Instinctom. Intel čaka tu trdo delo, saj ima trenutno Nvidia prepričljivo prednost na trgu HPC in AI.

Nasploh bo Ponte Vecchio prvi Intelov komercialni čip, ki bo zgrajen v 7-nm tehnologiji. Uporabljal bo tehnologijo Multi-Chip Module (MCM), kar pomeni, da bomo namesto monolitnega čipa imeli več hitro povezanih čipletov (chiplet), ki imajo vsaj nekaj jeder. Čipi bodo uporabljali 3D-zlaganje komponent (Foveros) in HBM (High Bandwidth Memory). CXL (Compute Express Link) bo deloval prek PCIe 5.0. Intel se torej hvali, da bo arhitektura Ponte Vecchio...

0 komentarjev

Prihajajo dostopni 4-TB SSD-ji

Slo-Tech - Dobre novice za kupce SSD-jev se vrstijo. Cene so že tako strmoglavile, prihajajo pa tudi orjaški SSD-ji po znosnih cenah. Samsung je sporočil, da so začeli množično proizvodnjo 4-TB SSD-ja, ki bodo uporabljali štiribitne celice (QLC) in bodo tako zaradi nizke cene namenjeni domačim uporabnikom in ne podjetjem.

Štiriterabajtni SSD-ji že obstajajo, a stanejo več kot tisočaka. Samsung pa je prvo podjetje, ki začenja množično proizvodnjo SSD-jev, ki uporabljajo QLC V-NAND. Doslej so se uporabljali predvsem SLC, ki v celico shrani en bit podatkov, MLC, ki shrani dva, ter v zadnjem času tudi TLC, ki shrani tri. SLC je drag in ga v domačih napravah nismo videvali, MLC in TLC pa sta bila cenejši alternativi. Več bitov kot...

30 komentarjev

Samsung prehitel Intel

Bloomberg - Kot smo lani napovedovali, je Intel resnično padel s prestola. Po 24 letih se Intel poslavlja z vrha lestvice proizvajalcev čipov, saj ga je lani tudi uradno prehitel Samsung. Čeprav podjetji ne pokrivata istih niš, pa sodita v isto kategorijo. Intel je lani ustvaril rekordnih 63 milijard dolarjev prihodkov, a mu to ni pomagalo, saj jih je Samsung kar 69 milijonov dolarjev.

Samsung tako že dolgo ni več zgolj proizvajalec poceni televizorjev, temveč največji igralec na trgu čipov za pomnilnik in flash. V resnici je danes kar težko najti pametni telefon, ki nima Samsungovega pomnilnika. Intelovi procesorji x86 imajo po drugi strani precej bolj ozko odmerjen prostor, saj jih najdemo večinoma v osebnih računalnikih in...

42 komentarjev

ARM-jevi preizkusni čipi v 10 nm

Slo-Tech - Iz ARM-ja prihajajo dobre novice, saj so njihovi čipi v 10-nm tehnologiji FinFET že zelo zelo blizu. Kot so sporočili iz podjetja, so TSMC-ju že decembra poslali izgotovljen dizajn novih čipov v manjši litografiji (tapeout), v naslednjih dneh pa pričakujejo prve proizvedene primerke. Za zdaj bo šlo za preizkusne čipe, ki še ne bodo imeli vseh funkcionalnosti, a tudi komercialne primerke za množično prodajo pričakujemo kmalu.

Pomemben je tudi podatek, da imajo ti testni čipi novo procesorsko jedro Artemis, medtem ko je grafični del Mali enak kot v sedanjih čipih. Tako imenovani testni čipi so namenjeni tako ARM-ju kakor TMSC-ju, da prilagodita orodja in proizvodni postopek za kar najboljše rezultate. V trenutnem čipu so 4-jedra, v končnih izvedbah pa bomo imeli tudi takšne z...

7 komentarjev

Najprostornejši 2,5-palčni pogon na svetu je SSD

Ars Technica - Na konferenci Flash Memory Summit je Samsung predstavil najprostornejši 2,5-palčni SSD na svetu, saj ima njihov PM1633a kapaciteto kar 16 TB, s čimer je hkrati tudi prostornejši od klasičnih diskov iste velikosti. Pri tem je treba priznati, da je tudi fizično večji, saj v višino meri precej več od normalnih 2,5-palčnih pogonov za vgradnjo v prenosne računalnike.

Tolikšno kapaciteto je Samsung dosegel z uporabo 256-gigabitnih čipov, ki so zgrajeni iz 48 slojev (3D V-NAND flash). Še pred dvema letoma so proizvajali 24-slojne, lani 36-slojne, letos pa ovire ne predstavlja več niti 48 slojev. Marca je čipe z 48 sloji predstavila Toshiba, Samsung pa ni izgubljal časa s predstavljanjem čipov in so brez velikega pompa izdelali...

26 komentarjev

Konec razvoja navadnega pomnilnika NAND flash

ComputerWorld - Glede na intenzivni razvoj 3D NAND flasha, ki ga uporabljajo že vsi pomembnejši proizvajalci, prvi pa ga je uvedel Samsung, je bilo le vprašanje časa, kdaj se bo klasični planarni (2D) flash poslovil. Proizvodnja se sicer še ne bo ustavila, razvoja pa je konec, sporočajo vodilni v branži.

Končna litografija, do katere se je NAND flash splačalo zmanjševati, je 15 nm, pojasnjuje Toshibin podpredsednik za pomnilnik Scott Nelson. Teoretično je seveda mogoče iti še k manjšim elementom, kar je s 7-nm čipom dokazal IBM, a so pri flashu prednosti premajhne v primerjavi s podražitvijo. Še en veliki proizvajalec, Imec, je še lani napovedoval 13-nm tehnologijo, a so si sedaj premislili. Podobno je povedal tudi Scott DeBoer,...

10 komentarjev

Toshiba in SanDisk pripravila 3D-čipe z 256 Gb

ComputerWorld - Razvoj 3D-čipov za pomnilnik NAND-flash se nadaljuje, štafetno palico pa trenutno nosita SanDisk in Toshiba. Marca so kot prvi predstavili 48-slojni flash z dvema bitoma podatkov na celic (MLC), v katerega lahko shranijo do 128 Gb podatkov. Sedaj so kapaciteto še podvojili in pripravili čipe s kapaciteto 256 Gb. Pilotska proizvodnja za zdaj teče v novi tovarni v Jokajičiju na Japonskem, do konca leta pa naj bi zagnali množično proizvodnjo za prodajo.

Novi čipi so zgrajeni v 15-nm litografiji in bodo verjetno našli svoje mesto v SSD-jih, pametnih telefonih, microSD karticah ipd. Za razliko od marčevskih čipov so to pot uporabili TLC, kar pomeni, da ena celica shrani tri bite podatkov (torej mora biti sposobna...

35 komentarjev

3D-čipi zlezli že do 48 slojev

ComputerWorld - Toshiba je sporočila, da začenja proizvajati 3D-pomnilnik V-NAND flash, ki bo imel tranzistorje vertikalno naložene v 48 slojih. V posameznem bodo shranili dva bita podatkov (MLC), kar jim bo omogočilo izdelavo čipov s kapaciteto 128 Gb. S tem resno konkurirajo Samsungu, ki je lani jeseni predstavil 32-slojni flash. Toshiba je prvo tehnologijo na svetu, ki omogoča nanizati 48 slojev, poimenovala BiCS.

Bistvena razlika je v številu bitov v celici. Medtem ko je Samsung tja stlačil tri (TLC), se je Toshiba odločila za dva. To pomeni, da v obeh primerih čip shrani 128 Gb, a imajo Toshibini čipi nekaj prednosti, zlasti zanesljivost, dolgoživost ter tudi hitrost. Proizvajali jih bodo v tovarni številka dve v mestu Yokkaichi,...

29 komentarjev

Intel predstavlja 3D pomnilnik

vir: AnandTech
AnandTech - Intel je s svojim partnerjem Micronom drugi, ki je predstavil 3D pomnilniške čipe z zapisom dveh bitov na celico, prvi je jasno Samsung. Ni še povsem jasno, kako so pri IMFT zastavili trodimenzionalno tehnologijo, za Samsung vemo, da tranzistorje gradijo v višino v koncentričnih obročih po za tranzistorje standardnih plasteh. To jim da bistveno večjo površino od planarnih tranzistorjev, kjer plasti nalagajo eno na drugo na osnovno plast v višino. Večja površina na račun večje količine materiala da višjo vzdržljivost, po pričevanju Samsunga lahko bojda pričakujemo kar 10-krat višje število prepisov, medtem ko se nekoliko manj naprednemu proizvodnemu procesu navkljub gostota zapisa podatkov poviša. Intelu je z nalaganjem 32 plasti pomnilniških celic uspelo pripraviti 256-gigabitni oz....

0 komentarjev

Samsung začel proizvajati TLC 3D V-NAND flash

engadget - Samsung je začel množično proizvodnjo TLC 3D V-NAND flasha, ki ga bodo uporabljali v SSD-jih nove generacije. Ti bodo hitrejši, učinkovitejši in predvsem cenejši od običajnih SSD-jev.

TLC označuje, da lahko v eni celici shranimo tri bite. To pomeni, da mora biti celici sposobna shraniti in razločiti osem različnih stanj (000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111), medtem ko MLC shranjuje dva bita (00, 01, 10, 11), SLC pa en sam bit (0, 1). Na ta način se brez povečanja gostote celic dvigne gostota zapisa, a to prinaša višje tveganje izgube podatkov, ker so razlike med posameznimi stanji celice manjše. Samsung je prvi proizvajalec SSD-jev, ki je uporabil TLC.

Drugi trik za dvig...

70 komentarjev

Micron izboljšal vzdržljivost NAND-flasha

ComputerWorld - Pomnilniški gigant Micron je včeraj objavil, da so dosegli velik napredek pri razvoju MLC in SLC NAND flash pomnilnika. Z uporabo 34-nanometrske litografije so uspeli zvišati vzdržljivost, torej število ciklov zapisa in izbrisa v življenjski dobi čipa, za šestkrat. To pomeni, da bi MLC-ji preživeli 30.000 ciklov, novi SLC-ji pa kar 300.000. 32-gigabitne MLC-je in 16-gigabitne SLC-je je moč zložiti v večjedrne stvore, velikost do 32 oz. 16 GB. Micron poudarja, da to še ni napoved novih SSD-jev, da pa intenzivno sodelujejo s partnerji pri izdelavi končnih izdelkov na osnovi teh novih dosežkov. Tako lahko že prihodnje leto pričakujemo masovno proizvodnjo novih čipov.

64 komentarjev

Sodelovanje Intela in Microna obrodilo sadove

X-Bit Labs - Sodelovanje Intela in Microna bo prineslo nadaljnje blagodejne učinke za pomnilniške medije, ki uporabljajo NAND flash pomnilnik. Njuno sodelovanje je že omogočilo pomanjšanje čipov na 34 nm, zdaj pa sta uspela izdelati še 34 nm MLC čipe, ki na celico vsebujejo 3 bite informacij. Posledično imajo čipi eno najvišjih gostot zapisa na trgu, saj 4 GB čip zaseda le 126 mm2 površine. Intel in Micron se žal ne moreta pohvaliti, da imata najgostejše čipe, saj je že februarja Toshiba s pomočjo SanDiska izdelala 8 GB čip, ki na celico shrani 4 bite. Le-ti so izdelani v starejšem, 43 nm proizvodnem procesu, površina, ki jo zaseda čip, pa ni znana.

Čipi iz naveze Intela in Microna so trenutno v postopku testiranj, masovna proizvodnja pa naj bi se začela v zadnji letošnji četrtini. Obljubljajo tudi, da bo še pred koncem leta sledil premik na proizvodni proces, ki bo manjši od 30 nm. S to potezo bodo čipi postali še cenejši oz. bodo omogočali večje kapacitete na enaki površini.

7 komentarjev

16 Gbit NAND Flash čip

Tom's Hardware - Samsung trdi, da mu je uspelo razviti prvi 16 Gbit NAND čip za flash pomnilnik. Izdelan je v 50 nm postopku izdelave, kar ga naredi za okoli 25% manjšega od predhodnih 8 Gbit čipov, ki se izdelujejo v 60nm tehnologiji.

Teoretično bi tako bilo možno s čipi, ki jih sestavlja po 16.4 milijarde tranzistorjev, izdelati v konfiguracijah 8x16 in 16x16 flash kartice velikosti kar 16GB ali 32GB. Očitno nameravajo pri Samsungu tudi v prihodnje obdržati vodilni, 55% delež na trgu NAND Flash pomnilnika.

16 komentarjev