Prijavi se z GoogleID

» »

Intel predstavlja 3D pomnilnik

Intel predstavlja 3D pomnilnik

vir: AnandTech
AnandTech - Intel je s svojim partnerjem Micronom drugi, ki je predstavil 3D pomnilniške čipe z zapisom dveh bitov na celico, prvi je jasno Samsung. Ni še povsem jasno, kako so pri IMFT zastavili trodimenzionalno tehnologijo, za Samsung vemo, da tranzistorje gradijo v višino v koncentričnih obročih po za tranzistorje standardnih plasteh. To jim da bistveno večjo površino od planarnih tranzistorjev, kjer plasti nalagajo eno na drugo na osnovno plast v višino. Večja površina na račun večje količine materiala da višjo vzdržljivost, po pričevanju Samsunga lahko bojda pričakujemo kar 10-krat višje število prepisov, medtem ko se nekoliko manj naprednemu proizvodnemu procesu navkljub gostota zapisa podatkov poviša. Intelu je z nalaganjem 32 plasti pomnilniških celic uspelo pripraviti 256-gigabitni oz. 32-gigabajtni pomnilniški čip, kjer bi s prehodom zapisa treh bitov na celico (TLC), s 3D tehnologijo vzdržljivost le-tega ni več takšen problem, kapaciteta čipa poskočila na 48 GB.

Če primerjamo tehnologiji 3D pomnilnika Samsunga in Intela, potem vidimo, da Samsung pripravlja 86-gigabitno (dobrih 10 GB) jedro, sestavljeno iz 32 plasti. V prototipni fazi so pripravljali 128-gigabitno, 24-plastno jedro, a so se kasneje odločili zmanjšati površino jedra na približno dve tretjini prototipnega. Tranzistorji so izredno majhni, torej dodatnih 8 plasti višine ne igra bistvene vloge pri dimenzijah čipa, a bi se dodatnih 50 % površine vseeno izkazalo za slabost. IMFT svoj pomnilnik uporablja skorajda izključno v pogonih SSD, kjer površina ni takšen problem, medtem ko Samsung pokriva tudi druga področja pomnilnika, npr. pomnilniške kartice microSD pa so zelo občutljive, ko pride do velikosti pomnilniških čipov - prostor je zelo omejen. Obenem Samsung za doseganje enake kapacitete pogona SSD pri uporabi manjših jeder potrebuje večje število čipov, kar pri manjših kapacitetah ugodno vpliva na hitrost pogona. Ti so namreč najhitrejši, ko ima krmilnik zapolnjene vse kanale, teh je na krmilnikih za končne uporabnike običajno osem.

Mnogo podatkov o Intelovi rešitvi še vedno nismo videli, o sami arhitekturi bodo na AnandTechu v kratkem pripravili podrobnejši prispevek, kjer bomo morda nekaj več izvedeli tudi o uporabljeni litografiji, o vzdržljivosti ter morda tudi o pričakovani dobavljivosti čipov. A vseeno izpostavljajo, da bo pred Intelovo dobavljivostjo 256-gigabitnega 3D čipa najverjetneje že dobavljiv Samsungov 48-plastni, 128 Gb čip.

0 komentarjev



Vredno ogleda ...

TemaSporočilaOglediZadnje sporočilo
TemaSporočilaOglediZadnje sporočilo
»

Samsung pripravlja 3D pomnilnik: V-NAND (strani: 1 2 )

Oddelek: Novice / Diski
8211979 (9314) hojnikb
»

Bliskovni pomnilnik postaja hitrejši, manjši

Oddelek: Novice / Pomnilnik
213871 (3028) mujek
»

Intel in Micron na poti k 20 nm bliskovnemu pomnilniku

Oddelek: Novice / Diski
62824 (2385) kuglvinkl
»

Popravljanje napak v bliskovnem pomnilniku

Oddelek: Novice / Pomnilnik
62457 (1835) Gregor P
»

IMFT omogoča še cenejše SSDje

Oddelek: Novice / Pomnilnik
123949 (3313) Dr_M

Več podobnih tem