»

Elpida razvila najmanjši 4-gigabitni pomnilniški čip

X-Bit Labs - Tretji največji proizvajalec pomnilniških čipov na svetu, japonska Elpida je razvila najmanjši čip 4 Gb DDR3 SDRAM, ki je zgrajen v 25 nm-proizvodnem procesu. V primerjavi s klasičnimi čipi v 30 nm je novinec manjši, cenejši za proizvodnjo, varčnejši in hitrejši. Dvogigabitne čipe je Elpida že julija začela izdelovati v 25 nm, medtem ko so štirigigabitni doslej ostajali na 30 nm.

Elpida pravi, da porabi nov čip 25 do 30 odstotkov manj energije za delovanje, medtem ko je v stanju pripravljenosti prihranek dvakrat tolikšen. To mu je omogočilo delovanje v varčnem načinu pri 1,35 V, medtem ko podpira tudi običajnejših 1,5 V. Hitrost dosega 1866 Mbps. Zaradi manjše litografije pa je cenejša tudi proizvodnja na kos, saj jih stlačijo na enako rezino...

3 komentarji

Globalfoundries vpeljal 20 nm-tehnologijo proizvodnje

X-Bit Labs - Podjetje Globalfoundries, nekdanje AMD-jeve livarne, je v začetku leto napovedalo, da se počasi poslavlja 32 nm-tehnologija proizvodnje, saj se bodo v celoti posvetili 28 nm in v prihodnosti še manjši 20 nm. Slednja je prestala prve preizkuse.

X-Bit Labs poroča, da so ta teden uspešno izdelali prve preizkusne 20 nm-čipe, pri čemer so sodelovali z EDA-partnerji (Electronic Design Automation) Cadence Design Systems, Magma Design Automation, Mentor Graphics Corp in Synopsys. Izkazalo se je, da so P&R orodja (place-and-route) vseh štirih podjetij prilagojena tudi za zahtevnejši 20 nm-proces, ki sedaj uporablja tudi dvojno vzorčenje (double patterning). Prenovljen proizvodni cikel pa bo strankam omogočil, da tesneje sodelujejo v postopku od samega naročila do končnega izdelka, ki pride iz livarne.

Globalfoundries bo sedaj knjižice za dizajn in celotne diagrame poteka ponudil...

2 komentarja

Intel in Micron na poti k 20 nm bliskovnemu pomnilniku

8-gigabitno jedra bliskovnega pomnilnika, izdelanega v 20 nm-proizvodnem procesu

vir: AnandTech
AnandTech - Prvi pogoni z IMFT-jevim 25 nm bliskovnim pomnilnikom so komaj prispeli na testne mizice in na police trgovin, ko Intel in Micron, partnerja pri IMFT (Intel Micron Flash Technologies), že predstavljata novo pomanjšanje. Tokrat bo prehod nekoliko manjši, kot s 34 na 25 nm, saj bo pomanjšanje veliko vsega 5 nanometrov na 20 nm-proizvodni proces. Prvi primerek, 8-gigabitno jedro, so izdelali v IMFT-jevi tovarni v Lehiju v zvezni državi Utahu, medtem ko bo masovna proizvodnja na 20 nm potekala še v tovarnah v ameriški Virginiji (Manassas) ter v Singapurju, ko bodo tovarni opremili za proizvodnjo 20 nm čipov (potrebne so manjše predelave proizvodne linije).

Končnih izdelkov sicer ne bomo videli še okroglo leto (proizvodni...

6 komentarjev

Intel in Micron napovedujeta 20 nm-bliskovni pomnilnik za SSD-je do poletja

ComputerWorld - Potem ko je Intel ravnokar predstavil novo generacijo SSD-jev v 25 nm, sta Intel in Micron napovedala, da bosta še do konca letošnjega poletja predstavila nove čipe za pogone SSD, ki bodo izdelani v 20 nm-tehnologiji. Bliskovni pomnilnik v 25 nm je bil premierno predstavljen pred približno letom dni, sedaj pa se napoveduje že manjša litografija. Intel in Micron skupaj razvijata nove, manjše vrste bliskovnega pomnilnika za SSD v podjetju IM Flash Technologies (IMFT).

Intel pojasnjuje, da se počasi že bližajo omejitvam zaradi fizikalnih zakonov. Ko so SSD-je proizvajali v 50 nm, je lahko skoraj vsak izdelovalec polprevodniških čipov zvaril svojega, sedaj pa je položaj ravno obraten, ugotavljajo. Primanjkuje namreč podjetij, ki imajo...

7 komentarjev

Samsung izdelal pomnilnik DDR4

ComputerWorld - Medtem ko se pomnilnik DDR3 nezadržno ceni, proizvajalci že razvijajo njegovega naslednika. Vodstvo je prevzel Samsung, ki je izdelal prve tablice pomnilnika DDR4, ki je po besedah proizvajalca dvakrat hitrejši od predhodnika. V 30 nm-tehnologiji izdelani čipi porabijo do 40 odstotkov manj energije od sedanjih pomnilniških čipov in omogočajo delovanje s hitrostmi 2,13 gigabita na sekundo.

Pomnilnik se napaja z 1,2-voltno napetostjo, kar je tudi glavni razlog za nižjo porabo električne energije. Uporablja tudi novo tehnologijo Pseudo Open Drain (POD), ki je še en varčevalni mehanizem in se rabi pri zapisu ali branju podatkov. Samsung je dejal, da so konec leta prve tablice posredovali izdelovalcem pomnilniških krmilnikov na testiranje, z JEDEC-om pa naj bi DDR4 standardizirali v drugi polovici...

12 komentarjev

Popravljanje napak v bliskovnem pomnilniku

Učinek manjšanja proizvodnega procesa na napake in vzdržljivost

vir: AnandTech
AnandTech - Manjšanje proizvodnega procesa pri izdelavi pomnilniških čipov se seveda pozna v večji gostoti hrambe podatkov na njih, to pa neposredno pomeni ugodnejšo ceno za dano kapaciteto. Najbolj to občutimo pri pogonih SSD zaradi velikih kapacitet, a učinek seveda lahko enostavno prenesemo tudi na USB ključke ter pomnilniške kartice. A manjšanje procesa s seboj privede nekatere neželene posledice, predvsem nepopravljive napake v zapisu ter zmanjšano vzdržljivost. Ta sicer pada linearno, a pri Micronu je marketinški oddelek pokazal prosojnice, ki kažejo, da zahteva po popravljanju napaka pri prehodu na 25 nm v primerjavi s 34 nm naraste skokovito. Ta prehod doživljamo prav zdaj.

Prav zato so se...

6 komentarjev

Samsung začel proizvajati 20 nm-bliskovni pomnilnik

PC World - Samsung je včeraj objavil, da so začeli proizvajati NAND-bliskovni pomnilnik v 20 nm-tehnologiji, ki v primerjavi s staro 30 nm nudi večje kapacitete in višje hitrosti. Skupaj bodo zlagali 32 gigabitne (4 GB) čipe vse do kapacitet 64 GB, ki bodo uporabne tako v pomnilniških karticah kot tudi pametnih telefonih. Glede na to, da je IMFT (podjetje v solastništvu Intela in Microna) v začetku letošnjega leta predstavil 25 nm-proizvodni proces, so to prvi obeti cenovne vojne. Samsung namreč obljublja 30-odstotno pohitritev in pocenitev izdelave.

6 komentarjev

Micron in Nanya raziskujeta 20 nm

vir: PC World
PC World - Micron v sodelovanju s svojim partnerjem pri izdelavi pomnilniških čipov, tajvansko Nanyo, raziskuje izdelavo čipov v 20 nm-proizvodnem procesu, kar bi jih lahko poneslo v tehnološko prednost pred največjim konkurentom na področju pomnilnika, Samsungom. Slednji svoje proizvodne linije že nadgrajuje na 30 nm-proizvodni proces, ki so po njihovih besedah v primeru 2-gigabitnih DDR III čipov (iz njih se lahko npr. izdela 4-gigabajtne pomnilniške palčke) 30% bolj učinkoviti od primerljivih čipov, izdelanih v 50 nm-proizvodnem procesu. Obenem je cena izdelave 50 nm čipov dvakrat višja od 30 nm...

0 komentarjev

Micron in Nanya z 42 nm DDR3

X-Bit Labs - Podjetji Micron in Nanya sta včeraj napovedali, da sta družno razvili dvogigabiten čip DDR3 z uporabo nove 42 nm proizvodne tehnologije DRAM-a. Z zmanjšanjem litografije na 42 nm bodo iz pomnilnika lahko iztisnili višje hitrosti in večje kapacitete - posamezne palčke pomnilnika bi lahko bile velike do 16 GB in delovale s 1866 MHz. Prav tako so znižali potrebno delovno napetost z 1,50 na 1,35 V. Omejena proizvodnja se bo pričela v drugem četrtletju tega leta, masovna proizvodnja pa sledi jeseni. V raziskovalnem oddelku Microna medtem že raziskuje tehnologijo s 30 nm.

9 komentarjev

Tudi Elpida na 40 nm, micron na ~20 nm

X-Bit Labs - Po Hynixovi predstavitvi izredno hitrega in varčnega GDDR5 pomnilniškega čipa, izdelanega v 40 nm-proizvodnem procesu, je zdaj tudi Elpida povedala, da so začeli z izdelavo čipov s 40 nm razdalje med tranzistorji. Za razliko od Hynixa Elpida svoje čipe že izdeluje, še več, od prvih testnih primerkov v oktobru pa do začetka proizvodnje je trajalo le dva meseca. Čeprav tudi Elpida izdeluje 2-gigabitne čipe, tokrat govorimo o običajnem, delovnem pomnilniku računalnika standarda DDR3. S prehodom s 50 na 40 nm na eno silicijevo rezino spravijo kar 44% več čipov, za katere obljubljajo, do so prav vsi delujoči, tudi pri 1600 MHz. Podobno kot pri Hynixu je tudi tu velika prednost čipov energetska varčnost. Nekoliko jih sicer omejuje standard, ki je v primeru...

1 komentar

Fusion izdelan v 32 nm SOI

AMD Fusion

vir: X-Bit Labs
X-Bit Labs - AMDjev Fusion, ki ga pričakujemo v letu 2011, bo podoben Intelovim procesorjem Clarkdale in Arrandale, saj bo poleg procesorskega (CPU) jedra v istem pakiranju tudi grafično jedro (GPU). V pogovoru s finančnimi analitiki je Dirk Meyer, CEO AMDja, povedal, da so se za prve primerke APUjev (accelerated processing unit), kot so poimenovali združeno procesorsko in grafično jedro, odločili uporabiti SOI proizvodni proces v velikosti 32 nm. Ker bodo prvi primerki, označeni s kodnim imenom Llano, vsebovali grafični čip iz družine Radeon HD 5000, bo treba enega izmed njih predelati in pripraviti...

10 komentarjev

Sodelovanje Intela in Microna obrodilo sadove

X-Bit Labs - Sodelovanje Intela in Microna bo prineslo nadaljnje blagodejne učinke za pomnilniške medije, ki uporabljajo NAND flash pomnilnik. Njuno sodelovanje je že omogočilo pomanjšanje čipov na 34 nm, zdaj pa sta uspela izdelati še 34 nm MLC čipe, ki na celico vsebujejo 3 bite informacij. Posledično imajo čipi eno najvišjih gostot zapisa na trgu, saj 4 GB čip zaseda le 126 mm2 površine. Intel in Micron se žal ne moreta pohvaliti, da imata najgostejše čipe, saj je že februarja Toshiba s pomočjo SanDiska izdelala 8 GB čip, ki na celico shrani 4 bite. Le-ti so izdelani v starejšem, 43 nm proizvodnem procesu, površina, ki jo zaseda čip, pa ni znana.

Čipi iz naveze Intela in Microna so trenutno v postopku testiranj, masovna proizvodnja pa naj bi se začela v zadnji letošnji četrtini. Obljubljajo tudi, da bo še pred koncem leta sledil premik na proizvodni proces, ki bo manjši od 30 nm. S to potezo bodo čipi postali še cenejši oz. bodo omogočali večje kapacitete na enaki površini.

7 komentarjev

Intel pripravlja večje in cenejše SSDje

engadget - Intel in Micron, ki sodelujeta pri razvoju pomnilniških tehnologij, sta Flash čipe uspešno zmanjšala na 34 nm, kar je seveda dobro za nas, potrošnike in naše denarnice. Z manjšim proizvodnim procesom so pomnilniški čipi cenejši za proizvodnjo in fizično manjši, kar pomeni cenejše oz. večje pogone. Intel je že pred kratkim ponovno spustil cene svojih SSDjev, zaradi česar 80 gigabajtni X25-M stane le še 320 $ oz. približno polovico cene ob predstavitvi manj kot leto nazaj. S prehodom na 34 nm čipe se bodo dvignile predvsem kapacitete, saj je Intel že napovedal nove, 80, 160 in 320 GB modele. Novinci naj bi po prvotnih govoricah prišli na trg šele v zadnji letošnji četrtini, a je Intel povedal, da jih bomo ugledali že čez nekaj tednov. Največji modeli bodo prostorsko tako popolnoma primerna zamenjava za mehanske diske v večini prenosnikov. Če bo cena prava, seveda.

18 komentarjev

Samsung s 30 nm NAND pomnilnikom

engadget - Samsung je končno izdelal prve pomnilniške kartice s 30 nm proizvodnim procesom, kar je obljublja že od leta 2007. Takrat so povedali, da pričakujejo 128 GB pomnilniško kartico v vsaki digitalni kameri, a to zaenkrat še ne bo možno. Čeprav je 30 nm proizvodni proces omogočil prestop magične meje 16 GB, se je zaenkrat kapaciteta ustavila že pri 32 GB. Kartice te velikosti, skupaj s 16, 8 in 4 GB, so že v proizvodnji, datum dobavljivosti pa še ni znan.

Novica očitno velja za SD in podobne kartice majhnih dimenzij.

4 komentarji