» »

Intel in Micron na poti k 20 nm bliskovnemu pomnilniku

 8-gigabitno jedra bliskovnega pomnilnika, izdelanega v 20 nm-proizvodnem procesu

8-gigabitno jedra bliskovnega pomnilnika, izdelanega v 20 nm-proizvodnem procesu

vir: AnandTech
 Primerjava 34, 25 in 20 nm jeder (2 x 4 GB za 34 nm)

Primerjava 34, 25 in 20 nm jeder (2 x 4 GB za 34 nm)

vir: AnandTech
AnandTech - Prvi pogoni z IMFT-jevim 25 nm bliskovnim pomnilnikom so komaj prispeli na testne mizice in na police trgovin, ko Intel in Micron, partnerja pri IMFT (Intel Micron Flash Technologies), že predstavljata novo pomanjšanje. Tokrat bo prehod nekoliko manjši, kot s 34 na 25 nm, saj bo pomanjšanje veliko vsega 5 nanometrov na 20 nm-proizvodni proces. Prvi primerek, 8-gigabitno jedro, so izdelali v IMFT-jevi tovarni v Lehiju v zvezni državi Utahu, medtem ko bo masovna proizvodnja na 20 nm potekala še v tovarnah v ameriški Virginiji (Manassas) ter v Singapurju, ko bodo tovarni opremili za proizvodnjo 20 nm čipov (potrebne so manjše predelave proizvodne linije).

Končnih izdelkov sicer ne bomo videli še okroglo leto (proizvodni cikel IMFT-ja je med 15 in 18 meseci), saj bodo polno proizvodnjo, tako v količini kot v kvaliteti, v najboljšem primeru dosegli šele v drugi polovici letošnjega leta. Prehod na nov proizvodni proces bo prinesel znatno pomanjšanje samega jedra. V primeru 8 Gb jedra bo le-to na 20 nm merilo 118 mm2, medtem ko enako jedro v 25 nm postopku meri 167 mm2. Pri Anandtechu so na sliki dodali še dve 4 Gb jedri, da bi prikazali velikostno razliko s 34 nm izdelki, ki niso bili nikoli izdelani v večjih kapacitetah. Vzdržljivost 20 nm čipov naj bi bila z dozorevanjem proizvodnega procesa praktično enaka 25 nm različicam, torej lahko pričakujemo med 3.000 in 5.000 zapisi na celico, ki je enaka 34 nm pomnilniku, a znatno manjša od 10.000 zapisov 50 nm pomnilnika.

Pri IMFT so izpostavili, da z manjšim jedrom lahko pričakujemo še kompaktnejše pakiranje čipa, ki bo izdelovalcem prenosnih naprav omogočalo optimizacijo velikosti nekaterih komponent, npr. povečanje baterije.

6 komentarjev

Zero0ne ::

O blisk, odlična novica!
uname -o

hojnikb ::

In kolk zapisov bo to zdržal ? 2000 ?
Persona non grata -- Gorgeous looking person :)
BigBox: Asus P8Z77-V, 3570K, 8GB Ram, Intel 180GB & Sammy 750GB, HD7950, W7
MiniBox: Wintel W8, Z3735F@1.83Ghz, 2GB DDR3L, 32GB eMMC, Intel HD, W8.1

kuglvinkl ::

hojnikb je izjavil:

In kolk zapisov bo to zdržal ? 2000 ?


To je dovolj. Poglej na Ananda test OCZ Vertex 3, kjer je izračun.

PIPI ::

Vzdržljivost 20 nm čipov naj bi bila z dozorevanjem proizvodnega procesa praktično enaka 25 nm različicam, torej lahko pričakujemo med 3.000 in 5.000 zapisi na celico, ki je enaka 34 nm pomnilniku, a znatno manjša od 10.000 zapisov 50 nm pomnilnika.


And what kuglvinkl said.

Dr_M ::

A tej procesi sploh kdaj "dozorijo" glede na to, kako hitro se menjajo?! :|
I offended you?
How does it feel like to be so weak that mere words hurt you?

kuglvinkl ::

Tle bodo verjetno kar dozoreli. Kolkr štekam, so 50 nm delal skor v vsaki garaži, tle je pa fabrk zlo zlo malo.


Vredno ogleda ...

TemaSporočilaOglediZadnje sporočilo
TemaSporočilaOglediZadnje sporočilo
»

Intel in Micron na poti k 20 nm bliskovnemu pomnilniku

Oddelek: Novice / Diski
61644 (1205) kuglvinkl
»

Nakup pogona OCZ Vertex 2 ne bo več težaven

Oddelek: Novice / Diski
132136 (1420) PIPI
»

Intel in Micron napovedujeta 20 nm-bliskovni pomnilnik za SSD-je do poletja

Oddelek: Novice / Diski
71188 (799) Bor H
»

Samsung začel proizvajati 20 nm-bliskovni pomnilnik

Oddelek: Novice / Pomnilnik
62349 (1487) Jst
»

IMFT omogoča še cenejše SSDje

Oddelek: Novice / Pomnilnik
122663 (2027) Dr_M

Več podobnih tem