Intel predstavlja tridimenzionalne tranzistorje

Hexus - Na včerajšnji prireditvi, namenjeni veliki najavi, nismo dobili novih procesorjev, nismo prejeli informacij o naslednjih generacijah Itaniumov kakor tudi nismo izvedeli, če bo Intel v resnici sodeloval z Applom pri izdelavi mobilnih čipov. Intel je namreč predstavil svoj bodoči proizvodni proces v velikosti 22 nm, ki s seboj prinaša veliko novost, po napovedih premierno na voljo že s procesorji Ivy Bridge. Gre za tridimenzionalne tranzistorje, ki prinašajo obilico prednosti.



V primerjavi z 32 nm čipi bo na 22 nm gostota tranzistorjev podvojena, a bo ob enaki zmogljivosti poraba padla na vsega polovico prejšnje. Vseeno obljubljajo znatno pospešitev z novimi procesorji. Namesto ploščate plasti polprevodnika pod vrati so se pri Intelu odločili, da bodo polprevodnik dvignili iz izolatorja, s čimer bo namesto samo na eni površini polprevodnik z vrati objet s treh strani - z vrha, z leve in z desne. Posledica je veliko boljši nadzor nad tokom elektronov, torej ti lažje tečejo pri odprtih vratih (zaradi česar novi tranzistorji prenesejo večje tokove), pri zaprtih vratih pa bo manj uhajanja toka (elektroni tečejo, čeprav ne bi smeli), ki je glavna težava za upočasnjeno višanje zmogljivosti in vedno večjo porabo, kljub zmanjševanju proizvodnega procesa.

Novotarijo so pri Intelu poimenovali Tri-Gate tranzistor (ker kot rečeno vrata objemajo polprevodnik s treh strani), ta pa jim bo omogočala nadaljevanje Moorovega zakona še vsaj na 22 nm, najverjetneje pa še na 14 nm v letu 2013 in 10 nm v letu 2015.