Kitajci naredili korak proti hitrejšim SSD-jem
Netrajni pomnilnik, torej DRAM ali SRAM, je bistveno hitrejši od trajnih pomnilnikov (flash). Prvi lahko podatke v celice zapisujejo v nekaj nanosekundah, medtem ko flash potrebuje več sto mikrosekud do milisekund. To predstavlja ozko grlo pri uporabi, kjer potrebujemo velikanske prenose podatkov, denimo pri obdelavi podatkov z umetno inteligenco. Že praktično od pojava modernih računalnikov ostaja sveti gral pomnilnik, ki bi združil hitrost dinamičnega pomnilnika in trajnost zapisa na diske, saj bi lahko popolnoma predrugačil arhitekturo računalnikov.
Do tja je še zelo daleč in tudi najnovejše kitajsko...