Intel - Intel in Micron sta predstavila povsem novo tehnologijo hitrega trajnega pomnilnika, ki je po zatrjevanju proizvajalcev do 1000-krat hitrejši od polprevodniškega pomnilnika v današnjih SSD-jih in predstavlja prvo revolucijo po iznajdbi NAND-a leta 1989. Poimenovali so ga 3D XPoint (beri: [kɹɒspɔɪ̯nt], "cross-point"), kar je povezano z njegovo zgradbo.

Danes imamo drage in hitre pomnilnike, ki ne zmorejo dolgoročno hraniti podatkov (RAM), ter počasnejše in cenejše trajne pomnilnike (flash, diski). 3D XPoint premošča to vrzel, saj bo trajen in hiter, dasi vsaj spočetka nič kaj poceni. Prav...

ComputerWorld - Toshiba je sporočila, da začenja proizvajati 3D-pomnilnik V-NAND flash, ki bo imel tranzistorje vertikalno naložene v 48 slojih. V posameznem bodo shranili dva bita podatkov (MLC), kar jim bo omogočilo izdelavo čipov s kapaciteto 128 Gb. S tem resno konkurirajo Samsungu, ki je lani jeseni predstavil 32-slojni flash. Toshiba je prvo tehnologijo na svetu, ki omogoča nanizati 48 slojev, poimenovala BiCS.

Bistvena razlika je v številu bitov v celici. Medtem ko je Samsung tja stlačil tri (TLC), se je Toshiba odločila za dva. To pomeni, da v obeh primerih čip shrani 128 Gb, a imajo Toshibini čipi nekaj prednosti, zlasti zanesljivost, dolgoživost ter tudi hitrost. Proizvajali jih bodo v tovarni številka dve v mestu Yokkaichi,...

AnandTech - Intel je s svojim partnerjem Micronom drugi, ki je predstavil 3D pomnilniške čipe z zapisom dveh bitov na celico, prvi je jasno Samsung. Ni še povsem jasno, kako so pri IMFT zastavili trodimenzionalno tehnologijo, za Samsung vemo, da tranzistorje gradijo v višino v koncentričnih obročih po za tranzistorje standardnih plasteh. To jim da bistveno večjo površino od planarnih tranzistorjev, kjer plasti nalagajo eno na drugo na osnovno plast v višino. Večja površina na račun večje količine materiala da višjo vzdržljivost, po pričevanju Samsunga lahko bojda pričakujemo kar 10-krat višje število prepisov, medtem ko se nekoliko manj naprednemu proizvodnemu procesu navkljub gostota zapisa podatkov poviša. Intelu je z nalaganjem 32 plasti pomnilniških celic uspelo pripraviti 256-gigabitni oz....

engadget - Samsung je začel množično proizvodnjo TLC 3D V-NAND flasha, ki ga bodo uporabljali v SSD-jih nove generacije. Ti bodo hitrejši, učinkovitejši in predvsem cenejši od običajnih SSD-jev.

TLC označuje, da lahko v eni celici shranimo tri bite. To pomeni, da mora biti celici sposobna shraniti in razločiti osem različnih stanj (000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111), medtem ko MLC shranjuje dva bita (00, 01, 10, 11), SLC pa en sam bit (0, 1). Na ta način se brez povečanja gostote celic dvigne gostota zapisa, a to prinaša višje tveganje izgube podatkov, ker so razlike med posameznimi stanji celice manjše. Samsung je prvi proizvajalec SSD-jev, ki je uporabil TLC.

Drugi trik za dvig...

AnandTech - Manjšanje proizvodnega procesa že pod 20 nm je skupaj z zapisovanjem več bitov v eno celico omogočilo, da so SSD-ji v vsega nekaj letih postali izredno dostopni. A prav ta tehnologija, ki omogoča nižjo ceno, obenem zahteva daljše programabilne čase (to znižuje hitrost) in močno zniža vzdržljivost posamezne celice. V industriji se govori, da bomo pri klasičnih NAND pomnilnikih videli še eno manjšanje med 10 in 20 nm, morda dve, potem pa bomo tehnološko rezervo izkoristili. Proizvajalci seveda ne počivajo, saj razvijajo alternativne tehnologije, ki bodo omogočile nadaljevanje Moorovega zakona, tako z izboljšavami klasičnega NAND-a (preverjanje napak celice, pomnjenje le-teh in njihovo...

Extremetech - Podjetje Invensas, podružnica Tessere, je razvilo nov način zlaganja pomnilniških čipov na tablice pomnilnika, s čimer obljubljajo visoko povečanje gostote pomnilnika (večja kapaciteta na ploščico), nižjo obratovalno napetost in porabo energije, manj segrevanja in v končni fazi hitrejši pomnilnik.

Za razliko od konvencionalnih pomnilniških ploščic, kjer so čipi postavljeni eden ob drugem, je Invensas razvil sistem zlaganja enega nad drugega. Čeprav bi na prvi pogled pomislili, da bo hlajenje tovrstnih čipov težavnejše, to ne bo nujno problem. Povezave med njimi so namreč mnogo krajše kot sicer, kar omogoča delovanje z nižjo napetostjo in posledično nižjo porabo energije....

X-Bit Labs - Višanje gostota pomnilnika oz. katerekoli računalniške tehnologije ima več bistvenih prednosti za potrošnike: pri enaki količini oz. zmogljivosti je poraba manjša, za enako količino oz. zmogljivost čip zasede manj prostora ter je obenem cenejši za izdelavo. Posledično smo dobili Moorov zakon, ki veleva podvojitev zmogljivosti računalnikov in drugih podobnih sistemov (mobilnih telefonov) na vsaki dve leti. Temu trendu bo sledil Samsung s predstavitvijo 4-gigabitnih pomnilniških jeder za mobilne naprave, ki jih bodo uporabljali v obliki LPDDR2 (LP pomeni low power) čipov. Nova jedra bodo izdelana v 30 nm-proizvodnem procesu ter bodo zamenjala stara...

AnandTech - Intel in Micron, ki sta že leta 2006 ustanovila skupno podjetje IMFT (Intel Micron Flash Technologies), sta s tehnološkimi napredki na področju pomnilnika Flash, ki je glavna komponenta pogonov SSD, nadvse agresivna. Lansko leto je bilo v znamenju pomanjšanja pomnilniških čipov na 34 nm, s katerimi so že predstavili Intelovo (težavno) drugo generacijo SSDjev, medtem ko bomo že pred koncem letošnjega leta ugledali že napovedane 600-gigabajtne SSDje. Ti so namreč tesno povezani z naslednjim tehnološkim korakom, ki bo čipe pomanjšal na 20 do 30 nm. Skrivnosti ni več, saj bo proizvodnja potekala na 25 nm in bo Intelu ter Micronu omogočala izdelati 8-gigabajtni čip s približno enako površino, kot jo v 34 nm tehniki zaseda pol manj prostorno,...