Extremetech - Po večletnem razvoju in špekulacijah na internetu je Seagate predstavil disk, ki ima dvojno roko, na kateri so bralno-pisalne glave. Tak disk (dual-actuator) se v praksi obnaša, kot bi imeli dva diska v enem ohišju, saj lahko hkrati bere na različnih mestih na različnih ploščah. Novi disk Seagate Mach.2, ki še ni na voljo v široki prodaji, temveč zgolj izbranim strankam, tako dosega hitrosti do 524 MB/s oziroma dvakrat več od običajnih diskov. Tudi število operacij na sekundo je višje, in dosega 304 IOPS za branje in 384 IOPS za pisanje. Povprečen dostopni čas je 4,2 milisekunde, kar je primerljivo z drugimi disk. Logično, saj dva kompleta bralno-pisalnih glav ne pomenita, da bomo naključni podatek našli kaj hitreje.

Takšen disk je torej 2-krat hitrejši od enojnih, porabi pa zgolj 44 odstotkov več energije. Kapaciteta diska Mach.2 Exos 2X14 znaša 14 TB, plošče pa se vrtijo s 7200 obrati na minuto. Disk se priključuje prek vmesnika SAS 12Gb/s, saj bi klasični SATA že lahko...

Slo-Tech - Pred skoraj dvema letoma smo poročali o novi vrsti trajnega pomnilnika podatkov, ki sta ga razvila Intel in Micron ter poimenovala 3D XPoint. Sedaj imamo pred seboj prve komercialne izdelke, ki ga uporabljajo. Intel je predstavil nov SSD z imenom Optane in kapaciteto 375 GB, tekom leta pa sledijo še večji modeli.

Intel Optane SSD DC P4800X je v obliki kartice PCIe, trenutno na voljo s kapaciteto 375 GB in ceno 1520 dolarjev. V drugem četrtletju ga dobimo še v obliki U.2, še četrtletje pozneje pa s kapacitetama 750 GB in 1,5 TB. Glavna odlika pa seveda ni kapaciteta, temveč hitrost in odzivnost. Že ob napovedi 3D XPointa se je Intel hvalil, da je tisočkrat hitrejši od NAND-a, da imak krajše zakasnitve in da se ne iztroši. Sedaj vidimo, da trendi so takšni,...

Slo-Tech - Pogoni SSD, ki jih kupimo za domačo rabo, so običajno deklarirani za nekaj deset terabajtov zapisanih podatkov, preden naj bi se iztrošili. Na TechReportu od lanskega avgusta teče eksperiment, v katerem na šest SSD-jev zapisujejo ogromne količine podatkov in opazujejo, kdaj bodo odpovedali. Trenutno je preživelih polovica, vsi pa so zdržali bistveno dlje, kot so napovedovali proizvajalci.

Razlog za omejen rok trajanja pomnilniških celic v SSD-ju je nekoliko zamotan, v principu pa ga je moč razstaviti na dva prispevka. Po eni strani operacije branja in zlasti pisanja načenjajo fizično strukturo celic NAND-a, ki se počasi kvarijo, po drugi strani pa se pojavljajo zablodeli elektroni, ki ostajajo v celicah in znižujejo napetost. V teoriji je najbolj vzdržljiv (in tudi najdražji) SLC, kjer se v celico zapiše en bit podatkov, nekoliko manj MLC, kjer...

Slo-Tech - Spominski čipi NAND (flash) se že nekaj časa izdelujejo v 19 nm-tehnologiji izdelave, medtem pa je zmanjševanje litografije pri elektronskih pomnilniških čipih DDR težje. V Samsungu so zato toliko ponosneje najavili, da so uspeli zagnati množično proizvodnjo štirigigabitnih čipov DDR3 v 20 nm-tehnologiji.

Doslej so jih proizvajali v 25 nm-tehnologiji. Manjši čipi naj bi poskrbeli za 30 odstotkov višjo kapaciteto proizvodnje (število čipov na rezino) in 25 odstotkov nižjo porabo energije. Kljub temu da je zmanjševanje velikost čipov DRAM težje, saj celica vsebuje tako tranzistor kot kondenzator, medtem ko imajo celice v NAND-u le kondenzator, Samsung načrtuje nadaljnje zmanjševanje litografije.

Trenutno uporabljajo laser argonovega...

Slo-Tech - Intelu je na internet ušel - namenoma ali ne niti ni pomembno - načrt za izdajo SSD-jev v prihodnjem letu. V njem lahko preberemo, da Intel v letu 2014 načrtuje izdajo treh novih družin SSD-jev in dokončen prehod na 20 nm-tehnologijo izdelave.

Prve SSD-je v 20 nm iz Intela smo dobili že lanskega oktobra (SSD 335), a je šlo za modele, namenjene domači uporabi. Pri zmanjševanju litografije je namreč čedalje teže poskrbeti, da elektroni ne uhajajo iz celic tja, kamor ne bi smeli. Pri večnivojskih celicah (MLC) je to še težje storiti, zato so bili doslej nekateri strežniški modeli enonivojski (SLC), medtem ko doma to zaradi visoke cene ni prišlo v poštev. Intel pa je očitno prepričan, da so...

ComputerWorld - Potem ko je Intel ravnokar predstavil novo generacijo SSD-jev v 25 nm, sta Intel in Micron napovedala, da bosta še do konca letošnjega poletja predstavila nove čipe za pogone SSD, ki bodo izdelani v 20 nm-tehnologiji. Bliskovni pomnilnik v 25 nm je bil premierno predstavljen pred približno letom dni, sedaj pa se napoveduje že manjša litografija. Intel in Micron skupaj razvijata nove, manjše vrste bliskovnega pomnilnika za SSD v podjetju IM Flash Technologies (IMFT).

Intel pojasnjuje, da se počasi že bližajo omejitvam zaradi fizikalnih zakonov. Ko so SSD-je proizvajali v 50 nm, je lahko skoraj vsak izdelovalec polprevodniških čipov zvaril svojega, sedaj pa je položaj ravno obraten, ugotavljajo. Primanjkuje namreč podjetij, ki imajo...

HotHardware - TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) in Globalfoundries (nekdanje AMD-jeve livarne) sta objavila načrte o razvoju svojih livarn v prihodnjih letih. TSMC pravi, da bodo letos v raziskave in razvoj vložili 700 milijonov dolarjev, kar je dvakrat več kot lani. V prihodnjih dveh letih bodo v povečanje svojih proizvodnih kapacitet vložili 7,8 milijarde dolarjev, s čimer naj bi le-te povečali za petino. Sem sodi tudi nova Fab 15 v Tajčungu na Tajvanu, ki je v izgradnji od lanskega julija in bo nared prihodnje leto ter bo omogočila proizvodnjo 100 tisoč silicijevih rezin na mesec.

Razlogi za povečevanje kapacitet so hitra rast trga mobilnih naprav (pametni telefoni, netbooki, tablični računalniki ipd.), kjer je TSMC že lani ustvaril 47 odstotkov svojih prihodkov, medtem ko so prihodki od...

AnandTech - Anandtech se je uspel prebiti do nekoliko več podrobnosti o tretji generaciji Intelovih polprevodniških pogonov, ki bodo v trgovinah v prvi četrtini prihodnjega leta. Njihovo kodno ime bo Postville Refresh, medtem ko bo tržno ime še vedno X25-M, kot je že od samega začetka leta 2008. Zgrajeni bodo v 25 nm-tehnologiji večceličnega NAND-bliskovnega pomnilnika(MLC NAND flash). Na voljo bodo v kapacitetah 80, 160, 300 in 600 GB, brali bodo z 250 MB/ in pisali s 170 MB/s, s čimer bodo konkurenca Crucialovim RealSSD C300 in SandForceovim SF-1200. Zdržali naj bi zapis od 30 do 60 TB podatkov brez obrabe.

Poglejmo še novosti, ki jih prva in druga generacija nista imeli. Prva je predpomnilnik, ki ga Intel...

X-Bit Labs - Intel si na vse pretege prizadeva odrezati si čim večji kos pogače na trgu SSD-jev. Zato ni presenetljivo, da glasno ponujajo ali pa napovedujejo novosti. Sedaj obljubljajo, da bodo do konca leta korenito zvišali kapacitete SSD-jev. Elitna družina X25-E se bo poredila do 400 GB, medtem ko plebejska verzija X25-M dobila predstavnike vse do 600 GB.

Prvo družino bo dopolnila vrsta SSD-jev s kodnim imenom Lyndonville, ki bodo na voljo v kapacitetah 100, 200 in 400 GB, s čimer bodo dostojna zamenjava za 32 GB in 64 GB X25-E. Izdelani bodo iz MLC-flash pomnilnika v 34 nm-tehnologiji, medtem ko so obstoječi iz SLC-flasha in v 50 nm.

Cenejšo inačico X25-M bodo okrepili s SSD-ji s kodnim imenom Postville Refresh, ki bodo prav tako grajeni iz MLC-flasha. Novi modeli bodo v velikostih 160, 300 in 600 GB, medtem ko bodo tanki X18-M za prenosnike v velikostih 160 in 300 GB. O cenah še ni podatkov, dobavljivi pa bodo v zadnjem četrtletju tega leta. Če ne bodo preveč zasoljene, utegniti biti to...

EETimes - Intel in Hitachi sta objavila, da bosta začela sodelovati pri razvoju nove linije SSD-jev za strežnike in delovne postaje, ki bodo uporabljali SAS (Serial Attached SCSI) in FC (Fibre Channel). Za to se se odločili, ker je trg na tem področju manj nasičen kot na področju SATA SSD-jev, kjer moči meri že kar nekaj proizvajalcev (med drugim tudi Intel). Intel bo svoje znanje izkoristil pri izdelavi diskov in flash čipov ter tehnologijo krmilnikov SATA, Hitachi pa bo pod svojim imenom nove diske tržil, izdelal SAS in FC-vmesnike in Intelu pomagal načrtovati krmilnike.

Novi izdelki bodo namenjeni sistemom, ki zahtevajo visok IOPS nad 50.000 pri naključnem branju, medtem ko Intelovi trenutni SATA-diski zmorejo 35.000 IOPS pri pisanju in 3.300 pri branju. Uporabljali bodo enonivojske celice flash čipov (NAND SLC), na voljo pa bodo v velikostih od 50 do 700 GB. Prve primerke lahko OEM-proizvajalci pričakujejo konec leta 2009, masovno prodajo pa leta 2010.