vir: AnandTech
Če primerjamo tehnologiji 3D pomnilnika Samsunga in Intela, potem vidimo, da Samsung pripravlja 86-gigabitno (dobrih 10 GB) jedro, sestavljeno iz 32 plasti. V prototipni fazi so pripravljali 128-gigabitno, 24-plastno jedro, a so se kasneje odločili zmanjšati površino jedra na približno dve tretjini prototipnega. Tranzistorji so izredno majhni, torej dodatnih 8 plasti višine ne igra bistvene vloge pri dimenzijah čipa, a bi se dodatnih 50 % površine vseeno izkazalo za slabost. IMFT svoj pomnilnik uporablja skorajda izključno v pogonih SSD, kjer površina ni takšen problem, medtem ko Samsung pokriva tudi druga področja pomnilnika, npr. pomnilniške kartice microSD pa so zelo občutljive, ko pride do velikosti pomnilniških čipov - prostor je zelo omejen. Obenem Samsung za doseganje enake kapacitete pogona SSD pri uporabi manjših jeder potrebuje večje število čipov, kar pri manjših kapacitetah ugodno vpliva na hitrost pogona. Ti so namreč najhitrejši, ko ima krmilnik zapolnjene vse kanale, teh je na krmilnikih za končne uporabnike običajno osem.
Mnogo podatkov o Intelovi rešitvi še vedno nismo videli, o sami arhitekturi bodo na AnandTechu v kratkem pripravili podrobnejši prispevek, kjer bomo morda nekaj več izvedeli tudi o uporabljeni litografiji, o vzdržljivosti ter morda tudi o pričakovani dobavljivosti čipov. A vseeno izpostavljajo, da bo pred Intelovo dobavljivostjo 256-gigabitnega 3D čipa najverjetneje že dobavljiv Samsungov 48-plastni, 128 Gb čip.