Samsung - Samsung je sporočil, da so začeli serijsko proizvodnjo prvih osemgigabitnih pomnilniških čipov LPDDR4, ki jih je JEDEC standardiziral avgusta letos. V razvoju so bili seveda že pred sprejemom končnega standarda; pred natanko letom dni je imel namreč Samsung že delujoče primerke čipov.

Novi čipi so proizvedeni v 20 nm-tehnologiji, kar omogoča nižjo porabo energijo, manjše segrevanje, večjo gostoto in posredno tudi doseganje višjih taktov. Povejmo, da LP pomeni low power in označuje tip pomnilnika, ki je primeren za uporabo v mobilnih in drugih napravah, kjer je poraba električne energije nadvse pomembna. Poznamo ga tudi pod oznako Mobile DDR (mDDR).

V primerjavi s prejšnjim standardom LPDDR3 prinašajo novi čipi višjo frekvenco delovanja...

ComputerWorld - IBM je objavil, da so dosegli pomemben preboj pri razvoju pomnilniške tehnologije PCM (phase-change memory, pomnilnik na fazni prehod), ki bo omogočila podvojitev kapacitete pomnilnika in neposrednejši spopad z bliskovnim pomnilnikom, katerega konkurenco predstavlja. Glavni odliki pomnilnika PCM sta hranjenje podatkov tudi brez napajanja (non-volatile, podobno kakor bliskovni pomnilnik in nasprotno kot RAM) in možnost prepisa podatkov brez predhodnega brisanja (podobno kakor RAM in nasprotno kot bliskovni pomnilnik), kar se pozna kot tudi 100-krat hitrejše pisanje na nesveže pogone.

Prav cikli brisanja in pisanja utrujajo bliskovni pomnilnik, ki tipično zmore 5000 do 10000 ciklov, preden se iztroši. IBM pravi, da PCM...

X-Bit Labs - Samsung je včeraj začel z masovno proizvodnjo popolnoma svežega in hitrejšega bliskovnega pomnilnika. Gre za 64-gigabitne čipe (8 GB), izdelane s postopkom izdelave med 20 in 29 nm (točen podatek ni znan), ki svoje pohitritve prinašajo tudi zaradi uporabe novega tipa vodila. Gre za drugo generacijo DDR, s katero se prenosi med čipom in krmilnikom vršijo z vse do 400 Mbps, v primerjavi s 133 Mbps, kolikor doseže vodilo DDR 1.0 za bliskovni pomnilnik NAND, oz. v primerjavi z vsega 40 Mbps, kolikor doseže vodilo SDR, ki je dandanes najbolj popularno.

Sama arhitektura pomnilnika je tipa MLC, torej vsaka celica shranjuje večje število bitov, a še ni znano, če to pomeni 2 oz. nekoliko gostejše 3 bite na celico. Bolj verjetna je uporaba zapisa dveh bitov na celico, saj naj bi bili novi čipi namenjeni ne le za mobilne telefone in tablične...

X-Bit Labs - Medtem ko Intel in Micron pripravljata 20 nm-tehnologijo za izdelavo bliskovnega pomnilnika, je Toshiba naznanila, da je končala razvoj 19 nm-tehnologije. Razvoj je končan, z njeno uporabo pa so izdelali že prve primerke 64-gigabitnih bliskovnih NAND-čipov. Kasneje bodo predstavili še izdelke, ki bodo imeli v eni celici lahko zapisane tri bite in ne le dveh, kot je to običaj v trenutnih MLC-čipih.

Ti dosežki bodo Toshibi omogočili proizvodnjo manjših čipov, ki bodo spričo tehnologije Toggle DDR2.0 tudi hitrejši. Tako bomo verjetno kmalu dobili tudi pametne telefone s kapaciteto 128 GB, saj je Toshiba stlačila 16 čipov v eno ploščico. Prve delujoče primerke bo javnost dobila že konec meseca, medtem ko se bo...

AnandTech - Prvi pogoni z IMFT-jevim 25 nm bliskovnim pomnilnikom so komaj prispeli na testne mizice in na police trgovin, ko Intel in Micron, partnerja pri IMFT (Intel Micron Flash Technologies), že predstavljata novo pomanjšanje. Tokrat bo prehod nekoliko manjši, kot s 34 na 25 nm, saj bo pomanjšanje veliko vsega 5 nanometrov na 20 nm-proizvodni proces. Prvi primerek, 8-gigabitno jedro, so izdelali v IMFT-jevi tovarni v Lehiju v zvezni državi Utahu, medtem ko bo masovna proizvodnja na 20 nm potekala še v tovarnah v ameriški Virginiji (Manassas) ter v Singapurju, ko bodo tovarni opremili za proizvodnjo 20 nm čipov (potrebne so manjše predelave proizvodne linije).

Končnih izdelkov sicer ne bomo videli še okroglo leto (proizvodni...

ComputerWorld - Potem ko je Intel ravnokar predstavil novo generacijo SSD-jev v 25 nm, sta Intel in Micron napovedala, da bosta še do konca letošnjega poletja predstavila nove čipe za pogone SSD, ki bodo izdelani v 20 nm-tehnologiji. Bliskovni pomnilnik v 25 nm je bil premierno predstavljen pred približno letom dni, sedaj pa se napoveduje že manjša litografija. Intel in Micron skupaj razvijata nove, manjše vrste bliskovnega pomnilnika za SSD v podjetju IM Flash Technologies (IMFT).

Intel pojasnjuje, da se počasi že bližajo omejitvam zaradi fizikalnih zakonov. Ko so SSD-je proizvajali v 50 nm, je lahko skoraj vsak izdelovalec polprevodniških čipov zvaril svojega, sedaj pa je položaj ravno obraten, ugotavljajo. Primanjkuje namreč podjetij, ki imajo...

Reuters - Trije veliki proizvajalci polprevodnikov Intel, Toshiba in Samsung bodo združili moči in ustanovili razvojno zavezništvo, v katerem bodo složno razvijali bliskovni pomnilnik. Zastavili so si smel cilj, saj nameravajo do leta 2016 preiti na 10 nm-tehnologijo izdelave, medtem ko so komaj letos uvedli 20 nm. Konzorciju naj bi se pridružilo še nekaj podjetij, tako da bo v končni fazi sodelovala dobra deseterica.

Intel je največji svetovni proizvajalec čipov, Samsung in Toshiba pa sta prvi in drugi največji proizvajalec NAND-pomnilnika, kar priča o ogromnosti načrtovanega konzorcija. Pomagale bodo tudi vlade, saj naj bi japonsko ministrstvo za ekonomijo, trgovino in industrijo v razvoj primaknilo pet milijard jenov (45 milijonov evrov) ustanovnega kapitala oziroma polovico. Drugo polovico bodo priskrbela podjetja. Reuterjeva poročila so za zdaj še neuradna, saj Intel partnerstva ni želel potrditi, a neuradni viri zagotavljajo, da so že podpisali dogovor o sodelovanju.

PC World - Samsung je včeraj objavil, da so začeli proizvajati NAND-bliskovni pomnilnik v 20 nm-tehnologiji, ki v primerjavi s staro 30 nm nudi večje kapacitete in višje hitrosti. Skupaj bodo zlagali 32 gigabitne (4 GB) čipe vse do kapacitet 64 GB, ki bodo uporabne tako v pomnilniških karticah kot tudi pametnih telefonih. Glede na to, da je IMFT (podjetje v solastništvu Intela in Microna) v začetku letošnjega leta predstavil 25 nm-proizvodni proces, so to prvi obeti cenovne vojne. Samsung namreč obljublja 30-odstotno pohitritev in pocenitev izdelave.