8-gigabitno jedra bliskovnega pomnilnika, izdelanega v 20 nm-proizvodnem procesu
vir: AnandTechPrimerjava 34, 25 in 20 nm jeder (2 x 4 GB za 34 nm)
vir: AnandTechKončnih izdelkov sicer ne bomo videli še okroglo leto (proizvodni cikel IMFT-ja je med 15 in 18 meseci), saj bodo polno proizvodnjo, tako v količini kot v kvaliteti, v najboljšem primeru dosegli šele v drugi polovici letošnjega leta. Prehod na nov proizvodni proces bo prinesel znatno pomanjšanje samega jedra. V primeru 8 Gb jedra bo le-to na 20 nm merilo 118 mm2, medtem ko enako jedro v 25 nm postopku meri 167 mm2. Pri Anandtechu so na sliki dodali še dve 4 Gb jedri, da bi prikazali velikostno razliko s 34 nm izdelki, ki niso bili nikoli izdelani v večjih kapacitetah. Vzdržljivost 20 nm čipov naj bi bila z dozorevanjem proizvodnega procesa praktično enaka 25 nm različicam, torej lahko pričakujemo med 3.000 in 5.000 zapisi na celico, ki je enaka 34 nm pomnilniku, a znatno manjša od 10.000 zapisov 50 nm pomnilnika.
Pri IMFT so izpostavili, da z manjšim jedrom lahko pričakujemo še kompaktnejše pakiranje čipa, ki bo izdelovalcem prenosnih naprav omogočalo optimizacijo velikosti nekaterih komponent, npr. povečanje baterije.