Uporabili so monokristal silicijevega karbida, ki je ustrezno dopiran tudi dobro poznan polprevodnik. Ugotovili so, da je silicijeve atome s površine mogoče selektivno odpariti, tako da na površini ostane en atom debela plast samih ogljikovih atomov - grafen. Samo po sebi to ni dovolj, a je mogoče atome jedkati v ustrezni atmosferi (navadni ali reduktivni) in tako pripraviti različne pasove grafena, ki se vedejo kot običajni priključki tranzistorja (torej gate, drain, source). Rezultat je delujoč tranzistor.
Trenutna izvedba je demonstracija koncepta, tako da ima sicer popolnoma delujoči tranzistor gigantske mere. Meri približno 100.000 nm, kar je neprimerljivo s trenutnimi silicijevimi tranzistorji. Zato je tudi nemogoče oceniti, koliko hitrejši bi bil ob primerljivi velikosti. Sedaj je treba te tranzistorje le še pomanjšati. O odkritju poročajo v Nature Communications.
