Slo-Tech - Ranljivost rowhammer, ki so jo raziskovalci na Carneige Mellon University odkrili predlani in za katero je Google praktično izvedbo pokazal lani, napada tudi pomnilniške čipe DDR4 in DDR3 z ECC. Doslej so ti veljali za odporne, a nove raziskave to demantirajo, so povedali na konferenci Semicon China.

Gre za zanimivo ranljivost, kjer programsko izkoriščamo pomanjkljiv fizični dizajn, ki je posledica miniaturizacije čipov. Ob večkratnem zaporednem dostopu do nekega mesta v pomnilniku (hammering) se namreč z neko verjetnostjo zgodi, da to spremeni bite v sosednjih celicah. To pa ni nujno, da povzroči lahko opazne posledice, kot je zrušitev sistema oziroma ponovni zagon. Kot je pokazal Google lani, je mogoče na ta način z eskalacijo privilegijev pridobiti dostop do...

BBC - Afera Dieselgate o Volkswagnovem goljufanju pri emisijah dušikovih oksidov, ki se še vedno ni polegla, je odprla Pandorino skrinjico. Postalo je jasno, da je velika pomanjkljivost standardiziranih testov vseh naprav prav - standardizacija. Resda omogoča primerljivost, a po drugi strani lahko proizvajalci svoje naprave optimizirajo na te teste in pri tem včasih prestopijo mejo legalnega, čeprav potem raba v resničnem življenju s testi nima veliko skupnega. Evropska komisija zaradi suma sorodnega goljufanja preiskuje proizvajalce televizorjev, poroča BBC.

Povod za preiskavo so izsledki dveh študij, ki kažejo sumljivo znižanje porabe električne energije po začetku predvajanja standardiziranega testnega posnetka. V eni izmed študij so odkrili, da Samsungovi...

Wccftech.com - Nedavno smo podali specifikacije, s katerimi se bo ponašal Haswell-E. Gre za najbolj zahtevnim uporabnikom in strežniški uporabi namenjeno arhitekturo, ki bo verjetno kot prva podprla DDR4 kot pomnilniški standard. Vprašanje na mestu je torej, kdaj lahko pričakujemo podobno na namizju. Izkaže se, da približno leto za Haswell-E. Slednji namreč izide čez dobro leto (Ivy Bridge-E prihaja v začetku letošnje jeseni, Haswell-E verjetno leto kasneje), medtem ko bo vsaj na Intelovi strani namizna platforma podporo za DDR4 dobila šele z arhitekturo Skylake. Slednja je v Intelovem programu Tick-Tock na enakem mestu kot Haswell, torej je Tock.

Gre namreč za novo arhitekturo na starem, 14 nm procesu, katere predhodnik bo Broadwell, na 14 nm pomanjšan Haswell. Broadwell najverjetneje lahko pričakujemo čez približno leto dni, a se pričakuje, da bo namenjen le za prenosnike ter za nekatere...

X-Bit Labs - Pri X-Bit Labs poročajo, da se je cena pomnilnika tipa DDR-3, praktično edinega v uporabi v osebnih računalnikih ta trenutek, v vsega dveh tednih povišala za vsaj 15 %. Povišanje cene velja za 4 GB module z delovno frekvenco 1600 MHz, medtem ko se je manjšim, 2 GB modulom cena povišala za kar 25 %. Vzrok za to naj bi se skrival predvsem v kitajskih proizvajalcih mobilnih naprav (tablice, mobiteli), ki namesto namenskega, LPDDR2 oz. LPDDR3 pomnilnika (LP pomeni low power, torej še varčnejše izvedenke) uporabljajo kar običajen DDR3 pomnilnik. Poraba naprave se s tem poviša, avtonomija jasno pade, a pade tudi cena naprave, kar je v tem segmentu trga zelo pomembno. Večji potrebi po...

X-Bit Labs - Pri Hynixu so objavili, da so končali z razvojem svojih pomnilniških čipov za standard DDR4. Čipi, izdelani s 30 nm-proizvodnim procesom, bodo od predhodnikov jasno hitrejši in varčnejši obenem. Pripravili so 2-gigabitne pomnilniške čipe in SODIMM modul s kapaciteto 2 GB, ki podpira preverjanje napak v zapisu (ECC) in bo namenjen predvsem vgradnji v kompaktne sisteme. Ta deluje pri 2.400 MHz, kar je 80 % več od trenutno najhitrejšega modula SODIMM na standardu DDR3, ki teče pri vsega 1.333 MHz. Prenos pri tej frekvenci in pri 64-bitnem pomnilniškem vodilu (en pomnilniški kanal) bo dosegel kar 19,2 GB/s.

Za varčnost bo poleg finejšega proizvodnega procesa poskrbljeno še z nižjo standardno napetostjo, v...

ComputerWorld - Medtem ko se pomnilnik DDR3 nezadržno ceni, proizvajalci že razvijajo njegovega naslednika. Vodstvo je prevzel Samsung, ki je izdelal prve tablice pomnilnika DDR4, ki je po besedah proizvajalca dvakrat hitrejši od predhodnika. V 30 nm-tehnologiji izdelani čipi porabijo do 40 odstotkov manj energije od sedanjih pomnilniških čipov in omogočajo delovanje s hitrostmi 2,13 gigabita na sekundo.

Pomnilnik se napaja z 1,2-voltno napetostjo, kar je tudi glavni razlog za nižjo porabo električne energije. Uporablja tudi novo tehnologijo Pseudo Open Drain (POD), ki je še en varčevalni mehanizem in se rabi pri zapisu ali branju podatkov. Samsung je dejal, da so konec leta prve tablice posredovali izdelovalcem pomnilniških krmilnikov na testiranje, z JEDEC-om pa naj bi DDR4 standardizirali v drugi polovici...

X-Bit Labs - Združenje JEDEC je objavilo nov standard DDR3L, ki omogoča zmanjšanje porabe energije v prenosnikih, namiznih računalnikih, strežnikih, omrežnih sistemih in drugih izdelkih, ki uporabljajo pomnilnik. DDR3L pomeni double data rate 3 low voltage in vpeljuje delovanje pri napajalni napetosti 1,35 V za razliko od dosedanjih 1,50 V. Na ta način bodo moduli DDR3L porabili 15 odstotkov manj energije od klasičnih DDR3 in kar 40 odstotkov manj od generacijo starejših DDR2. Nove naprave s podporo za DDR3L bodo nazaj združljive z DDR3, a vse ne bodo delovale pri obeh napetostih.

PC World - Micron v sodelovanju s svojim partnerjem pri izdelavi pomnilniških čipov, tajvansko Nanyo, raziskuje izdelavo čipov v 20 nm-proizvodnem procesu, kar bi jih lahko poneslo v tehnološko prednost pred največjim konkurentom na področju pomnilnika, Samsungom. Slednji svoje proizvodne linije že nadgrajuje na 30 nm-proizvodni proces, ki so po njihovih besedah v primeru 2-gigabitnih DDR III čipov (iz njih se lahko npr. izdela 4-gigabajtne pomnilniške palčke) 30% bolj učinkoviti od primerljivih čipov, izdelanih v 50 nm-proizvodnem procesu. Obenem je cena izdelave 50 nm čipov dvakrat višja od 30 nm...

engadget - Samsung je končno izdelal prve pomnilniške kartice s 30 nm proizvodnim procesom, kar je obljublja že od leta 2007. Takrat so povedali, da pričakujejo 128 GB pomnilniško kartico v vsaki digitalni kameri, a to zaenkrat še ne bo možno. Čeprav je 30 nm proizvodni proces omogočil prestop magične meje 16 GB, se je zaenkrat kapaciteta ustavila že pri 32 GB. Kartice te velikosti, skupaj s 16, 8 in 4 GB, so že v proizvodnji, datum dobavljivosti pa še ni znan.

Novica očitno velja za SD in podobne kartice majhnih dimenzij.

The Register - Samsung je predstavil prvi trdi disk iz nove serije F2EG, ki nosi ime 1.5 TB EcoGreen F2EG. Poldrugi terabajt prostora je proizvajalec priskrbel z uporabo treh 500 GB-plošč. Na vprašanje, zakaj niso izdali dvoterabajtnega modela, kot je s podobno tehnologijo na štirih ploščah storil Western Digital, so odgovorili, da so lahko tako izdelali bolj zeleni disk. Trdijo, da F2EG porabi 40 odstotkov manj energije energije v mirovanju in 45 odstotkov pri pisanju oz. branju. Poleg tega se disk hitreje zažene, je zanesljivejši in tišji, dodajajo. Družina diskov F2EG se vrti s 7200 obrati na minuto, uporablja trigigabitni priklop SATA in poseduje 16 ali 32 MB predpomnilnika. Omenjeni model stane 149 dolarjev, na voljo pa bosta tudi terabajtni in polterabajtni.

X-Bit Labs - Čeprav je pomnilnik DDR II šele v začetku proizvodnje, je združenje JEDEC že pričenja z delom na specifikacijah za DDR III. Le-ta naj bi se na policah prikazal leta 2006.