Samsung pripravlja 3D pomnilnik: V-NAND
Pot to V-NAND-a
vir: AnandTechAnandTech - Manjšanje proizvodnega procesa že pod 20 nm je skupaj z zapisovanjem več bitov v eno celico omogočilo, da so SSD-ji v vsega nekaj letih postali izredno dostopni. A prav ta tehnologija, ki omogoča nižjo ceno, obenem zahteva daljše programabilne čase (to znižuje hitrost) in močno zniža vzdržljivost posamezne celice. V industriji se govori, da bomo pri klasičnih NAND pomnilnikih videli še eno manjšanje med 10 in 20 nm, morda dve, potem pa bomo tehnološko rezervo izkoristili. Proizvajalci seveda ne počivajo, saj razvijajo alternativne tehnologije, ki bodo omogočile nadaljevanje Moorovega zakona, tako z izboljšavami klasičnega NAND-a (preverjanje napak celice, pomnjenje le-teh in njihovo...