Izdelava procesorjev

Pa se v povezavi s prvim vprasanjem: Kaksno zvezo imajo mikroni v imenu procesa izdelave? (recimo v 13u tehnologiji....)

Nism sigurn ampak men se zdi da je to velikost enega tranzistorja, zdej pa računi kolk je to pr 100 mio. tranzistorjev

Pri vsem tem me je najbolj presenetilo dejstvo, da od prvega pranje v kemijski rastopini in do distribucijskega centra procesor rabi štiri mesece.

Hm, tle maš eno stran, kjer je razloženo par stvari o polprevodnikih, vključno z postopki. http://britneyspears.ac/lasers.htm. Drugače pa tko, na hitro povedano: vzamejo substrat p tipa, gor naredijo epitaksijo (tanko plast) n tipa, čez nanesejo oksid, vanj izjedkajo odprtine, potem pa v pečeh dopirajo, da pod odprtinami spremenijo polprevodnik v p tip. In tako naprej, dokler ni gotovo. Drugače je pa tu še en pdf, v katerem je to dosti nazorno prikazano.

Pa se v povezavi s prvim vprasanjem: Kaksno zvezo imajo mikroni v imenu procesa izdelave? (recimo v 13u tehnologiji....)

Nism sigurn ampak men se zdi da je to velikost enega tranzistorja, zdej pa računi kolk je to pr 100 mio. tranzistorjev

Ko bodo celi tranzistorji veliki 0.13 um (mikrometrov), potem bodo po moje procesorji že veliko hitrejši od današnjih.

0.13 mikrometrov meri najmanjša povezava (lahko povezava, širina kanala MOS tranzistorja... itd), celotni tranzistorji so pa precej večji od 0.13 mikrometra. Po domače bi lahko rekli, da ta tehnologija izdelave omogoča 0.13 mikrometersko ločljivost.


U bistvu neke težke skrivnosti tu ni. Cel postopek je pač povsem enak za vse polprevodniške elemente. Razlike so samo v različnih končnih dizajnih in mogoče še kakih izpopolnitvah, ki jih vsako podjetje, ki dela polprevodnike, skriva zase.

Kot prvo je je treba narediti silicijeve ingote. V posebnih pečeh se topi silicih in na koncu pride ven dobesedno hlod silicija (premer 20 ali 30 cm, dolžine do 6 metrov). Ta silicij je ponavadi kar intrinsični (čisti silicij brez primesi). Lahko se tudi že med samim postopkom formiranja ingota dodajo dopanti, ki določijo kakega tipa bo silicij (N ali P). Potem se ta "hlod" razreže z diamantno žago na rezine željene debeline (kak milimeter ali dva). Po rezanju je treba rezino spolirat do visokega sijaja, da se izločijo vse praske in nepravilnosti. Po tem sledi nanašanje silicijevega oksida, osvetljevanje plošče z masko in jedkanje odvečnega oksida. Po tem dobimo mesta na rezini, ki so prekrita z oksidom in mesta, ki nimajo oksida. Nato se v peči silicij dopira in tam, kjer ni oksida, se silicij spremeni v nasproten tip (iz N v P ali obratno). Potem se odjedka spet ves oksid in ponovno sledi nanašanje nove plasi oksida, osvetljevanje, jedkanje in ponovno v peč. Potem pa se to ponavlja tako dolgo, kolikor plasti pač želimo. Na koncu se zadnja plast oksida pusti in se vakuumsko naprši aluminij za kontakte (planarna tehnologija izdelave)