»

Micron predstavil 176-slojni 3D NAND čip

krmilno vezje se nahaja pod skladom pomnilniških celic

vir: Micron
Micron - V Micronu skušajo v srditi tekmi proizvajalcev pomnilniških vezij NAND flash nase opozoriti s kosom silicija z rekordnim številom plasti, saj ga ima najnovejša, peta generacija njihovega 3D NANDa, kar 176. Predvsem pa gre za tehnologijo, s katero se podjetje namerava rešiti zapuščine sodelovanja z Intelom.

V preteklem desetletju sta se v zasnovi pomnilniških vezij vrste NAND flash, ki so jedro pogonov SSD in pomnilniških kartic, pripetila dva ključna premika. Najprej vertikalno nizanje plasti (3D NAND ali tudi V-NAND), nato pa prehod iz celic na osnovi plavajočih vratc (floating gate) na tiste s pastjo za naboj (charge trap). Obe spremembi sta bili v mnogočem povezani, saj je rast v višino s pristopom charged trap lažje izvedljiv, toda en igralec na trgu je 3D NAND vztrajno počel še s staro tehnologijo - partnerstvo Intela in Microna. Epilog slednjega poznamo: konec leta 2018 sta se firmi razšli in prejšnji mesec je Intel svoj oddelek prodal Hynixu. Micron se je tako podal na novo...

14 komentarjev

Zaradi presežne ponudbe NAND-a cene SSD-jev rekordno nizke

Ponudba prehiteva povpraševanje

EETimes - Medtem ko se v zadnjem času največkrat pridušamo zaradi visokih cen grafičnih kartic, ki po skokoviti rasti zaradi rudarjenja kriptovalut le počasi padajo, je bila pocenitev SSD-jev precej manj opazna. Lansko pomanjkanje čipov NAND je zamenjala presežna ponudba, kar je zbilo ceno. Analitiki iz TrendForce napovedujejo, da se bo v tretjem četrtletju cena NAND-a znižala še za 10 odstotkov, za prav toliko pa še v zadnjem kvartalu. Trend naj bi se nadaljeval tudi prihodnje leto..

V TrendForceu vidijo več razlogov, ki so se združili in povzročili previsoko ponudbe in neprodane zaloge čipov NAND. Prodaja pametnih telefonov se ne povečuje, kot so bili pričakovali, prodaja prenosnih računalnik stagnira, medtem pa se...

63 komentarjev

Konec razvoja navadnega pomnilnika NAND flash

ComputerWorld - Glede na intenzivni razvoj 3D NAND flasha, ki ga uporabljajo že vsi pomembnejši proizvajalci, prvi pa ga je uvedel Samsung, je bilo le vprašanje časa, kdaj se bo klasični planarni (2D) flash poslovil. Proizvodnja se sicer še ne bo ustavila, razvoja pa je konec, sporočajo vodilni v branži.

Končna litografija, do katere se je NAND flash splačalo zmanjševati, je 15 nm, pojasnjuje Toshibin podpredsednik za pomnilnik Scott Nelson. Teoretično je seveda mogoče iti še k manjšim elementom, kar je s 7-nm čipom dokazal IBM, a so pri flashu prednosti premajhne v primerjavi s podražitvijo. Še en veliki proizvajalec, Imec, je še lani napovedoval 13-nm tehnologijo, a so si sedaj premislili. Podobno je povedal tudi Scott DeBoer,...

10 komentarjev

Intel in Micron predstavila 1000-krat hitrejši trajni pomnilnik

Intel - Intel in Micron sta predstavila povsem novo tehnologijo hitrega trajnega pomnilnika, ki je po zatrjevanju proizvajalcev do 1000-krat hitrejši od polprevodniškega pomnilnika v današnjih SSD-jih in predstavlja prvo revolucijo po iznajdbi NAND-a leta 1989. Poimenovali so ga 3D XPoint (beri: [kɹɒspɔɪ̯nt], "cross-point"), kar je povezano z njegovo zgradbo.

Danes imamo drage in hitre pomnilnike, ki ne zmorejo dolgoročno hraniti podatkov (RAM), ter počasnejše in cenejše trajne pomnilnike (flash, diski). 3D XPoint premošča to vrzel, saj bo trajen in hiter, dasi vsaj spočetka nič kaj poceni. Prav...

18 komentarjev

3D-čipi zlezli že do 48 slojev

ComputerWorld - Toshiba je sporočila, da začenja proizvajati 3D-pomnilnik V-NAND flash, ki bo imel tranzistorje vertikalno naložene v 48 slojih. V posameznem bodo shranili dva bita podatkov (MLC), kar jim bo omogočilo izdelavo čipov s kapaciteto 128 Gb. S tem resno konkurirajo Samsungu, ki je lani jeseni predstavil 32-slojni flash. Toshiba je prvo tehnologijo na svetu, ki omogoča nanizati 48 slojev, poimenovala BiCS.

Bistvena razlika je v številu bitov v celici. Medtem ko je Samsung tja stlačil tri (TLC), se je Toshiba odločila za dva. To pomeni, da v obeh primerih čip shrani 128 Gb, a imajo Toshibini čipi nekaj prednosti, zlasti zanesljivost, dolgoživost ter tudi hitrost. Proizvajali jih bodo v tovarni številka dve v mestu Yokkaichi,...

29 komentarjev

Samsung povečal kapaciteto NAND flash čipa na 32 GiB

vir: CNet
CNet - Poleg na Slo-Techu že predstavljenega PRAMa je Samsung povečal še kapaciteto NAND flash pomnilniških čipov. 32 gibibajtni produkt je narejen s 40 nm tehnologijo (trenutno najmanjša v polprevodniški industriji) in vsebuje novejšo t.i. Charge Trap Flash arhitekturo, ki zavzema le petino velikosti dosedanje Floating Gate. Zaenkrat je moč tako narediti do 64 GiB veliko Compact Flash kartico, z izboljšavami in prehodi na 30 in 20 nm tehnološki proces pa načrtujejo še dodatno povečanje kapacitet. Nekaj tehničnih podatkov najdete na strani EE Times.

16 komentarjev