Slo-Tech - Tehnologijo CET (Control-Flow Enforcement Technology) sta Intel in Microsoft prvikrat predstavila že leta 2016, sedaj pa naposled prihaja v nove procesorje. Intel je včeraj potrdil, da bo nova serija Tiger Lake imela vgrajen CET, ki je namenjen preprečitvi delovanja tehnike ROP (return-oriented programming). Z njo zlikovci skušajo pretentati metode, kot sta Executable Space Protection ali ASLP. Te pa so bile v prvi vrsti postavljene, da bi zlonamerni kodi preprečili ciljano pisanje po pomnilniku, ki ji ne pripada. Igra mačke z mišjo se torej nadaljuje, kjer je bil ROP zadnji dosežek zlikovcev, zato sta Intel in Microsoft razvila ROP.

Kot pojasnjuje Alex Ionescu iz CrowdStrika, CET uvaja nov kontrolni sklad (control stack), ki ga napadalci ne morejo spremeniti in ki ne vsebuje nobenih podatkov. Namesto tega vsebuje naslove (return address) posameznih kosov kode, ki je v pomnilniku in bi jo z ROP lahko uporabili za izvedbo napada. CET zazna morebitne spremembe, zato lahko procesor...

Slo-Tech - Spominski čipi NAND (flash) se že nekaj časa izdelujejo v 19 nm-tehnologiji izdelave, medtem pa je zmanjševanje litografije pri elektronskih pomnilniških čipih DDR težje. V Samsungu so zato toliko ponosneje najavili, da so uspeli zagnati množično proizvodnjo štirigigabitnih čipov DDR3 v 20 nm-tehnologiji.

Doslej so jih proizvajali v 25 nm-tehnologiji. Manjši čipi naj bi poskrbeli za 30 odstotkov višjo kapaciteto proizvodnje (število čipov na rezino) in 25 odstotkov nižjo porabo energije. Kljub temu da je zmanjševanje velikost čipov DRAM težje, saj celica vsebuje tako tranzistor kot kondenzator, medtem ko imajo celice v NAND-u le kondenzator, Samsung načrtuje nadaljnje zmanjševanje litografije.

Trenutno uporabljajo laser argonovega...

Slo-Tech - Intelu je na internet ušel - namenoma ali ne niti ni pomembno - načrt za izdajo SSD-jev v prihodnjem letu. V njem lahko preberemo, da Intel v letu 2014 načrtuje izdajo treh novih družin SSD-jev in dokončen prehod na 20 nm-tehnologijo izdelave.

Prve SSD-je v 20 nm iz Intela smo dobili že lanskega oktobra (SSD 335), a je šlo za modele, namenjene domači uporabi. Pri zmanjševanju litografije je namreč čedalje teže poskrbeti, da elektroni ne uhajajo iz celic tja, kamor ne bi smeli. Pri večnivojskih celicah (MLC) je to še težje storiti, zato so bili doslej nekateri strežniški modeli enonivojski (SLC), medtem ko doma to zaradi visoke cene ni prišlo v poštev. Intel pa je očitno prepričan, da so...

X-Bit Labs - Samsung je včeraj začel z masovno proizvodnjo popolnoma svežega in hitrejšega bliskovnega pomnilnika. Gre za 64-gigabitne čipe (8 GB), izdelane s postopkom izdelave med 20 in 29 nm (točen podatek ni znan), ki svoje pohitritve prinašajo tudi zaradi uporabe novega tipa vodila. Gre za drugo generacijo DDR, s katero se prenosi med čipom in krmilnikom vršijo z vse do 400 Mbps, v primerjavi s 133 Mbps, kolikor doseže vodilo DDR 1.0 za bliskovni pomnilnik NAND, oz. v primerjavi z vsega 40 Mbps, kolikor doseže vodilo SDR, ki je dandanes najbolj popularno.

Sama arhitektura pomnilnika je tipa MLC, torej vsaka celica shranjuje večje število bitov, a še ni znano, če to pomeni 2 oz. nekoliko gostejše 3 bite na celico. Bolj verjetna je uporaba zapisa dveh bitov na celico, saj naj bi bili novi čipi namenjeni ne le za mobilne telefone in tablične...

X-Bit Labs - Medtem ko Intel in Micron pripravljata 20 nm-tehnologijo za izdelavo bliskovnega pomnilnika, je Toshiba naznanila, da je končala razvoj 19 nm-tehnologije. Razvoj je končan, z njeno uporabo pa so izdelali že prve primerke 64-gigabitnih bliskovnih NAND-čipov. Kasneje bodo predstavili še izdelke, ki bodo imeli v eni celici lahko zapisane tri bite in ne le dveh, kot je to običaj v trenutnih MLC-čipih.

Ti dosežki bodo Toshibi omogočili proizvodnjo manjših čipov, ki bodo spričo tehnologije Toggle DDR2.0 tudi hitrejši. Tako bomo verjetno kmalu dobili tudi pametne telefone s kapaciteto 128 GB, saj je Toshiba stlačila 16 čipov v eno ploščico. Prve delujoče primerke bo javnost dobila že konec meseca, medtem ko se bo...

AnandTech - Prvi pogoni z IMFT-jevim 25 nm bliskovnim pomnilnikom so komaj prispeli na testne mizice in na police trgovin, ko Intel in Micron, partnerja pri IMFT (Intel Micron Flash Technologies), že predstavljata novo pomanjšanje. Tokrat bo prehod nekoliko manjši, kot s 34 na 25 nm, saj bo pomanjšanje veliko vsega 5 nanometrov na 20 nm-proizvodni proces. Prvi primerek, 8-gigabitno jedro, so izdelali v IMFT-jevi tovarni v Lehiju v zvezni državi Utahu, medtem ko bo masovna proizvodnja na 20 nm potekala še v tovarnah v ameriški Virginiji (Manassas) ter v Singapurju, ko bodo tovarni opremili za proizvodnjo 20 nm čipov (potrebne so manjše predelave proizvodne linije).

Končnih izdelkov sicer ne bomo videli še okroglo leto (proizvodni...

ComputerWorld - Potem ko je Intel ravnokar predstavil novo generacijo SSD-jev v 25 nm, sta Intel in Micron napovedala, da bosta še do konca letošnjega poletja predstavila nove čipe za pogone SSD, ki bodo izdelani v 20 nm-tehnologiji. Bliskovni pomnilnik v 25 nm je bil premierno predstavljen pred približno letom dni, sedaj pa se napoveduje že manjša litografija. Intel in Micron skupaj razvijata nove, manjše vrste bliskovnega pomnilnika za SSD v podjetju IM Flash Technologies (IMFT).

Intel pojasnjuje, da se počasi že bližajo omejitvam zaradi fizikalnih zakonov. Ko so SSD-je proizvajali v 50 nm, je lahko skoraj vsak izdelovalec polprevodniških čipov zvaril svojega, sedaj pa je položaj ravno obraten, ugotavljajo. Primanjkuje namreč podjetij, ki imajo...

AnandTech - Manjšanje proizvodnega procesa pri izdelavi pomnilniških čipov se seveda pozna v večji gostoti hrambe podatkov na njih, to pa neposredno pomeni ugodnejšo ceno za dano kapaciteto. Najbolj to občutimo pri pogonih SSD zaradi velikih kapacitet, a učinek seveda lahko enostavno prenesemo tudi na USB ključke ter pomnilniške kartice. A manjšanje procesa s seboj privede nekatere neželene posledice, predvsem nepopravljive napake v zapisu ter zmanjšano vzdržljivost. Ta sicer pada linearno, a pri Micronu je marketinški oddelek pokazal prosojnice, ki kažejo, da zahteva po popravljanju napaka pri prehodu na 25 nm v primerjavi s 34 nm naraste skokovito. Ta prehod doživljamo prav zdaj.

Prav zato so se...

PC Authority - Na internet je konec tedna pricurljal Intelov delovni načrt razvoja, proizvodnje in prodaje polprevodniških pogonov, po katerem si lahko obetamo pocenitve in večje kapacitete. Spomnimo, da sta Intel in Micron maja objavila prehod na 25 nm-tehnologijo izdelave NAND-čipov in obljubila razpolovitev cen. To se še ni zgodilo, a to ne pomeni, da sta podjetji lagali, saj pogonov z novimi čipi še ni na trgu.

Na shemi vidimo, da se bodo kapacitete Intelovih polprevodniških pogonov precej povečale. Trenutno družino X25-M bo še letos zamenjala nova družina s kodnim imenom Postville Refresh, katere člani bodo na voljo v kapacitetah 160, 300 in 600 GB. Zgrajeni bodo v novi 25 nm-tehnologiji (stari...

PC World - Samsung je včeraj objavil, da so začeli proizvajati NAND-bliskovni pomnilnik v 20 nm-tehnologiji, ki v primerjavi s staro 30 nm nudi večje kapacitete in višje hitrosti. Skupaj bodo zlagali 32 gigabitne (4 GB) čipe vse do kapacitet 64 GB, ki bodo uporabne tako v pomnilniških karticah kot tudi pametnih telefonih. Glede na to, da je IMFT (podjetje v solastništvu Intela in Microna) v začetku letošnjega leta predstavil 25 nm-proizvodni proces, so to prvi obeti cenovne vojne. Samsung namreč obljublja 30-odstotno pohitritev in pocenitev izdelave.

PC World - Micron v sodelovanju s svojim partnerjem pri izdelavi pomnilniških čipov, tajvansko Nanyo, raziskuje izdelavo čipov v 20 nm-proizvodnem procesu, kar bi jih lahko poneslo v tehnološko prednost pred največjim konkurentom na področju pomnilnika, Samsungom. Slednji svoje proizvodne linije že nadgrajuje na 30 nm-proizvodni proces, ki so po njihovih besedah v primeru 2-gigabitnih DDR III čipov (iz njih se lahko npr. izdela 4-gigabajtne pomnilniške palčke) 30% bolj učinkoviti od primerljivih čipov, izdelanih v 50 nm-proizvodnem procesu. Obenem je cena izdelave 50 nm čipov dvakrat višja od 30 nm...

AnandTech - Intel in Micron, ki sta že leta 2006 ustanovila skupno podjetje IMFT (Intel Micron Flash Technologies), sta s tehnološkimi napredki na področju pomnilnika Flash, ki je glavna komponenta pogonov SSD, nadvse agresivna. Lansko leto je bilo v znamenju pomanjšanja pomnilniških čipov na 34 nm, s katerimi so že predstavili Intelovo (težavno) drugo generacijo SSDjev, medtem ko bomo že pred koncem letošnjega leta ugledali že napovedane 600-gigabajtne SSDje. Ti so namreč tesno povezani z naslednjim tehnološkim korakom, ki bo čipe pomanjšal na 20 do 30 nm. Skrivnosti ni več, saj bo proizvodnja potekala na 25 nm in bo Intelu ter Micronu omogočala izdelati 8-gigabajtni čip s približno enako površino, kot jo v 34 nm tehniki zaseda pol manj prostorno,...