Samsung z 'DDR' flash pomnilnikom
TG Daily - Samsung se je pohvalil z dokaj velikim prebojem na področju NAND flash pomnilniških čipov, ki so dandanes vedno bolj popularni zaradi uporabe v SSD pogonih, mobilnih telefonih in pomnilniških karticah. Sploh pri cenovno ugodnejših SSD pogonih pogosto nekoliko trpi hitrost zapisovanja podatkov, čeprav je ta večinoma še vedno vsaj tako visoka, če ne višja, kot pri klasičnih, mehanskih trdih diskih. Hitrost zapisovanja se seveda lahko reši z uporabo SLC pomnilnika (v eno celico se zapiše le en bit), a je ta tako pregrešno drag, da je za običajnega uporabnika praktično nepomemben.
Edina rešitev je tako razvoj MLC pomnilniških čipov, ki v eno celico shranijo več bitov hkrati. Samsungov preboj pravzaprav že poznamo s področja delovnega pomnilnika, kjer je prinesel dvakrat višje hitrosti prenosov v obliki DDR pomnilnika. Tudi tukaj gre za enak princip, kjer podatke lahko zapisujemo (oz. beremo) pri dviganju in spuščanju frekvence, namesto le pri dviganju, kot je mogoče pri obstoječih...
Edina rešitev je tako razvoj MLC pomnilniških čipov, ki v eno celico shranijo več bitov hkrati. Samsungov preboj pravzaprav že poznamo s področja delovnega pomnilnika, kjer je prinesel dvakrat višje hitrosti prenosov v obliki DDR pomnilnika. Tudi tukaj gre za enak princip, kjer podatke lahko zapisujemo (oz. beremo) pri dviganju in spuščanju frekvence, namesto le pri dviganju, kot je mogoče pri obstoječih...