Okvara podatkov v DDR3 zaradi vpliva sosednjih celic
Slo-Tech - Raziskovalci s Carneige Mellon University (CMU) in iz Intelovih laboratorijev so ugotovili, da je večina pomnilniških modulov DDR3 ranljiva na tako imenovano row hammer napako (Intelov patentirani izraz). Gre za posledico dizajna in miniaturizacije pomnilniških celic na čipih in ne programsko ranljivost. Problem je poznan že nekaj časa, šele nedavno pa se je pokazala njegova razširjenost in možnost zlorabe za napade iz virtualk.
Za varnost računalniških sistemov je nujno potrebna učinkovita izolacija delov pomnilnika, ki so dostopni različnim procesom z različnimi privilegiji. Pri row hammer gre zato, da veliko število dostopov do iste vrstice (problematičen je ukaz activate, ki odpre vrstico) v kratkem času povzroči težave v sosednjih vrsticah (disturbance...
Za varnost računalniških sistemov je nujno potrebna učinkovita izolacija delov pomnilnika, ki so dostopni različnim procesom z različnimi privilegiji. Pri row hammer gre zato, da veliko število dostopov do iste vrstice (problematičen je ukaz activate, ki odpre vrstico) v kratkem času povzroči težave v sosednjih vrsticah (disturbance...