Slo-Tech - Tranzistorji so dandanes sestavljeni v glavnem iz silicija, ki mu polprevodniške lastnosti izboljšajo z dopiranjem z elementi z več ali manj elektroni (in dobimo n in p plast), ni pa to samoumevno. V preteklosti so jih izdelovali tudi iz germanija, še danes pa se za nekatere nišne uporabe izdelujejo tudi iz galijevih, arzenovih, indijevih, germanijevih in ogljikovih zvrsti. Obetaven kandidat je tudi indij-galijev arzenid (InGaAs), ki so ga že v preteklosti intenzivno preiskovali, a je širšo uporabnost preprečilo slabše delovanje v nizkem merilu. Moderni tranzistorji so namreč nanometrskih dimenzij.

Raziskovalci z MIT so pokazali, da to poslabšanje ni vrojena lastnost materiala, temveč je posledica oksidnih ionov. InGaAs ima številne zaželene lastnosti, zaradi katerih je dober kandidat za izdelavo tranzistorjev. Omogoča hitro preklapljanje tranzistorjev in delovanje pri nizkih napetostih, kar bi v praksi pomenilo doseganje višjih frekvenc in zmanjšanja porabe električne energije....

Extremetech - Že precej časa nismo pisali o prebojih na področju grafena, za katerega njegovi raziskovalci verjamejo, da bo v prihodnosti zaradi svojih lastnosti - kot so visoka električna in toplotna prevodnost ter trdnost - nadomestil kopico materialov, tudi silicij v čipih. Sedaj je Samsung sporočil, da je njihov SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology) v sodelovanju z Univerzo Sungkyungkwan odkril metodo za pripravo velikega monokristala (pravzaprav monoplasti) grafena, ki sede na čip.

Grafen, ki ga trenutno proizvajajo po svetu, ima več kristalnih rešetk. Sintetizirajo se majhni delci urejenega grafena, ki se potem naključno združijo v veliko plast grafena, kar pa poslabša električne in mehanske materiala, zaradi česar je manj primeren za komercialno uporabo.

...

Nature - Nemški raziskovalci so premagali še eno oviro na poti k tranzistorjem iz grafena, o katerih poslušamo zadnja leta in naj bi bili spričo domala čudežnih lastnosti grafena bistveno hitrejši od današnjih silicijevih. Ena večjih težav pri njihovi izdelavi je prevodnost grafena, saj je ta odličen prevodnik električnega toka in tako sicer v teoriji obljublja čipe s frekvencami prek 100 GHz, a žal ni polprevodnik (nima prepovedanega pasu ustrezne širine), ki jih potrebujemo za izdelavo tranzistorja. Znanstveniki s Friedrich-Alexandrove Univerze Erlangen-Nürnberg so iznašli postopek, ki omogoča ta problem obiti.

Uporabili so...

Extremetech - Znanstveniki iz Italije, Francije in ZDA so izdelali prva tranzistorja, ki sta zgrajena na osnovi iz bombažnih vlaken. Pripravili so jih dveh vrst: tranzistorje na poljski efekt (FET) in elektrokemične tranzistorje. O odkritju pišejo v reviji Organic Electronics.

Da so iz bombaža mogli izdelati tranzistorje, so morali najprej rešiti problem prevodnosti. Bombaž je odličen izolator, medtem ko za izdelavo tranzistorjev potrebujemo prevodni material in polprevodnike. Zvišanje prevodnosti so dosegli tako, da so bombažna vlakna prevleki s prevodnimi materiali. Najprej so nanje nanesli zlate nanodelce, nato pa še prevodni polimer (ti so že sami po sebi zelo zanimiva snov, za odkritje katere so leta 2000 podelili Nobelovo...

Slo-Tech - IBM je v sodelovanju z Georgia University predstavil prve tranzistorje na Si-Ge, ki delujejo pri sobni temperaturi na 350 GHz, ohlajeni na 4.5K pa pridejo do 500 GHz !

Demonstracijsko vezje s testnim tranzistorjem, kot sem uspel razumeti iz novičke, ni nič posebnega, a to je le začetek, ki kaže na potenciale. Mimogrede, pri tej frekvenci je valovna dolžina signala največ 0,86 mm in to brez upoštevanja dielektričnih lastnosti Si-Ge, sicer verjetno še vsaj dvakrat manjša!

Proizvajalci pogosto uporabljajo enostavna testna vezja, s katerimi merijo frekvenčno karakteristiko tranzistorja. Te pri iskanju novih materialov in tehnik poskušajo "nafrizirati" na čim višje frekvence in rezultati jim dajejo dragocene podatke o lastnostih osnovnih gradnikov vezja v materialu-osnovi. IBM je že dolgo časa nazaj začel delati na Si-Ge kot zamenjavi za Ga-As, ki je bil opevan kot 10 krat hitrejši naslednik silicija, pa se ni prijel v široki uporabi zaradi drugih problemov, predvsem majhnih...

Hindustan Times - Tranzistorji so pravkar postali še hitrejši, saj so na univerzi v Illinoisu podrli svoj lastni rekord, ki je do sedaj znašal 509 gigahertzev (GHz). Novi rekord je za 57 GHz višji, torej 566 x 10⁹ nihajev (sprememb stanja) v sekundi.

Običajni tranzistorji so sestavljeni iz germanija in silicija, ti super-hitri, pa iz "indijevega fosfida in indij-galijevega arzenida". Da ne bom ustrelil kakšnega kozla pri prevajanju strokovnih izrazov iz angleščine, bo najbolje, da si (tisti, bolj fizikalno naravnani) sami ogledate, kaj jim to omogoča. Zanimiv je njihov cilj, ki so si ga postavili - izdelati teraherčen (1000 GHz) tranzistor. So že na polovici. [:D]