ComputerWorld - Toshiba je sporočila, da začenja proizvajati 3D-pomnilnik V-NAND flash, ki bo imel tranzistorje vertikalno naložene v 48 slojih. V posameznem bodo shranili dva bita podatkov (MLC), kar jim bo omogočilo izdelavo čipov s kapaciteto 128 Gb. S tem resno konkurirajo Samsungu, ki je lani jeseni predstavil 32-slojni flash. Toshiba je prvo tehnologijo na svetu, ki omogoča nanizati 48 slojev, poimenovala BiCS.

Bistvena razlika je v številu bitov v celici. Medtem ko je Samsung tja stlačil tri (TLC), se je Toshiba odločila za dva. To pomeni, da v obeh primerih čip shrani 128 Gb, a imajo Toshibini čipi nekaj prednosti, zlasti zanesljivost, dolgoživost ter tudi hitrost. Proizvajali jih bodo v tovarni številka dve v mestu Yokkaichi,...

X-Bit Labs - Po Hynixovi predstavitvi izredno hitrega in varčnega GDDR5 pomnilniškega čipa, izdelanega v 40 nm-proizvodnem procesu, je zdaj tudi Elpida povedala, da so začeli z izdelavo čipov s 40 nm razdalje med tranzistorji. Za razliko od Hynixa Elpida svoje čipe že izdeluje, še več, od prvih testnih primerkov v oktobru pa do začetka proizvodnje je trajalo le dva meseca. Čeprav tudi Elpida izdeluje 2-gigabitne čipe, tokrat govorimo o običajnem, delovnem pomnilniku računalnika standarda DDR3. S prehodom s 50 na 40 nm na eno silicijevo rezino spravijo kar 44% več čipov, za katere obljubljajo, do so prav vsi delujoči, tudi pri 1600 MHz. Podobno kot pri Hynixu je tudi tu velika prednost čipov energetska varčnost. Nekoliko jih sicer omejuje standard, ki je v primeru...

Expreview.com - SSDji so komajda postali popularni kot sistemski diski, za kar je kriva visoka cena na gigabajt oz. majhna kapaciteta, ko Intel že sanja o SSD-jih, ki bi po velikosti konkurirali povprečnemu mehanskemu trdemu disku. Pogon SSD s kapaciteto kar 600 GB bi po njihovih napovedih lahko ugledali že čez približno eno leto, v zadnjem četrtletju leta 2010. Trenutno aktualne Intelove pogone prve in druge generacije, ki uporabljajo NAND Flash pomnilnik izdelan v 50 oz. 34 nm-proizvodnem procesu, naj bi popolnoma ukinili v tretjem četrtletju prihodnjega leta. Tej potezi bo, kot rečeno v zadnjem četrtletju, sledil Postville Refresh, ki naj bi v 2,5 palčni, X25-M obliki prišel v treh kapacitetah - 600, 300 oz. 160 GB. Tolikšen dvig kapacitete...

engadget - 32 gigabajtov internega pomnilnika za shranjevanje podatkov je v mobilnih telefonih višjega cenovnega razreda v zadnjih časih nekaj običajnega, saj to npr. omogoča lepo število Nokij ter Applov iPhone 3GS. Vseeno bo 32 GB pomnilnika v kratkem očitno passé, da boste in pa boste potrebovali dvakrat več, 64 GB prostora. To bo omogočila Toshiba, ki je že predstavila 64 gigabajtni NAND Flash pomnilniški čip. Omenimo naj, da iPhone 3GS tako v 16 kot 32 gigabajtni obliki že uporablja prav Toshibine NAND Flash čipe, torej je nov, prostornejši model le vprašanje časa (in se o njem že šušlja), podobno kot 128 gigabajtni iPod Touch (le-ta uporablja par pomnilniških čipov in že zdaj ponuja do 64 GB prostora).

Masovna proizvodnja novih čipov, ki so pravi mali dosežek pakiranja, naj bi se začela v prvem četrtletju leta 2010. En sam čip je sestavljen iz kar 16 32 gigabitnih jeder, kjer je vsako izdelano v 32 nm-proizvodnem postopku. Po internih, Toshibinih izračunih bo 64 gigabajtov zadostovalo...

ComputerWorld - Pomnilniški gigant Micron je včeraj objavil, da so dosegli velik napredek pri razvoju MLC in SLC NAND flash pomnilnika. Z uporabo 34-nanometrske litografije so uspeli zvišati vzdržljivost, torej število ciklov zapisa in izbrisa v življenjski dobi čipa, za šestkrat. To pomeni, da bi MLC-ji preživeli 30.000 ciklov, novi SLC-ji pa kar 300.000. 32-gigabitne MLC-je in 16-gigabitne SLC-je je moč zložiti v večjedrne stvore, velikost do 32 oz. 16 GB. Micron poudarja, da to še ni napoved novih SSD-jev, da pa intenzivno sodelujejo s partnerji pri izdelavi končnih izdelkov na osnovi teh novih dosežkov. Tako lahko že prihodnje leto pričakujemo masovno proizvodnjo novih čipov.

X-Bit Labs - Sodelovanje Intela in Microna bo prineslo nadaljnje blagodejne učinke za pomnilniške medije, ki uporabljajo NAND flash pomnilnik. Njuno sodelovanje je že omogočilo pomanjšanje čipov na 34 nm, zdaj pa sta uspela izdelati še 34 nm MLC čipe, ki na celico vsebujejo 3 bite informacij. Posledično imajo čipi eno najvišjih gostot zapisa na trgu, saj 4 GB čip zaseda le 126 mm² površine. Intel in Micron se žal ne moreta pohvaliti, da imata najgostejše čipe, saj je že februarja Toshiba s pomočjo SanDiska izdelala 8 GB čip, ki na celico shrani 4 bite. Le-ti so izdelani v starejšem, 43 nm proizvodnem procesu, površina, ki jo zaseda čip, pa ni znana.

Čipi iz naveze Intela in Microna so trenutno v postopku testiranj, masovna proizvodnja pa naj bi se začela v zadnji letošnji četrtini. Obljubljajo tudi, da bo še pred koncem leta sledil premik na proizvodni proces, ki bo manjši od 30 nm. S to potezo bodo čipi postali še cenejši oz. bodo omogočali večje kapacitete na enaki površini.

Nature - NRAM je nova vrsta pomnilnika, ki ga sestavljajo ogljikove nanocevke in je glede na tale članek v fazi pripravljanja na proizvodnjo.

Pomnilnik uporablja ogljikove nanocevke za zapisovanje ničel in enic in je po besedah razvijalcev do desetkrat hitrejši od flash pomnilnika, obenem pa omogoča tudi večjo gostoto zapisa - zaenkrat je možno na ploščo premera 13 centimetrov spraviti 10 gigabitov podatkov. Ima seveda tudi to lepo lastnost, da se ob prekinitvi napajanja podatki obdržijo. Prvi prototipi naprav s to vrsto pomnilnika se pričakujejo v letu 2006.

The inquirer - The Inquirer poroča, da je BITMICRO na vojaškem sejmu v Londonu predstavil 155GB Ultra 320 SCSI trdi disk, ki nima gibljivih delov, ampak je sestavljen iz flash spominskih modulov. Disk je klasične velikosti 3.5 palcev in ima dostopni čas 42 mikrosekund. Cena je pa zaenkrat svetlobna leta izven dosega normalnih uporabnikov, saj je bil disk zasnovan predvsem za vojaške potrebe.

Tom's Hardware - Samsung trdi, da mu je uspelo razviti prvi 16 Gbit NAND čip za flash pomnilnik. Izdelan je v 50 nm postopku izdelave, kar ga naredi za okoli 25% manjšega od predhodnih 8 Gbit čipov, ki se izdelujejo v 60nm tehnologiji.

Teoretično bi tako bilo možno s čipi, ki jih sestavlja po 16.4 milijarde tranzistorjev, izdelati v konfiguracijah 8x16 in 16x16 flash kartice velikosti kar 16GB ali 32GB. Očitno nameravajo pri Samsungu tudi v prihodnje obdržati vodilni, 55% delež na trgu NAND Flash pomnilnika.

Tom's Hardware - Prvič je mini računalnik OQO predstavljen že leta 2002 in je požel veliko zanimanja. Preteči sta morali celi dve leti, da bo lahko ugledal luč sveta. Predstavitev je namreč predvidena za 14. oktober.

V model 01 bodo natlačili procesor Transmeta frekvenco 1 GHz, trdi disk z 20 GB in 256 MB pomnilnika DDR. Majhen bo 12.4 x 8.6 x 2.3 cm . Grafična kartica bo vsebovala 8 MB pomnilnika, zaslon pa bo sposoben ločljivosti 800*480. Standardna oprema bo vsebovala Wi-Fi, Modrizob™, Firewire ter seveda nepogrešljivi USB. Cena v ZDA naj bi znašala nekoliko manj kot 2000$.

Domača stran podjetja in izvirna novica.

Monitor - Iz dokaj neznanega podjetja Pretec prihaja 12 GB Compact Flash Card. Prav tako so napovedane tudi druge kartice velikosti 3, 4 ter 6 GB. Skrivnost velikost se skriva v novi tehnologiji NAND Flash RAM, ki omogoča cenejšo proizvodnjo in nekoliko večjo kapaciteto.
Cene so še neuradne, ob koncu leta, ko bodo kartice izšle pa naj bi za model 3 GB odšteli 1,500 dolarjev, za kraljevskih 12 GB pa 10,000 dolarjev.