Slashdot - Ob vse večji porabi toka in posledično oddani toploti današnjih in še posebej prihajajočih procesorjev se tako Intel kot AMD ozirata po nadomestilih za silicij, saj ta preveč "pušča". To pomeni, da je na vratih, ki določajo stanje tranzistorja (vklopljen, izklopljen), nekaj napetosti, tudi ko so "zaprta". Kar je še huje, s tem, ko manjšamo elemente, tanjšamo tudi izolacijsko plast, kar le še povečuje puščanje. Prihajajoči procesorji iz Intelovih logov bodo imeli na primer to plast debelo le štiri do pet atomov.
Dosedanja rešitev vseh teh zagat je bila, da povečamo preklopno napetost, kar pa ima žal neljube posledice v obliki močnejšega gretja. Se pa da ta problem rešiti tudi bolje elegantno. Namesto puščajočega silicija uporabimo kovino. Kakšno zlitino natanko še nihče ne ve natančno (ali pa hudobnež molči in si mane roke ob misli na bogastvo, ki ga čaka), vseeno pa naj bi se čipi s takšnimi vrati pojavili leta 2007, skupaj s 45 nm tehnologijo izdelave.
Novice » Procesorji » Se bo Silicijeva dolina morala preimenovati?
Marjan ::
Težave pri izdelavi klasičnih tranzistorskih procesorjev bodo čedalje večje. Samo vprašanje časa je kdaj se bo zgodil prehod na novo tehnologijo.
CaqKa ::
tale novica je fejst zmedena...
"Dosedanja rešitev vseh teh zagat je bila, da povečamo preklopno napetost..."
če že potem se je reševalo v tej smeri da se je nižala preklopna napetost ne pa višala.
sej smo pa prišli iz 3,3 vcore na 1,5...
zdaj al je slash dot zajebo ali pa... :)
"Dosedanja rešitev vseh teh zagat je bila, da povečamo preklopno napetost..."
če že potem se je reševalo v tej smeri da se je nižala preklopna napetost ne pa višala.
sej smo pa prišli iz 3,3 vcore na 1,5...
zdaj al je slash dot zajebo ali pa... :)
zvery1 ::
mislim da je to tako, kot pri procesorju.Ko postene nestabilen, povecaj napetost in poskrbi za boljse hlajenje.
LP
LP
Zheegec ::
Zvery1 - saj tukaj je govora ravno o procesorjih, ne boš verjel 
Anyway, itaq da ima Intel težave s Strained Silicon, bo treba SOI ubost
Anyway, itaq da ima Intel težave s Strained Silicon, bo treba SOI ubost
"božja zapoved pravi; <Spoštuj očeta in mater>,
ne govori pa o spoštovanju sodstva."
Janez Janša, 29.04.2014
ne govori pa o spoštovanju sodstva."
Janez Janša, 29.04.2014
CaqKa ::
brane2 daj še ti povej nekaj tuki na to temo :)
a ni fora gretja v tem da je vse skupaj v cmos tehnologiji ne pa zaradi silicija?
a ni fora gretja v tem da je vse skupaj v cmos tehnologiji ne pa zaradi silicija?
OwcA ::
če že potem se je reševalo v tej smeri da se je nižala preklopna napetost ne pa višala.
sej smo pa prišli iz 3,3 vcore na 1,5...
Će prav razumem stvari, napetost pada zaradi vse finejšega proizvodnjega procesa, če ne bi bilo puščanja, bi bila lahko ta še (precej?) nižja.
Otroška radovednost - gonilo napredka.
undefined ::
Torej, napetost pada z nižjim procesom. V čem je potem problem, da se prepuščanje veča in s tem posledično tudi gretje, če pa je napetost manjša? Človek bi pričakoval neko konstanto. 
frenk ::
kvaliteta dielektrika, se zgleda z manjšanjem proizvodnega procesa, hireje slabša, kot pa pada napajalna napetost
Azrael ::
Upam, da ne bom preveč zgrešil, ker je že kar dolgo, kar smo to jemali v šoli.
Čist silicij ni dovolj za izdelavo polprevodnikov. Čistemu siliciju moramo dodati neko nečistočo, da dobimo polprevodnik tipa P ali N, ki so osnovni gradniki vseh polprevodniških elementov. Dioda je sestavljena iz N in P tipa polprevodnika, tranzistor P-N-P ali N-P-N polprevodnikov. Procent nečistoče mora biti majhen, ker prevelik delež poslabša lastnosti in poveča izgube (večji padci napetosti na elementu, slaba odzivnost...).
Torej z manjšanjem tranzistorjev in s tem posledično manjšanjem števila atomov v polprevodnilu. raste procent nečistoč, ki slabšajo polprevodnik. Nekje sem prebral, samo nisem 100%, da to drži, da je sedaj en tranzistor v P4 velik 10 x 10 altomov, visok pa 3, torej po 100 atomov za vsako polprevodnik, procent nečistoč je tu vsekakor vsaj 1 %, če ne še več in vedno manjši tranzistorji v procesorjih, bodo vedno slabši, z več izgubami (gretje) in tudi zniževanje napetosti ne more dosti pomagati, ker tranzistorji potrebujejo neko napetost, da delujejo. Obenem pa izdelava procesorja v npr. 18 mikronski tehnologiji, namesto 9, ne reši ničesar. Tako vezje ima lahko res boljše tranzistorje, ampak prvič je drago (iz ene rezine silicija pride manj vezij), ima velike izgube zaradi dolgih vezi v samem vezju (večje jedro) in nižje maksimalne delovne frekvence, ker nobena mera jedra procesorja ne sme presegala 1/10 valovne dolžine delovne frekvence, da je stvar še kolikor toliko stabilna.
Rešitev, dolgoročna je samo nov material namesto silicija. Vsaj, če želimoprocesorje z manjšo porabo in delovnimi frekvencami 10 GHz ali več.
LP, Azrael
Čist silicij ni dovolj za izdelavo polprevodnikov. Čistemu siliciju moramo dodati neko nečistočo, da dobimo polprevodnik tipa P ali N, ki so osnovni gradniki vseh polprevodniških elementov. Dioda je sestavljena iz N in P tipa polprevodnika, tranzistor P-N-P ali N-P-N polprevodnikov. Procent nečistoče mora biti majhen, ker prevelik delež poslabša lastnosti in poveča izgube (večji padci napetosti na elementu, slaba odzivnost...).
Torej z manjšanjem tranzistorjev in s tem posledično manjšanjem števila atomov v polprevodnilu. raste procent nečistoč, ki slabšajo polprevodnik. Nekje sem prebral, samo nisem 100%, da to drži, da je sedaj en tranzistor v P4 velik 10 x 10 altomov, visok pa 3, torej po 100 atomov za vsako polprevodnik, procent nečistoč je tu vsekakor vsaj 1 %, če ne še več in vedno manjši tranzistorji v procesorjih, bodo vedno slabši, z več izgubami (gretje) in tudi zniževanje napetosti ne more dosti pomagati, ker tranzistorji potrebujejo neko napetost, da delujejo. Obenem pa izdelava procesorja v npr. 18 mikronski tehnologiji, namesto 9, ne reši ničesar. Tako vezje ima lahko res boljše tranzistorje, ampak prvič je drago (iz ene rezine silicija pride manj vezij), ima velike izgube zaradi dolgih vezi v samem vezju (večje jedro) in nižje maksimalne delovne frekvence, ker nobena mera jedra procesorja ne sme presegala 1/10 valovne dolžine delovne frekvence, da je stvar še kolikor toliko stabilna.
Rešitev, dolgoročna je samo nov material namesto silicija. Vsaj, če želimoprocesorje z manjšo porabo in delovnimi frekvencami 10 GHz ali več.
LP, Azrael
Nekoč je bil Slo-tech.
undefined ::
Hehe, štromarji, me veseli. Seveda se strinjam z vama. Me pa zanima, kdaj bodo prešli na nevronsko tehnologijo?
CaqKa ::
pomojem se bo vse skup preskočlo na kvantne.. do takrat pa se bo še ta tehnologija boljšala...
Phoebus ::
No tole s kovino nevem zakaj je zdaj taka tatamata, ce imajo to FETi (z vgrajenimi vrati) noter ze od zmeraj.
Azrael ::
@ Tarzan
Germanij ni primeren zaradi tempraturne nestabilnosti, hlajenje bi bilo še bolj zamotano.
@ Phoebus
Težava FETov je v veliki kapacitivnosti samih vrat, element zato ne deluje na visokih frekvencah današnjih procesorjev, preozek frekvenčni obseg, če želimo ohraniti porabo dovolj majhno. Vhod FETa se vede kot kondenzator in za njegovo polnjenje in praznjenje se porabi veliko enegije.
Višje gor sem napisal 1% nečistoč. Leta 1985 sem v eni številki revije BIT prebral članek o proizvodnji silicija za elektroniko, kjer je bilo omenjeno, da je 99% čist silicij primeren samo za metalurgijo, torej velik napredek, da danes polprevodniki pod takimi pogoji delujejo.
Na vsak način se je obstoječa tehnologija približala svojim mejam in bo potrebno nekaj novega.
LP, Azrael
Germanij ni primeren zaradi tempraturne nestabilnosti, hlajenje bi bilo še bolj zamotano.
@ Phoebus
Težava FETov je v veliki kapacitivnosti samih vrat, element zato ne deluje na visokih frekvencah današnjih procesorjev, preozek frekvenčni obseg, če želimo ohraniti porabo dovolj majhno. Vhod FETa se vede kot kondenzator in za njegovo polnjenje in praznjenje se porabi veliko enegije.
Višje gor sem napisal 1% nečistoč. Leta 1985 sem v eni številki revije BIT prebral članek o proizvodnji silicija za elektroniko, kjer je bilo omenjeno, da je 99% čist silicij primeren samo za metalurgijo, torej velik napredek, da danes polprevodniki pod takimi pogoji delujejo.
Na vsak način se je obstoječa tehnologija približala svojim mejam in bo potrebno nekaj novega.
LP, Azrael
Nekoč je bil Slo-tech.
BlazP ::
@Azrael: zaka se men zdi,da ti mislis, da so procesorji narejeni s PNP/NPN tranzistorji?
Kolker js vem so cist vsi procesorji in temu podobne zadeve narejene v MOS(METAL OXYD semiconductor) tehnologiji (z izjemami).
Pa mingrede: 99% cistost...to sploh ni cistost kar se polprevodnikov tice. En delec na 100000 je ze mocno dopiran polprevodnik. Se pravi 99,999% cistost.
Kolker js vem so cist vsi procesorji in temu podobne zadeve narejene v MOS(METAL OXYD semiconductor) tehnologiji (z izjemami).
Pa mingrede: 99% cistost...to sploh ni cistost kar se polprevodnikov tice. En delec na 100000 je ze mocno dopiran polprevodnik. Se pravi 99,999% cistost.
Vredno ogleda ...
| Tema | Ogledi | Zadnje sporočilo | |
|---|---|---|---|
| Tema | Ogledi | Zadnje sporočilo | |
| » | Corel spet pripravlja WordPerfect za LinuxOddelek: Novice / Ostala programska oprema | 2676 (2676) | dr.J |
| » | Pisanje na CD patentirano?Oddelek: Novice / Industrijska lastnina | 3628 (3628) | CaqKa |
| » | Wal-mart prenosnikiOddelek: Novice / Ostale najave | 3282 (3282) | moj_nick |
| » | Za Microsoftom še Yahoo!Oddelek: Novice / Ostala programska oprema | 2741 (2741) | njok |
| » | Avtor poročila odpuščenOddelek: Novice / Ostale najave | 1965 (1965) | Jeebs |