Intel predstavlja 3D pomnilnik
vir: AnandTech
AnandTech - Intel je s svojim partnerjem Micronom drugi, ki je predstavil 3D pomnilniške čipe z zapisom dveh bitov na celico, prvi je jasno Samsung. Ni še povsem jasno, kako so pri IMFT zastavili trodimenzionalno tehnologijo, za Samsung vemo, da tranzistorje gradijo v višino v koncentričnih obročih po za tranzistorje standardnih plasteh. To jim da bistveno večjo površino od planarnih tranzistorjev, kjer plasti nalagajo eno na drugo na osnovno plast v višino. Večja površina na račun večje količine materiala da višjo vzdržljivost, po pričevanju Samsunga lahko bojda pričakujemo kar 10-krat višje število prepisov, medtem ko se nekoliko manj naprednemu proizvodnemu procesu navkljub gostota zapisa podatkov poviša. Intelu je z nalaganjem 32 plasti pomnilniških celic uspelo pripraviti 256-gigabitni oz....