Slo-Tech - Tranzistorji so dandanes sestavljeni v glavnem iz silicija, ki mu polprevodniške lastnosti izboljšajo z dopiranjem z elementi z več ali manj elektroni (in dobimo n in p plast), ni pa to samoumevno. V preteklosti so jih izdelovali tudi iz germanija, še danes pa se za nekatere nišne uporabe izdelujejo tudi iz galijevih, arzenovih, indijevih, germanijevih in ogljikovih zvrsti. Obetaven kandidat je tudi indij-galijev arzenid (InGaAs), ki so ga že v preteklosti intenzivno preiskovali, a je širšo uporabnost preprečilo slabše delovanje v nizkem merilu. Moderni tranzistorji so namreč nanometrskih dimenzij.

Raziskovalci z MIT so pokazali, da to poslabšanje ni vrojena lastnost materiala, temveč je posledica oksidnih ionov. InGaAs ima številne zaželene lastnosti, zaradi katerih je dober kandidat za izdelavo tranzistorjev. Omogoča hitro preklapljanje tranzistorjev in delovanje pri nizkih napetostih, kar bi v praksi pomenilo doseganje višjih frekvenc in zmanjšanja porabe električne energije....

TG Daily - Brez dvoma ena izmed najbolj legendarnih iger ter ena izmed največjih klasik, Space Invaders, ima nov rekord. Po kar 27 letih je namreč padel rekord Scotta Safrana, ki ga je postavil daljnega leta 1982 (ste bili takrat sploh že rojeni?). Scott je 41.336.440 točk dosegel na klasični arkadni napravi, ki so bile zbrane v t.i. video arkadah, popularnih predvsem med mladeniči. Rekord je znan kot najdlje stoječi v zgodovini računalniških iger.

Nov rekord je postavil John McAllister, ključavničar iz Seattla. Njegov dosežek, prav tako...

X-Bit Labs - Tehnološka partnerja IBM in bivši AMDjev proizvodni del, Global Foundries, sta predstavila materiale in tehnologije, ki bodo potrebni za prehod na 22 nm proizvodni proces. Na simpoziju v japonskem Kyotu je Global Foundries prikazal način, kako EOT* debelino High-K metal tranzistorjev zmanjšati na raven, ki bo zadoščala ne le za 22 nm proizvodni proces, temveč tudi za kasnejše procese. Nova tehnologija bo nadvse primerna za mobilne in prenosne naprave, saj ne pričakujejo težav z uhajanjem toka, ki dvigne porabo čipa, obenem pa bodo lahko uporabljali še nižje napetosti, kar bo porabo še dodatno znižalo.

Napovedi, da se bo Mooreov zakon končal že pri 22 nm, očitno niso prispele na japonsko v tovarne Toshibe, saj se pripravljajo na morebitno proizvodnjo 16 nm tranzistorjev. To bodo dosegli z vnovično vrnitvijo germanija v svet mikroprocesorjev. Slednji je bil že nekaj časa tihi naslednik silicija, kateremu se izteka življenjska doba zaradi hitrega doseganja fizičnih omejitev. Preboj,...

Taipei Times - NEC, japonska koorporacija je ta teden oznanila, da je izdelala najmanjši trazistor na svetu. Nov rekord je tokrat 5 nanometrov (en nanometer je ena milijardinka metra), s čimer prejšnjega prekaša za en nanometer - le-ta rekord si je lastil IBM. Sedaj, ko so izdelali novega rekorderja (ki je osemnajstkrat manjši od danes uporabljanih tranzistorjev), pa NECa čaka še izdelava učinkovite masovne produkcije, kar pa bo vse prej kot enostavno.

Trg tranzistorjev, ki vsako leto obrne 155 milijard ameriških dolarjev, spada med največje in najbolj donosne posle na svetu. Možnosti, ki se torej porajajo z novimi tranzistorji pa so skoraj neomejene. Če prepračunamo vse te številke, kmalu ugotovimo, da bi lahko imeli v enako velikem dlančniku več kot 4200 MHz! Klik!

Doom 3 na dlančniku in sredi pouka. Zanimivo ... [>:D]

Hindustan Times - Tranzistorji so pravkar postali še hitrejši, saj so na univerzi v Illinoisu podrli svoj lastni rekord, ki je do sedaj znašal 509 gigahertzev (GHz). Novi rekord je za 57 GHz višji, torej 566 x 10⁹ nihajev (sprememb stanja) v sekundi.

Običajni tranzistorji so sestavljeni iz germanija in silicija, ti super-hitri, pa iz "indijevega fosfida in indij-galijevega arzenida". Da ne bom ustrelil kakšnega kozla pri prevajanju strokovnih izrazov iz angleščine, bo najbolje, da si (tisti, bolj fizikalno naravnani) sami ogledate, kaj jim to omogoča. Zanimiv je njihov cilj, ki so si ga postavili - izdelati teraherčen (1000 GHz) tranzistor. So že na polovici. [:D]

ZDNet - Po pričakovanjih je IBM danes naznanil tranzistor, ki je do petkrat hitrejši od danes poznanih. Ne gre sicer za najhitrejši tranzistor sploh, vendar uporablja standardne tehnike proizvodnje, kar za druge, hitrejše bratce ne bi mogli trditi. Čip je narejen iz mešanice silicija ter germanija, dosegal pa naj bi hitrosti do 210 GHz. Zanimivo je, da je bil prav germanij prvi polprevodnik uporabljan za čipe, pozneje pa ga je skorajda v celoti nadomestil silicij. A klasika se očitno vrača ... Dodatne informacije in popolna novica na ZDNetu.

Slashdot - Mogoče se bo tole slišalo malce smešno, vendar pa je res, da so šele pred kratkim našli človeka, ki je med vsemi na svetu dosegel najvišji rezultat v legendarni igri Space Invaders. In ne, lastnik ne prihaja iz Japonske, kjer so igro prav tako nabijali kot nori, ampak iz Amerike, točneje iz New Jerseya. Lastnik rekorda je bil sicer uradno priznan s strani Atarija in Twin Galaxies, kjer imajo shranjene rekorde, ki so jih dosegli igralci iger, vendar so se s selitvijo Atarijevih pisarn podatki o lastniku rekorda izgubili. No, sedaj so ga spet našli, vendar pa so ugotovili, da je Scott Safran, lastnik rekorda na žalost umrl leta 1989. Kljub vsemu pa bo s svojimi 41,336,440 točkami ostal zapisan v zgodovini te izjemne igre. Več o Safranu in o njegovemu iskanju si preberite tukaj.

Reuters - Kako se mu je že reklo? Zmija Brzič al nekaj takega... Kakorkoli. IBM je danes objavil vest o svojem novem -- obenem tudi najitrejšem -- komunikacijskem čipu na svetu. Skupek tranzistorjev, temelječ na silicij-germanijevi ploščici utripa pri 110 GHz ter nadaljuje IBMjevo tradicijo izdajanja novih rekorderjev na tem področju.

Vezje je namenjeno vdelavi v superzmogljive komunikacijske naprave, kot so recimo razni usmerjevalniki (predvsem Ciscovi) in pretikala ('switch'), ki so seveda povezani preko optičnih vodov, po njih pa prste steguje tudi vojska. Po besedah Franka Dzubeck-a, predsednika svetovalne skupine pri 'Communications Network Architects', je poglavitna prednost vezja ravno prisotnost dodatnega sloja germanija, saj na njem tranzistorji delajo bolje ter porabijo manj energije.

Konkurenca pak ne spi: Conexant Systems, majhno kalifornijsko podjetje, razvija (takisto na silicij-germanijevi osnovi) 200 GHz vezje.

uebertakten.de - Jaz se najprej opravičujem za pomanjkanje novic z moje strani. Razlog so predvsem izpiti (3), ki zahtevajo mojo pozornost. Žal se bo suša nadaljevala do 10. julija, ko imam zadnji izpit.

Nekaj časa sem vam poročal o novi tehniki proizvodnje tranzistorjev in čipov, kjer z novim postopkom na silicij dodajo germanij in s tem pohitrijo samo hitrost čipa. No tehnikom IBM-a je uspelo narediti tranzistor na osnovi silicija in germanija, ki doseže hitrost 210 GHz. Vendar pa to ni zadnja meja te tehnike. Z njo je namreč možno iti celo do 300 GHz in še več. Tranzistor je predvsem uporaben v brezžični komunikaciji. IBM že od leta 1989 dela na tranzistorjih z mešanico silicija in germanija, a meje več kot 90 GHz jim ni uspelo prebiti. Glede na to, da nova tehnika prinaša velike možnosti, lahko pričakujemo tudi kake revolucionarne hitrosti pri proizvodnji samih procesorjev (upajmo) z strani IBM-a ali ostalih proizvajalcev. ...

več strani - Ibm razvija nov proces sestave in izdelovanja čipov. Njegov oddelek je v petek prikazal nov način produkcije čipov z tako imenovano "strained silicon" (SS) tehniko. Z to tehniko nanesejo na zgornjo stran čipa mešanico silicija in germanija, kar naj bi pripomoglo k povečani zmogljivost samih tranzistorjev. Tehnika je dobila ime po samem efektu, ki se zgodi v tranzistorjih na čipu, ko se na njih nanese plast mešanice silicija in germanija. Z SS tehniko dosežejo, da se poveča razdalja med samimi atomi silicija znotraj čipa. Če smo kaj pri fiziki in kemiji pazili med uro se lahko spomnimo, da med atomi vlada določena sila privlačnosti, ki atome drži skupaj. Z to tehniko pa poskrbijo, da ta sila pojenja in da se atomi med samo poravnajo, kar ima za posledico, da sam krogotok elektrike ,ki potuje po čipu ni več toliko oviran, kar zmanjša tudi potrebo po energiji tranzistorjev. Sama upornost se zmanjša in hitrost toka se tako poveča do 70%, kar vodi k do 35% povečani hitrosti samega čipa....