Samsung začel proizvajati 20 nm-čipe DDR3
Slo-Tech - Spominski čipi NAND (flash) se že nekaj časa izdelujejo v 19 nm-tehnologiji izdelave, medtem pa je zmanjševanje litografije pri elektronskih pomnilniških čipih DDR težje. V Samsungu so zato toliko ponosneje najavili, da so uspeli zagnati množično proizvodnjo štirigigabitnih čipov DDR3 v 20 nm-tehnologiji.
Doslej so jih proizvajali v 25 nm-tehnologiji. Manjši čipi naj bi poskrbeli za 30 odstotkov višjo kapaciteto proizvodnje (število čipov na rezino) in 25 odstotkov nižjo porabo energije. Kljub temu da je zmanjševanje velikost čipov DRAM težje, saj celica vsebuje tako tranzistor kot kondenzator, medtem ko imajo celice v NAND-u le kondenzator, Samsung načrtuje nadaljnje zmanjševanje litografije.
Trenutno uporabljajo laser argonovega...
Doslej so jih proizvajali v 25 nm-tehnologiji. Manjši čipi naj bi poskrbeli za 30 odstotkov višjo kapaciteto proizvodnje (število čipov na rezino) in 25 odstotkov nižjo porabo energije. Kljub temu da je zmanjševanje velikost čipov DRAM težje, saj celica vsebuje tako tranzistor kot kondenzator, medtem ko imajo celice v NAND-u le kondenzator, Samsung načrtuje nadaljnje zmanjševanje litografije.
Trenutno uporabljajo laser argonovega...