Slo-Tech - V najnovejši številki revije Nature raziskovalci z Univerze Fudan na Kitajskem poročajo o odkritju novega koncepta shranjevanje podatkov v polprevodniškem pomnilniku, ki omogoča hitrejši bistveno zapis podatkov. Pokazali so, da je z uporabo dvorazsežnega Diracovega grafena možno med stanji preklapljati v 400 pikosekundah, kar je več tisočkrat hitreje od konvencionalnih SSD-jev.

Netrajni pomnilnik, torej DRAM ali SRAM, je bistveno hitrejši od trajnih pomnilnikov (flash). Prvi lahko podatke v celice zapisujejo v nekaj nanosekundah, medtem ko flash potrebuje več sto mikrosekud do milisekund. To predstavlja ozko grlo pri uporabi, kjer potrebujemo velikanske prenose podatkov, denimo pri obdelavi podatkov z umetno inteligenco. Že praktično od pojava modernih računalnikov ostaja sveti gral pomnilnik, ki bi združil hitrost dinamičnega pomnilnika in trajnost zapisa na diske, saj bi lahko popolnoma predrugačil arhitekturo računalnikov.

Do tja je še zelo daleč in tudi najnovejše kitajsko...

Slo-Tech - Že pred tremi leti je Intel v sodelovanju z Micronom napovedal novo tehnologijo pomnilnika, ki sta jo poimenovala 3D XPoint, a do danes nismo videli komercialnega primerka. 3D XPoint, ki združuje lastnosti flasha in DRAM-a, je naposled nared. Danes so predstavili družino ploščic s kapacitetami 128, 256 in 512 GB, ki sedejo v podnožje DDR4 in uporabljajo novo tehnologijo. Imenujejo se Intel Optane DC Persistent Memory.

Intel je dejal, da bodo prvi kupci svoje primerke dobili še letos, široka dobavljivost pa sledi prihodnje leto. V prevodu to pomeni, da bomo verjetno nekaj računalnikov z novim pomnilnikom videli v božično-novoletni nakupovalni sezoni, množično pa...

ComputerWorld - IBM je objavil, da so dosegli pomemben preboj pri razvoju pomnilniške tehnologije PCM (phase-change memory, pomnilnik na fazni prehod), ki bo omogočila podvojitev kapacitete pomnilnika in neposrednejši spopad z bliskovnim pomnilnikom, katerega konkurenco predstavlja. Glavni odliki pomnilnika PCM sta hranjenje podatkov tudi brez napajanja (non-volatile, podobno kakor bliskovni pomnilnik in nasprotno kot RAM) in možnost prepisa podatkov brez predhodnega brisanja (podobno kakor RAM in nasprotno kot bliskovni pomnilnik), kar se pozna kot tudi 100-krat hitrejše pisanje na nesveže pogone.

Prav cikli brisanja in pisanja utrujajo bliskovni pomnilnik, ki tipično zmore 5000 do 10000 ciklov, preden se iztroši. IBM pravi, da PCM...

X-Bit Labs - V sredo se je končala dolga zgodba o Oraclovem prevzemu Suna, ki se je napovedal že od lanskega poletja in je na koncu čakal še na blagoslov Evropske unije, ki je bil podeljen prejšnji teden. Oracle je najavil, da je prevzem končan in da je Sun zdaj pod njihovim okriljem. Zanj so odšteli 9,5 dolarja na delnico, kar je postavilo ceno na 7,4 milijarde dolarjev.

Kot pravijo, naj bi spojitev popolnoma predrugačila IT-industrijo. Oracle bo k svojim izdelkom dodal strežnike, opremo za shranjevanje podatkov, procesorje SPARC, Solaris, Javo in podatkovno bazo MySQL, s čimer se želijo poizkusiti na področju odprtih in integriranih sistemov, ki bodo v tovarni zloženi skupaj od programske opreme do diskov.

Glavno vprašanje, ki je zaviralo...

Expreview.com - Če se vam zdi ATIjev Radeon HD 4670 nekoliko prehiter za vaš AGP mlinček, brez skrbi, Sapphire predstavlja rešitev. Namesto jedra RV730XT, kot je naredil HIS, so z AGP vodilom opremili ATIjev RV730PRO, ki je sicer osnova Radeon HD 4650. Za shranjevanje podatkov skrbi 512 oz. 1024 MB DDR2 pomnilnika, ki se hrani prek 128 bitnega pomnilniškega vodila in teče pri 800 MHz. Jedro je nadvse podobno zmogljivejšemu bratu, saj ima prav tako 320 stream procesorjev, a ima s 600 MHz 20 % nižjo frekvenco od HD 4670. Zanimiva je odločitev za PCIe napajalni priključek (HIS HD 4670 uporablja za AGP kartice bolj običajen molex), saj lastniki starejših računalnikov ponavadi nimajo napajalnikov s PCIe...

TG Daily - Raziskovalci na Univerzi v Nottinghamu se pospešeno ukvarjajo z razvojem molekularnega pomnilnika iz ogljikovih nanocevk, ki bi imel hitrost dinamičnega pomnilnika brez nadležne izgube podatkov ob izgubi napajanja. Ideja je preprosta. Dve nanocevki z malenkostno razliko v premeru bosta koncentrično nameščeni, podobno kot ruske matrjoške. Ko bo skozi zunanjo tekel električni tok, se bo notranja cevka spustila niže in dotaknila vezja na dnu, z čimer bo zapisana logična enica. Ko bo cevka dvignjena, stika ne bo in zapisana bo ničla.

V teoriji bo pomnilnik odporen na izgubo napajanja, saj so podatki zapisani s fizičnim premikom objekta, prav tako pa naj ga veliki pospeški, recimo ob padcu na tla, ne bi iztirili. Prvi modeli naj bi dosegali hitrosti sedanjega DRAM-a, v prihodnosti pa naj bi tako odpadla potreba...