Slo-Tech - Raziskovalci z univerz v Michiganu, Gradcu in Adelajdi so odkrili nov način, kako lahko z izkoriščanjem ranljivosti rowhammer pridobijo celo 2048-bitne šifrirne ključe, ki so shranjeni v pomnilniku, če uporabljamo ranljive module DRAM. O napadu rowhammer smo prvikrat pisali pred petimi leti, pol leta pozneje so ga demonstrirali tudi v praksi, kasneje pa so pokazali, da so ranljivi tudi moduli z ECC in celo androidni telefoni. Napad je posledica fizikalnega ozadja pomnilnika, saj se njegove celice v želji po miniaturizaciji komponent, višanju hitrosti in zniževanju porabe približujejo fizikalnim omejitvam. Sedaj so že tako majhne, da lahko vztrajno zaporedno branje vedno znova istih vrstic pomnilnika povzroči spremembe v celicah v sosednjih vrsticah. Od te okvare podatkov (bit flip) do izrabe pa je le kratka pot (in veliko znanja).

Novo uporabo te ranljivosti so raziskovalci poimenovali RAMBleed. Članek je bil...

Slo-Tech - Napad rowhammer, ki ga poznamo že dobra tri leta, zmore prizadeti tudi pomnilniške module, ki uporabljajo ECC, so pokazali raziskovalci z amsterdamske univerze. Doslej je veljalo, da ECC nudi zaščito pred tovrstnimi napadi, a se je izkazalo, da je vsaj DDR3 ranljiv tudi z ECC. Nova varianta napada, ki se imenuje ECCploit, še ni bila odkrita v divjini in verjetno v praksi ne more vplivati na storitve v oblaku, kot sta Azure in AWS.

Rowhammer je posledica leta 2014 odkrite pomanjkljivosti modernih pomnilniških čipov. Ti so fizično že tako majhni, da lahko dogajanje v eni celici vpliva na stanje sosednjih. Če večkrat v kratkem razmaku poizkusimo brati podatke iz iste vrstice (row), to lahko pokvari vsebino sosednjih celic. S premeteno...

Slo-Tech - Po dveh letih se vrača napad Rowhammer, ki so ga raziskovalci prvikrat na osebnih računalnikih odkrili leta 2014, leta 2016 pa demonstrirali še na androidnih mobilnih telefonih. Google je potem kmalu popravil upravljalnik pomnilnika Android ION, s čimer naj bi napad onemogočil, a raziskovalci so sedaj pokazali, da to ne drži. Rowhammer, ki se na mobilnih telefonih imenuje tudi Drammer, je nazaj. K sreči pa ni pričakovati množičnega izkoriščanja te luknje.

Napad zelo dobro opisuje njegovo ime. Če z istega naslova v pomnilniku beremo vztrajno in hitro, to lahko vpliva na stanje sosednjih celic. Ponavljajoč dostop do iste vrstice namreč spremeni bite v sosednjih vrsticah zaradi fizikalne konstrukcije pomnilnika, kar lahko s pametno implementacijo izkoristimo za eskalacijo privilegijev. Problem ni le teoretičen, deluje pa tudi na mobilnih...

Ars Technica - O napadu rowhammer smo prvikrat poročali pred skorajda dvema letoma, ko so raziskovalni na Carneige Mellon University odkrili, kako lahko z zelo hitro ponavljajočim branjem iste vrstice v pomnilniku okvarimo podatke v sosednjih vrsticah. Tedaj je bila ranljiva večina preizkušenih modulov, a so strokovnjaki fenomen večinoma odpravili kot hrošč, ki omogoča okvaro podatkov, kaj več pa ne. Štiri mesece pozneje so pokazali, da je mogoče to isto ranljivost uporabiti tudi za pridobitev skrbniškega dostopa do operacijskega sistema. Sedaj imamo pred nami praktično izvedbo napada, ki pridobi dostop root do večine androidnih telefonov.

Rowhammer je strojni napad, saj ne izkorišča nobene ranljivosti v programski opremi. Namesto tega izrabi...

Slo-Tech - Ranljivost rowhammer, ki so jo raziskovalci na Carneige Mellon University odkrili predlani in za katero je Google praktično izvedbo pokazal lani, napada tudi pomnilniške čipe DDR4 in DDR3 z ECC. Doslej so ti veljali za odporne, a nove raziskave to demantirajo, so povedali na konferenci Semicon China.

Gre za zanimivo ranljivost, kjer programsko izkoriščamo pomanjkljiv fizični dizajn, ki je posledica miniaturizacije čipov. Ob večkratnem zaporednem dostopu do nekega mesta v pomnilniku (hammering) se namreč z neko verjetnostjo zgodi, da to spremeni bite v sosednjih celicah. To pa ni nujno, da povzroči lahko opazne posledice, kot je zrušitev sistema oziroma ponovni zagon. Kot je pokazal Google lani, je mogoče na ta način z eskalacijo privilegijev pridobiti dostop do...

Google - Tudi v praksi je mogoče zlorabiti ranljivost rowhammer, ki so jo raziskovalci opisali decembra lani, so pokazali v Googlovem Projectu Zero.

Če na kratko povzamemo decembrsko odkritje, gre za ranljivost, ki je posledica zasnove čipov DDR3. Ker so ti fizično čedalje manjši, večkratno zaporedno branje podatkov iz iste vrstice lahko vpliva na podatke v sosednjih vrsticah. Da napad izvedemo, je treba brati večtisočkrat, preden se zapis v DRAM-u osveži (tipično vsakih 64 milisekund). V tem primeru se lahko spremeni kakšen sosednji bit (bit flip), kar ne vodi nujno do zrušitve sistema. Lahko se namreč zgodi, da pridobimo administratorski dostop do računalnika z eskalacijo privilegijev. Ob odkritju je kazalo, da je ranljivost zelo teoretična in je v praksi ne bo mogoče enostavno zlorabiti, a Google je pokazal, da nas od tega ne loči veliko.

Google je preverjal 29 prenosnih računalnikov in dobra polovica je bila ranljiva. Pokazali so, da je mogoče ranljivost izkoristiti v zločeste namene....

Slo-Tech - Raziskovalci s Carneige Mellon University (CMU) in iz Intelovih laboratorijev so ugotovili, da je večina pomnilniških modulov DDR3 ranljiva na tako imenovano row hammer napako (Intelov patentirani izraz). Gre za posledico dizajna in miniaturizacije pomnilniških celic na čipih in ne programsko ranljivost. Problem je poznan že nekaj časa, šele nedavno pa se je pokazala njegova razširjenost in možnost zlorabe za napade iz virtualk.

Za varnost računalniških sistemov je nujno potrebna učinkovita izolacija delov pomnilnika, ki so dostopni različnim procesom z različnimi privilegiji. Pri row hammer gre zato, da veliko število dostopov do iste vrstice (problematičen je ukaz activate, ki odpre vrstico) v kratkem času povzroči težave v sosednjih vrsticah (disturbance...

X-Bit Labs - Pri Hynixu so objavili, da so končali z razvojem svojih pomnilniških čipov za standard DDR4. Čipi, izdelani s 30 nm-proizvodnim procesom, bodo od predhodnikov jasno hitrejši in varčnejši obenem. Pripravili so 2-gigabitne pomnilniške čipe in SODIMM modul s kapaciteto 2 GB, ki podpira preverjanje napak v zapisu (ECC) in bo namenjen predvsem vgradnji v kompaktne sisteme. Ta deluje pri 2.400 MHz, kar je 80 % več od trenutno najhitrejšega modula SODIMM na standardu DDR3, ki teče pri vsega 1.333 MHz. Prenos pri tej frekvenci in pri 64-bitnem pomnilniškem vodilu (en pomnilniški kanal) bo dosegel kar 19,2 GB/s.

Za varčnost bo poleg finejšega proizvodnega procesa poskrbljeno še z nižjo standardno napetostjo, v...

ComputerWorld - Medtem ko se pomnilnik DDR3 nezadržno ceni, proizvajalci že razvijajo njegovega naslednika. Vodstvo je prevzel Samsung, ki je izdelal prve tablice pomnilnika DDR4, ki je po besedah proizvajalca dvakrat hitrejši od predhodnika. V 30 nm-tehnologiji izdelani čipi porabijo do 40 odstotkov manj energije od sedanjih pomnilniških čipov in omogočajo delovanje s hitrostmi 2,13 gigabita na sekundo.

Pomnilnik se napaja z 1,2-voltno napetostjo, kar je tudi glavni razlog za nižjo porabo električne energije. Uporablja tudi novo tehnologijo Pseudo Open Drain (POD), ki je še en varčevalni mehanizem in se rabi pri zapisu ali branju podatkov. Samsung je dejal, da so konec leta prve tablice posredovali izdelovalcem pomnilniških krmilnikov na testiranje, z JEDEC-om pa naj bi DDR4 standardizirali v drugi polovici...

AnandTech - Manjšanje proizvodnega procesa pri izdelavi pomnilniških čipov se seveda pozna v večji gostoti hrambe podatkov na njih, to pa neposredno pomeni ugodnejšo ceno za dano kapaciteto. Najbolj to občutimo pri pogonih SSD zaradi velikih kapacitet, a učinek seveda lahko enostavno prenesemo tudi na USB ključke ter pomnilniške kartice. A manjšanje procesa s seboj privede nekatere neželene posledice, predvsem nepopravljive napake v zapisu ter zmanjšano vzdržljivost. Ta sicer pada linearno, a pri Micronu je marketinški oddelek pokazal prosojnice, ki kažejo, da zahteva po popravljanju napaka pri prehodu na 25 nm v primerjavi s 34 nm naraste skokovito. Ta prehod doživljamo prav zdaj.

Prav zato so se...