DigiTimes - Malokdo ve, kako dolga pot je od silicija, ki leži v Zemlji v obliki silikatov (silicijev dioksid predstavlja 60 odstotkov Zemljine skorje), do mikroprocesorja. Za izdelavo čipov potrebujemo ultračist silicij v obliki monokristala, kar pomeni, da mora biti nečistoč manj kot 1 ppb. Po več stopnjah redukcije silicijevega dioksida v silicij in čiščenja nastalega surovega silicija (bodisi s consko rafinacijo bodisi kemijsko s kloridnim postopkom) dobimo polikristalinični silicij. To je pomemben prekurzor pri izdelavi čipov, saj je že dovolj čist, le da je amorfne strukture in ga je treba prekristalizirati v monokristal.

Več kot...

Hindustan Times - Tranzistorji so pravkar postali še hitrejši, saj so na univerzi v Illinoisu podrli svoj lastni rekord, ki je do sedaj znašal 509 gigahertzev (GHz). Novi rekord je za 57 GHz višji, torej 566 x 10⁹ nihajev (sprememb stanja) v sekundi.

Običajni tranzistorji so sestavljeni iz germanija in silicija, ti super-hitri, pa iz "indijevega fosfida in indij-galijevega arzenida". Da ne bom ustrelil kakšnega kozla pri prevajanju strokovnih izrazov iz angleščine, bo najbolje, da si (tisti, bolj fizikalno naravnani) sami ogledate, kaj jim to omogoča. Zanimiv je njihov cilj, ki so si ga postavili - izdelati teraherčen (1000 GHz) tranzistor. So že na polovici. [:D]

ZDNet - Po pričakovanjih je IBM danes naznanil tranzistor, ki je do petkrat hitrejši od danes poznanih. Ne gre sicer za najhitrejši tranzistor sploh, vendar uporablja standardne tehnike proizvodnje, kar za druge, hitrejše bratce ne bi mogli trditi. Čip je narejen iz mešanice silicija ter germanija, dosegal pa naj bi hitrosti do 210 GHz. Zanimivo je, da je bil prav germanij prvi polprevodnik uporabljan za čipe, pozneje pa ga je skorajda v celoti nadomestil silicij. A klasika se očitno vrača ... Dodatne informacije in popolna novica na ZDNetu.

Reuters - Kako se mu je že reklo? Zmija Brzič al nekaj takega... Kakorkoli. IBM je danes objavil vest o svojem novem -- obenem tudi najitrejšem -- komunikacijskem čipu na svetu. Skupek tranzistorjev, temelječ na silicij-germanijevi ploščici utripa pri 110 GHz ter nadaljuje IBMjevo tradicijo izdajanja novih rekorderjev na tem področju.

Vezje je namenjeno vdelavi v superzmogljive komunikacijske naprave, kot so recimo razni usmerjevalniki (predvsem Ciscovi) in pretikala ('switch'), ki so seveda povezani preko optičnih vodov, po njih pa prste steguje tudi vojska. Po besedah Franka Dzubeck-a, predsednika svetovalne skupine pri 'Communications Network Architects', je poglavitna prednost vezja ravno prisotnost dodatnega sloja germanija, saj na njem tranzistorji delajo bolje ter porabijo manj energije.

Konkurenca pak ne spi: Conexant Systems, majhno kalifornijsko podjetje, razvija (takisto na silicij-germanijevi osnovi) 200 GHz vezje.

uebertakten.de - Jaz se najprej opravičujem za pomanjkanje novic z moje strani. Razlog so predvsem izpiti (3), ki zahtevajo mojo pozornost. Žal se bo suša nadaljevala do 10. julija, ko imam zadnji izpit.

Nekaj časa sem vam poročal o novi tehniki proizvodnje tranzistorjev in čipov, kjer z novim postopkom na silicij dodajo germanij in s tem pohitrijo samo hitrost čipa. No tehnikom IBM-a je uspelo narediti tranzistor na osnovi silicija in germanija, ki doseže hitrost 210 GHz. Vendar pa to ni zadnja meja te tehnike. Z njo je namreč možno iti celo do 300 GHz in še več. Tranzistor je predvsem uporaben v brezžični komunikaciji. IBM že od leta 1989 dela na tranzistorjih z mešanico silicija in germanija, a meje več kot 90 GHz jim ni uspelo prebiti. Glede na to, da nova tehnika prinaša velike možnosti, lahko pričakujemo tudi kake revolucionarne hitrosti pri proizvodnji samih procesorjev (upajmo) z strani IBM-a ali ostalih proizvajalcev. ...

več strani - Ibm razvija nov proces sestave in izdelovanja čipov. Njegov oddelek je v petek prikazal nov način produkcije čipov z tako imenovano "strained silicon" (SS) tehniko. Z to tehniko nanesejo na zgornjo stran čipa mešanico silicija in germanija, kar naj bi pripomoglo k povečani zmogljivost samih tranzistorjev. Tehnika je dobila ime po samem efektu, ki se zgodi v tranzistorjih na čipu, ko se na njih nanese plast mešanice silicija in germanija. Z SS tehniko dosežejo, da se poveča razdalja med samimi atomi silicija znotraj čipa. Če smo kaj pri fiziki in kemiji pazili med uro se lahko spomnimo, da med atomi vlada določena sila privlačnosti, ki atome drži skupaj. Z to tehniko pa poskrbijo, da ta sila pojenja in da se atomi med samo poravnajo, kar ima za posledico, da sam krogotok elektrike ,ki potuje po čipu ni več toliko oviran, kar zmanjša tudi potrebo po energiji tranzistorjev. Sama upornost se zmanjša in hitrost toka se tako poveča do 70%, kar vodi k do 35% povečani hitrosti samega čipa....