Slo-Tech - IBM je v sodelovanju z Georgia University predstavil prve tranzistorje na Si-Ge, ki delujejo pri sobni temperaturi na 350 GHz, ohlajeni na 4.5K pa pridejo do 500 GHz !

Demonstracijsko vezje s testnim tranzistorjem, kot sem uspel razumeti iz novičke, ni nič posebnega, a to je le začetek, ki kaže na potenciale. Mimogrede, pri tej frekvenci je valovna dolžina signala največ 0,86 mm in to brez upoštevanja dielektričnih lastnosti Si-Ge, sicer verjetno še vsaj dvakrat manjša!

Proizvajalci pogosto uporabljajo enostavna testna vezja, s katerimi merijo frekvenčno karakteristiko tranzistorja. Te pri iskanju novih materialov in tehnik poskušajo "nafrizirati" na čim višje frekvence in rezultati jim dajejo dragocene podatke o lastnostih osnovnih gradnikov vezja v materialu-osnovi. IBM je že dolgo časa nazaj začel delati na Si-Ge kot zamenjavi za Ga-As, ki je bil opevan kot 10 krat hitrejši naslednik silicija, pa se ni prijel v široki uporabi zaradi drugih problemov, predvsem majhnih...

Slo-Tech - NTT (Nippon Telegraph and Telephone) je nedavno pokrajšal še dve ničli. S svojim sistemom za litografijo s curkom elektronov jim je uspelo oblikovati tridimenzionalen objekt z natančnostjo 10 nm, s čimer so za kar stokrat presegli vse dosedanje metode. Te so povrh vsega še povečini za praktično rabo in pogosto uporabljajo rentgenske žarke, ki s svojo valovno dolžino omejujejo natančnost na velikostni red enega mikrona.

Tehnologija litografije s curkom elektronov sama po sebi ni nova, uporabljajo jo za izdelovanje dvodimenzionalnih vzorcev, napredek se skriva v prehodu v tri dimenzije. Za to je potreben mehanizem, ki omogoča vrtenje okoli vsaj dveh osi in določanje tretje koordinate. NTT je premagal obe oviri....

EETimes - Nippon Telegraph and Telephone Corp. (NTT) ima delujoč prototip polprevodniške naprave, ki deluje pri 81 GHz. Precej obetavno, še posebej, ker je cena diamantov zaradi napredkov v industrijski proizvodnji na zanesljivi poti navzdol. V bližnji prihodnosti za navadne smrtnike to ne pomeni veliko, saj je tehnologija še mnogo predraga, se bo pa rešitev najbrž dokaj kmalu (v nekaj letih) začela uporabljati za satelitsko komunikacijo, ki deluje tudi v deset ali več gigaherčnem območju namesto sedanjih ojačevalnikov, ki delujejo še na pred-polprevodniški osnovi in ne dosegajo zadostnih frekvenc ( zato se za višja frekvenčna območja še vedno uporablja cevne ojačevalnike).

Skratka - diamantni polprevodniki se bodo verjetno kmalu uporabljali za visokofrekvenčne, zahtevne namene. Vendar, ker gre v isto smer tudi tehnologija za široko potrošnjo, se zna zgoditi, da bomo imeli enkrat na mizi računalnike na diamantni osnovi. Več v izvorni novici in NTT-jevi izjavi za javnost.

Wired News - Od nekdaj je človek sanjaril o spreminjanju oglja v drage kamne ali kovine. Ampak, zakaj se ustaviti pri zlatu, ko so na voljo še veliko več vredni elementi, na primer ogljik? A ne kar katerikoli ogljik, temveč najboljši prijatelji nežnejšega spola -- diamanti?

Pravzaprav je stvar nemarno preprosta, takorekoč vsakdo z nekoliko bolje opremljeno delavnico bi lahko to počel. Vzamete opilek diamanta, nekaj grafita ali česa podobno ogljikastega, ju podvržete 50.000 atmosferam in par tisoč stopinjam, hip, hip, strašni trik, pred vami se svetlika čisto pravi diamant. Preprosto kajne? No, prav tega se je lotila skupina znanstvenikov iz Floride. Kar jih ločuje od minulih tovrstnih...

Tech Review - Raziskovalci, z Matthias Schreckom iz Augsburške univerze v Nemčiji na čelu, so razvili kristalno-diamantni film (tanka plast materiala), ki je bolj odporen kot silicijski. Čipi na takih ploščicah bodo bolj odporni na visoke temperature ter na udarce, kar vodi k temu, da jih bodo predvsem uporabljali v letalski in avtomobilski industirji.

Podobne kristalne rezine so izdelovali že prej, toda ker so umetne diamante izdelovali na siliciju so bili med delčki ostri robovi, kar pomeni slab polprevodnik. Sedaj pa so začeli proizvajati diamantne filme na iridiju, kar posledično pomeni bolj uravnan in manj nazobčan kristalni polprevodnik. Celotna novica tukaj.