Toshiba in SanDisk pripravila 3D-čipe z 256 Gb

Razvoj 3D-čipov za pomnilnik NAND-flash se nadaljuje, štafetno palico pa trenutno nosita SanDisk in Toshiba. Marca so kot prvi predstavili 48-slojni flash z dvema bitoma podatkov na celic (MLC), v katerega lahko shranijo do 128 Gb podatkov. Sedaj so kapaciteto še podvojili in pripravili čipe s kapaciteto 256 Gb. Pilotska proizvodnja za zdaj teče v novi tovarni v Jokajičiju na Japonskem, do konca leta pa naj bi zagnali množično proizvodnjo za prodajo.

Novi čipi so zgrajeni v 15-nm litografiji in bodo verjetno našli svoje mesto v SSD-jih, pametnih telefonih, microSD karticah ipd. Za razliko od marčevskih čipov so to pot uporabili TLC, kar pomeni, da ena celica shrani tri bite podatkov (torej mora biti sposobna razločiti med osmimi stanji). To poceni izdelavo (relativno na kapaciteto) in omogoča doseganje večjih kapacitet, a po drugi strani predstavlja večje tveganje za odpoved čipa in izrabo.

3D-čipe za NAND-flash je prvi začel uporabljati Samsung lani, po tem pa so hitro sledili še ostali proizvajalci. Samsung je dejansko na trg že poslal tudi prve izdelke s temi čipi, konkurenca pa mu je tik za petami. Čipi s kapaciteto seveda že obstajajo, a so zgrajeni iz 32 slojev (npr. iz Microna in Intela); SanDisk in Toshiba sta prva, ki sta jih zložila v 48 slojev. Prvi izdelke s SanDiskovimi čipi pa lahko pričakujemo prihodnje leto.