Exynos 7 Octa prvi Samsungov čip v 14 nm FinFET

Samsung je začel proizvajati novo različico Exynosa 7 Octa v tehnologiji 14 nm FinFET, medtem ko je bila dosedanja verzija, ki so jo predstavili oktobra, izdelana v 20 nm HKMG. FinFET pa pomeni, da so čipe začeli graditi v treh dimenzijah. Za zdaj še niso zloženi eden na drugim, ampak kvišku molí del tranzistorja (gate).

Prva naprava s čipom v novi tehnologiji bo seveda Samsungov Galaxy S6, ki izide kmalu. Starejše 64-bitne Exynose v 20 nm tehnologiji pa najdemo na primer v Galaxy Note Edge in Galaxy Note 4. Običajno Samsung kombinira - nekateri telefoni istega modela imajo Exynose, drugi pa Qualcommove čipe, a prav S6 utegne imeti izključno Exynose, ker ima Snapdragon 810 težave. Qualcomm še vedno načrtuje z 20 nm, medtem ko bodo na 16 nm FinFET prešli sredi tega leta.

Exynos 7 Octa sestavlja osem jeder v konfiguraciji big.LITTLE - štiri hitra jedra Cortex A57 in štiri počasnejša jedra Cortex A53. Ko so zahteve visoke, se vključijo hitra, sicer pa zavoljo varčevanja z energijo tečejo počasnejša. In kaj bomo pridobili z novo litografijo? Hitrost in varčnost. Samsung zatrjuje, da bo nova različica čipa za 20 odstotkov hitrejša in 35 odstotkov varčnejša. V praksi to pomeni, da bo verjetno novi Exynos 7 Octa tudi tovarniško tekel pri višjih frekvencah. Ni pa še jasno, katero grafično jedro bo imel.

Špekulira se, da bo Galaxy S6 z novim Exynos 7 Octa predstavljen 1. marca v Barceloni na MWC.