Prvi pomnilniki z memristorji leta 2013

Lani smo pisali o memristorjih, ki si jih je Leon Chua kot četrti osnovni element v elektrotehniki (poleg kondenzatorja, tuljave in upornika) zamislil leta 1971. Šele v zadnjih letih so postali resničnost (prvi delujoč primerek je iz leta 2006), zato HP in Hynix od leta 2008 pospešeno razvijata tehnologijo, ki bo prinesla nevolatilni pomnilnik ReRAM. Prve komercialne primerke pričakujemo poleti 2013, sta podjetji dejali v teh dneh.

Prednosti memristorjev so večja hitrost, manjša poraba energije za obratovanje, nevolatilnost (podatke obdržijo po izgubi napajanja). Z izkoriščanjem teh prednosti napovedujeta HP in Hynix alternativo SSD-jem, USB-ključem in podobnih napravam. Da bodo nadomestili DRAM, bo verjetno potrebno počakati nekoliko dlje (2014/15), še kakšno leto pozneje pa tudi SRAM. Stan Williams iz HP Labs je potrdil, da trenutno izdelujejo na stotine rezin v Hynixovih tovarnah, prvi končni izdelek pa bo naprava z večslojnim pomnilnikom. Dolgoročni načrt je z ReRAM-om zamenjati vse vrste pomnilnika - trajnega in volatilnega.