HP napreduje pri razvoju memristorjev

Hewlett-Packard je objavil, da so dosegli napredek pri razvoju memristorjev, ki so bili še pred leti znanstvena fantastika, sedaj pa postajajo resničnost. Kot pravijo, so uspeli raziskati in popisati kemijo in strukturo memristorja in sprememb v njem med delovanjem. Že prej so uspeli izdelati delujoče primerke, a niso točno vedeli, kaj se dogaja pod pokrovom. Z novim znanjem bodo lahko izboljšali lastnosti in zmogljivosti prihajajočih memristorjev.

HP ocenjuje, da bodo memristorji pripravljeni na komercialno rabo v letu 2013. Iz njih bo moč izdelati pomnilnik ReRAM, ki za razliko od DRAM-a ob izgubi napajanja ne bo izgubil podatkov, naslednike bliskovnega pomnilnika itd. V HP so že izdelali prototipe, ki bi z uporabo memristorjev mogli doseči gostoto zapisa podatkov 12 GB na kvadratni centimeter. V ta namen so uporabili 15 nm-proizvodni proces in več nivojski dizajn, saj so v stolp zložili štiri plasti pomnilniških celic.

O napredku so pisali v članku The switching location of a bipolar memristor: chemical, thermal and structural mapping v reviji Nanotechnology.