IBM sintetiziral prvo grafensko vezje

Lani in letos je hit poletja grafen, katerega raziskave so po lanski podelitvi Nobelove nagrade za fiziko deležne precej več publicitete (IBM-ovi tranzistorji, Kondov efekt, samohlajenje itn.). V novi številki revije Science pa IBM poroča o izdelavi prvega integriranega vezja iz grafenske rezine. Vsi primerki tranzistorjev, ki so jih bili pripravili doslej, so bili posamični in manjši.

Težavno je zlepiti skupaj grafenske tranzistorje in ostale komponente, ki so iz kovin in oksidov, zato doslej vezij iz grafena ni bilo. Sedaj pa so uspeli izdelati integrirano vezje, ki ima grafenski tranzistor in tuljavi na rezini iz silicijevega karbida. Grafen se sintetizira s termično obdelavo (annealing) silicijevega karbida, tako da se na površini tvori več grafenskih plast (pri segrevanju na 1300 °C silicij odpari, preostali ogljikovi atomi pa se preuredijo v heksagonalno strukturo; kadar je debela eno plast atomov, nastane grafen), s pomočjo katerih so iz tranzistorjev in tuljav izdelali vezje. Problem je, da je silicijev karbid predrag, zato IBM išče tudi druge načine proizvodnje grafenskih vezij, pravijo. Metoda naj bi bila primerna tudi za izdelavo vezij iz grafena, ki je nastal po drugih metodah.

Dobljeno vezje tiktaka z 10 GHz in je odporno do temperatur okrog 125 °C. Do praktične uporabe je kljub temu še mnogo mnogo let.