3D-čipi zlezli že do 48 slojev

Toshiba je sporočila, da začenja proizvajati 3D-pomnilnik V-NAND flash, ki bo imel tranzistorje vertikalno naložene v 48 slojih. V posameznem bodo shranili dva bita podatkov (MLC), kar jim bo omogočilo izdelavo čipov s kapaciteto 128 Gb. S tem resno konkurirajo Samsungu, ki je lani jeseni predstavil 32-slojni flash. Toshiba je prvo tehnologijo na svetu, ki omogoča nanizati 48 slojev, poimenovala BiCS.

Bistvena razlika je v številu bitov v celici. Medtem ko je Samsung tja stlačil tri (TLC), se je Toshiba odločila za dva. To pomeni, da v obeh primerih čip shrani 128 Gb, a imajo Toshibini čipi nekaj prednosti, zlasti zanesljivost, dolgoživost ter tudi hitrost. Proizvajali jih bodo v tovarni številka dve v mestu Yokkaichi, ki bo nared prihodnje leto. Proizvodnja je načrtovana za drugo četrtletje 2016.

3D-čipi so že našli pot v končne izdelke, saj jih Samsung že uporabil v modelu SSD 850 Pro. Z zlaganjem v višino je spet mogoče povečati litografijo, saj prostorske omejitve nenadoma niso več tako zelo omejujoč dejavnik, hkrati pa je tako lažje delati. Novi 3D-čipi so tipično zgrajeni v 30- do 50-nm tehnologiji, medtem ko so v dveh dimenzijah pririnili vse do 10 nm, dlje pa zaradi fizikalnih omejitev bržkone ne bo šlo.

Nič kaj ne zaostajata niti Intel in Micro, ki sta še dva pomembna igralca na trgu flasha. Le dan pred tem sta sporočila, da bosta začela proizvajati 3D-NAND-flash čipe v 32 slojih. Prvi preizkuševalci so že dobili 256-gigabitne čipe (MLC), čez nekaj mesecev pa načrtujejo že 384-gigabitne TLC.