Samsung predstavil tridimenzionalno pakirane pomnilniške čipe

Samsung je predstavil novo serijo osemgigabajtnih pomnilniških ploščic (DIMM) Green DDR3 DRAM, koder so čipi naloženi eden nad drugim. V običajnih vezjih so čipi razporejeni le v dveh dimenzijah. Novi moduli imajo tako 50 odstotkov večjo gostoto čipov na prostorsko enoto od starih.

Proces proizvodnje se generično imenuje TSV in omogoča gradnjo trorazsežnih vezij, Samsung pa mu pravi wafer-level stack process (WSP). Uspeli so stlačiti osem dvogigabitnih NAND-čipov enega nad drugega v debelino le dobrega pol milimetra. Samsung pojasnjuje, da ima večja gostota nekaj prednosti, med njimi 40 odstotkov nižjo porabo energije. Trenutno predstavljeni moduli so zgrajeni iz čipov v 40 nm-tehnologiji, a že načrtujejo uporabo tudi v manjši litografiji. Na prodajnih policah nove module pričakujemo v drugi polovici prihodnjega leta, najprej predvsem za počasnejše vrste pomnilnika, saj pri tovrstni sestavi največji problem hlajenje.