Samsung začel proizvajati 20 nm-čipe DDR3

Spominski čipi NAND (flash) se že nekaj časa izdelujejo v 19 nm-tehnologiji izdelave, medtem pa je zmanjševanje litografije pri elektronskih pomnilniških čipih DDR težje. V Samsungu so zato toliko ponosneje najavili, da so uspeli zagnati množično proizvodnjo štirigigabitnih čipov DDR3 v 20 nm-tehnologiji.

Doslej so jih proizvajali v 25 nm-tehnologiji. Manjši čipi naj bi poskrbeli za 30 odstotkov višjo kapaciteto proizvodnje (število čipov na rezino) in 25 odstotkov nižjo porabo energije. Kljub temu da je zmanjševanje velikost čipov DRAM težje, saj celica vsebuje tako tranzistor kot kondenzator, medtem ko imajo celice v NAND-u le kondenzator, Samsung načrtuje nadaljnje zmanjševanje litografije.

Trenutno uporabljajo laser argonovega fluorida, ki ima elementarna argon in fluor. Če sistemu dovedemo energije, se elementa začasno spojita v metastabilen kompleks ArF (argonov fluorid), ki hitro razpade in ob tem izseva karakteristično svetlobo valovne dolžine 193 nm. Ta svetloba se potem uporablja za izjemno fino jedkanje silicijevih rezin, ki so bile na določenih mestih prekrite s fotoodpornim premazom. Postopku pravimo fotolitografija in je za čipe velikosti 20 nm še ravno dovolj dobra, a bodo morali v prihodnosti začeti uporabljati laserje krajše valovne dolžine (ekstremni UV, 13,5 nm), kar pa prinaša svoje težave, ker je energija teh fotonov bistveno večja, hkrati pa to svetlobo absorbirajo že zrak in steklo (leče!).