Samsung začel proizvajati 20 nm-bliskovni pomnilnik

Samsung je včeraj objavil, da so začeli proizvajati NAND-bliskovni pomnilnik v 20 nm-tehnologiji, ki v primerjavi s staro 30 nm nudi večje kapacitete in višje hitrosti. Skupaj bodo zlagali 32 gigabitne (4 GB) čipe vse do kapacitet 64 GB, ki bodo uporabne tako v pomnilniških karticah kot tudi pametnih telefonih. Glede na to, da je IMFT (podjetje v solastništvu Intela in Microna) v začetku letošnjega leta predstavil 25 nm-proizvodni proces, so to prvi obeti cenovne vojne. Samsung namreč obljublja 30-odstotno pohitritev in pocenitev izdelave.