Bliskovni pomnilnik postaja hitrejši, manjši

Samsung je včeraj začel z masovno proizvodnjo popolnoma svežega in hitrejšega bliskovnega pomnilnika. Gre za 64-gigabitne čipe (8 GB), izdelane s postopkom izdelave med 20 in 29 nm (točen podatek ni znan), ki svoje pohitritve prinašajo tudi zaradi uporabe novega tipa vodila. Gre za drugo generacijo DDR, s katero se prenosi med čipom in krmilnikom vršijo z vse do 400 Mbps, v primerjavi s 133 Mbps, kolikor doseže vodilo DDR 1.0 za bliskovni pomnilnik NAND, oz. v primerjavi z vsega 40 Mbps, kolikor doseže vodilo SDR, ki je dandanes najbolj popularno.

Sama arhitektura pomnilnika je tipa MLC, torej vsaka celica shranjuje večje število bitov, a še ni znano, če to pomeni 2 oz. nekoliko gostejše 3 bite na celico. Bolj verjetna je uporaba zapisa dveh bitov na celico, saj naj bi bili novi čipi namenjeni ne le za mobilne telefone in tablične naprave, temveč tudi za pogone SSD (izpostavili so vodilo SATA 6 Gbps in pomnilniške medije za USB 3.0), kjer zapis treh bitov na celico prinese prevelik udarec za število zapisov, da bi bila uporaba smiselna.