Micron in Nanya raziskujeta 20 nm

Micron v sodelovanju s svojim partnerjem pri izdelavi pomnilniških čipov, tajvansko Nanyo, raziskuje izdelavo čipov v 20 nm-proizvodnem procesu, kar bi jih lahko poneslo v tehnološko prednost pred največjim konkurentom na področju pomnilnika, Samsungom. Slednji svoje proizvodne linije že nadgrajuje na 30 nm-proizvodni proces, ki so po njihovih besedah v primeru 2-gigabitnih DDR III čipov (iz njih se lahko npr. izdela 4-gigabajtne pomnilniške palčke) 30% bolj učinkoviti od primerljivih čipov, izdelanih v 50 nm-proizvodnem procesu. Obenem je cena izdelave 50 nm čipov dvakrat višja od 30 nm čipov. Micron in Nanya sicer trenutno prehajata na 42-nm proizvodni proces ter v kratkem načrtujeta še en prehod na proizvodni proces med 30 in 40 nm (po njihovem je to 3x nm). To bi dalo slutiti, da je proizvodnja na 20 nm še precej oddaljena. Micron sicer pri proizvodnji Flash pomnilnika že sodeluje z Intelom, kjer se že pripravljata na zagon proizvodnje v 25 nm. Očitno so te tehnologije omejene izključno na partnerstvo med Intelom in Micronom oz. morda niso najbolj primerne za izdelavo DRAM čipov.