Intel in Micron na poti k 20 nm bliskovnemu pomnilniku

Prvi pogoni z IMFT-jevim 25 nm bliskovnim pomnilnikom so komaj prispeli na testne mizice in na police trgovin, ko Intel in Micron, partnerja pri IMFT (Intel Micron Flash Technologies), že predstavljata novo pomanjšanje. Tokrat bo prehod nekoliko manjši, kot s 34 na 25 nm, saj bo pomanjšanje veliko vsega 5 nanometrov na 20 nm-proizvodni proces. Prvi primerek, 8-gigabitno jedro, so izdelali v IMFT-jevi tovarni v Lehiju v zvezni državi Utahu, medtem ko bo masovna proizvodnja na 20 nm potekala še v tovarnah v ameriški Virginiji (Manassas) ter v Singapurju, ko bodo tovarni opremili za proizvodnjo 20 nm čipov (potrebne so manjše predelave proizvodne linije).

Končnih izdelkov sicer ne bomo videli še okroglo leto (proizvodni cikel IMFT-ja je med 15 in 18 meseci), saj bodo polno proizvodnjo, tako v količini kot v kvaliteti, v najboljšem primeru dosegli šele v drugi polovici letošnjega leta. Prehod na nov proizvodni proces bo prinesel znatno pomanjšanje samega jedra. V primeru 8 Gb jedra bo le-to na 20 nm merilo 118 mm², medtem ko enako jedro v 25 nm postopku meri 167 mm². Pri Anandtechu so na sliki dodali še dve 4 Gb jedri, da bi prikazali velikostno razliko s 34 nm izdelki, ki niso bili nikoli izdelani v večjih kapacitetah. Vzdržljivost 20 nm čipov naj bi bila z dozorevanjem proizvodnega procesa praktično enaka 25 nm različicam, torej lahko pričakujemo med 3.000 in 5.000 zapisi na celico, ki je enaka 34 nm pomnilniku, a znatno manjša od 10.000 zapisov 50 nm pomnilnika.

Pri IMFT so izpostavili, da z manjšim jedrom lahko pričakujemo še kompaktnejše pakiranje čipa, ki bo izdelovalcem prenosnih naprav omogočalo optimizacijo velikosti nekaterih komponent, npr. povečanje baterije.