Samsung bo ponudil pomnilnik DDR2 z večjo gostoto zapisa

Samsung je naznanil, da bo do konca letošnjega leta začel z masovno proizvodnjo DDR2 pomnilniških modulov, izdelanih v 60 nm proizvodnem procesu. 60 nm moduli bodo v primerjavi s starejšimi nudili večjo kapaciteto in hitrost ter manjšo porabo energije. Gostota zapisa na novih, 60 nm čipih bo namreč znašala 2 Gb (pri 80 nm čipih le 1 Gb), prav tako pa bi naj novi pomnilniki bili za 20 % hitrejši od 80 nanometrskih bratcev.

Čipi z 2 gigabitno gostoto zapisa bi se naj znašli na 8 GB FBDIMM in RDIMM (registered, dual inline) modulih ter 4 GB UDIMM (unbuffered, dual inline) in SODIMM modulih, pri čemer bodo slednji namenjeni prenosnikom. Po besedah predstavnikov Samsunga bi novi 8 GB modul s 36 2-gigabitnimi čipi porabil okoli 30% manj električne energije od starega, sestavljenega iz 72 1 gigabitnih čipov.