Konec meseca bomo sadove Intelovega procesa 18A lahko preizkusili v praksi

Na sejmu CES je Intel naposled objavil skorajšnjo razpoložljivost izdelkov s procesorji Core Ultra Series 3, ki so še posebno zanimivi spričo dejstva, da so napravljeni na proizvodnem procesu 18A, ki naj bi bil trenutno najbolj napreden na svetu.

Na dogodku so najavili 14 čipov, vse za ultraprenosne računalnike in ročne igralne naprave, ki spadajo v družino procesorjev Panther Lake. V grobem sodijo v tri različne "jakostne" skupine; Core Ultra X9 in X7 imajo 16 jeder in polno 12-jedrno obliko grafičnega čipa Arc B390; Core Ultra 9 in 7 imajo okrnjen grafični del in bodo potemtakem primerni za spajanje z dodatnimi grafičnimi karticami; na koncu imajo Core Ultra 5 prepolovljeno število jeder (8) in starejšo, šibkejšo obliko integrirane grafike. Same čipe so strankam pričeli pošiljati pred koncem lanskega leta, prvi dejanski prenosniki na tej osnovi naj bi bili na voljo 27. januarja, za nekatere so že na voljo prednaročila.

Kar je bržkone tehnično in strateško najbolj pomenljivo pri tretji generaciji procesorjev Core Ultra, pa je dejstvo, da gre za prve izdelke na osnovi proizvodnega procesa 18A, na katerega v podjetju praktično stavijo vso svojo prihodnost, saj nameravajo ravno s to tehnologijo dohiteti TSMC in družbo vnovič pririniti v ospredje. Pri tem dosti tvegajo, saj so ubrali inženirsko bližnjico, s katero v procesu 18A uvajajo dve koreniti tehnični novosti hkrati: tranzistorje vrste nanosheet (ali GAAFET) in pa izdelavo napajalnih vodov na spodnji strani čipa (backside power delivery - BSPD). Običajno se podjetja takšnih prelomnih prijemov ne lotevajo hkrati, temveč zaporedoma - tudi TSMC, ki bo najprej pripeljal GAAFET, šele zatem pa BSPD.

Tranzistorji GAAFET, ali gate-all-around FET, imajo vrata povsem ovita okoli kanala, s čimer ima slednji obliko nekakšnega tankega lističa, kar so v Intelu povzeli pri lastnem nazivu tehnologije - nanosheet. To ojača nadzor vrat nad kanalom v primerjavi z obstoječimi tranzistorji vrste FinFET, kjer vrata kanal objemajo s treh strani. Boljši nadzor nad tokom skozi kanal pomeni manj uhajajočih elektronov in s tem potencialno višje frekvence in višjo gostoto elementov na površino, oziroma nadaljnje trajanje Moorovega zakona, če odmislimo, da smo tega že nekajkrat malce prebesedili.

Tudi backside power delivery naj bi prinesel podobne pribitke. Doslej so morali inženirji vode za prenos elektrike in podatkov prepletati v istem prostoru, nad tranzistorji. Ker gre za dve različni sorti vodil - napajalna morajo biti čim širša, podatkovna pa čim ožja - je bil to za dizajnerje čipov orjaški zalogaj, obenem pa so napajalne žice rade motile tokove podatkov. S premikom električnih vodov na drugo stran čipa se takšne motnje zmanjšajo, dolžina žičk pa skrajša. Seveda pa tudi takšna proizvodnja pomeni nov zahteven izziv, kajti po tem, ko se izdela zgornja polovica čipa s tranzistorji in podatkovnimi vodili, je treba vso rezino obrniti okoli, jo fino zbrusiti in z natančnostjo nanometrov skoznjo napraviti luknjice. Zanimivo bo videti, kaj od tega je Intelovim inženirjem delalo takšne probleme, da tudi z 18A že malo zamujajo.