Qualcommov Snapdragon 835 bo prvi 10-nm SoC

Qualcomm je danes skupaj s Samsungom napovedal svoj novi SoC Snapdragon 835, ki bo prvi zgrajen v 10-nm tehnologiji. S tem so razkrili skrivnost minulega meseca, ko smo izvedeli le, da je Samsung začel proizvajati prvi 10-nm SoC. Tedaj smo predvidevali, da gre za kakšen Samsungov lasten procesor Exynos, a se je sedaj izkazalo, da to ne drži. Samsung je tedaj začel proizvajati Qualcommov Snapdragon 835 s proizvodnim procesom 10LPE FinFET, s čimer prevzema laskavi naslov prvega 10-nm SoC, ki bo prišel na prodajne police že v začaetku prihodnjega leta. To sta potrdila Keith Kressin iz Qualcomma in Jong Shik Yoon iz Samsunga. Intel se s svojimi 10-nm čipi (Cannon Lake seveda ni SoC) trudi že nekaj časa in jih pričakujemo konec leta 2017.

Qualcomm je o novincu presenetljivo molčeč, saj ni razkril, kako in koliko bo 835 boljši od 821. Samsung pa je dejal, da bo 10-nm tehnologija izdelave omogočila 30 odstotkov manjše jedro, 27 odstotkov več zmogljivosti ali 40 odstotkov nižjo porabo energije, odvisno od zahtev. Qualcomm pa dodaja, da bo novi čip podpiral tehnologijo hitrega polnjenja (Quick Charge 4). V petih minutah naj bi omogočal napolnitev do mere, ki bo zagotavljala 5 ur avtonomije, 15 minut pa bo zadostovalo za 50-odstotno napolnjenost. Ob tem bo tehnologija v skladu s standardi, kar za prejšnje nestandardne implementacije Quick Chargea ni bilo mogoče reči.

Qualcomm in Samsung sta torej prepričljivo v vrhu razvoja. Intel je zelo blizu, čeprav ne dela čisto primerljivih izdelkov (SoC so zapustili, ker je trg nasičen), medtem ko Apple, Huawei in MediaTek še niso tam. Applov A10 bo še vedno 16-nm, prav tako Huaweijev Kirin 960. Samsungov lasten 10-nm čip naj bi bil nared prihodnje leto.