Intel in Micron predstavila 1000-krat hitrejši trajni pomnilnik

Intel in Micron sta predstavila povsem novo tehnologijo hitrega trajnega pomnilnika, ki je po zatrjevanju proizvajalcev do 1000-krat hitrejši od polprevodniškega pomnilnika v današnjih SSD-jih in predstavlja prvo revolucijo po iznajdbi NAND-a leta 1989. Poimenovali so ga 3D XPoint (beri: [kɹɒspɔɪ̯nt], "cross-point"), kar je povezano z njegovo zgradbo.

Danes imamo drage in hitre pomnilnike, ki ne zmorejo dolgoročno hraniti podatkov (RAM), ter počasnejše in cenejše trajne pomnilnike (flash, diski). 3D XPoint premošča to vrzel, saj bo trajen in hiter, dasi vsaj spočetka nič kaj poceni. Prav tako bo nov pomnilnik vsaj 10-krat gostejši, kar bo omogočili stlačiti več gigabajtov na manjšo površino.

Kako točno bo 3D XPoint deloval, še ni znano, ker podjetji nista želeli razkriti specifikacij. Intel je tudi povedal, da bosta tehnologijo proizvajali sami, licencirati pa je vsaj v začetku ne bo mogoče. Vemo pa, da gre za dizajn brez tranzistorjev, medtem ko ima flash za vsak bit svoj tranzistor, kar bo bistveni razlog za večjo gostoto zapisa podatkov. 3D XPoint sestavljajo plasti vzporednih povezav, tako da sta sosednji plasti pravokotni (glej sliko). Med priključkoma na dveh plasteh bo shranjen en bit podatkov, zapis in prepis pa bo potekal s pritisnjeno napetostjo. Mogoče uporabljajo memristorje?

Nihče tudi še ne ve točno, kako si predstavljajo pod izrazom 1000-krat hitrejši pomnilnik. Prepustnost verjetno ne bo tolikšna, je pa povsem mogoče, da bo dostopni čas 1000-krat hitrejši. Kot kaže, bomo odgovore dobili kmalu, saj naj bi prve naprave z novo vrsto pomnilnika prispele konec leta. Takrat bomo tudi videli, ali gre za še eno v nizu pompozno najavljenih in spektakularno propadlih tehnologij (RDRAM, MRAM, ReRAM, PCM, HMC), ali pa resnično revolucijo. Morda je še najbliže kar ugotovitev samih proizvajalcev, da bo šlo za evolucijo - flasha ne bomo mogli povsem nadomestiti, ker je poceni, lahko pa mu dodamo velikanski predpomnilnik iz novega materiala.