Samsung začel proizvajati TLC 3D V-NAND flash

Samsung je začel množično proizvodnjo TLC 3D V-NAND flasha, ki ga bodo uporabljali v SSD-jih nove generacije. Ti bodo hitrejši, učinkovitejši in predvsem cenejši od običajnih SSD-jev.

TLC označuje, da lahko v eni celici shranimo tri bite. To pomeni, da mora biti celici sposobna shraniti in razločiti osem različnih stanj (000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111), medtem ko MLC shranjuje dva bita (00, 01, 10, 11), SLC pa en sam bit (0, 1). Na ta način se brez povečanja gostote celic dvigne gostota zapisa, a to prinaša višje tveganje izgube podatkov, ker so razlike med posameznimi stanji celice manjše. Samsung je prvi proizvajalec SSD-jev, ki je uporabil TLC.

Drugi trik za dvig kapaciteto in znižanje cene pa je zlaganja celic v višino. Ker je njihovo zmanjševanje drago in bo počasi tudi fizikalno nemogoče (trenutno smo pri 10 nm), je Samsung začel izkoriščati še tretjo dimenzijo ter celice zlaga navpično. V prvi generaciji so izdelali čip s 24 navpičnimi plastmi celic, druga generacija pa jih ima že 32. Trodimenzionalne čipe so že uporabili v modelu 850 Pro, ki je doživel zelo pozitivne kritike.

Sedaj je v njihovih tovarnah stekla proizvodnja čipov, ki uporabljajo obe tehnologiji hkrati, kar bo zelo pocenilo izdelavo SSD-jev (mišljena je cena na gigabajt), hkrati pa ne bi smelo preveč ogroziti njihove zanesljivosti. Novi čipi imajo kapaciteto 128 Gb. O ceni in dobavljivosti še ni podatkov, špekulira pa se, da bo 850 EVO prvi model s TLC 3D V-NAND flash čipi.