Micron in Nanya z 42 nm DDR3

Podjetji Micron in Nanya sta včeraj napovedali, da sta družno razvili dvogigabiten čip DDR3 z uporabo nove 42 nm proizvodne tehnologije DRAM-a. Z zmanjšanjem litografije na 42 nm bodo iz pomnilnika lahko iztisnili višje hitrosti in večje kapacitete - posamezne palčke pomnilnika bi lahko bile velike do 16 GB in delovale s 1866 MHz. Prav tako so znižali potrebno delovno napetost z 1,50 na 1,35 V. Omejena proizvodnja se bo pričela v drugem četrtletju tega leta, masovna proizvodnja pa sledi jeseni. V raziskovalnem oddelku Microna medtem že raziskuje tehnologijo s 30 nm.